PNP-Silikon-Verstärker-Transistor 625mW BC557A
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 150MHz 500 mW Through Hole TO-92
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Eigenschaft 1:
Bleifreies Ende/RoHS konform
Eigenschaft 2:
150°C Grenzschichttemperatur
feature 3:
Through Hole Package
Eigenschaft 4:
Epoxy-Kleber trifft Bewertung Entflammbarkeit V-0 ULs 94
feature 5:
Moisure Sensitivity Level 1
Marking:
Type Number
Höhepunkt:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Einleitung
Eigenschaften
•? Bleifreies Ende/RoHS konform („p-“ Suffix kennzeichnet
RoHS konform. See Einrichtungsinformationen)
•? Grenzschichttemperatur 150o C
• Durch Loch-Paket
• Epoxy-Kleber trifft Bewertung Entflammbarkeit V-0 ULs 94
• Moisure-Empfindlichkeits-Niveau 1
• Markierung: Art Zahl
Mechanische Daten
? • Fall: TO-92, geformter Plastik
• Polarität: angezeigt als unten.
Maximalleistungen @ 25o C wenn nicht anders angegeben
| Charateristic | Symbol | Wert | Einheit |
|
Kollektor-Emitter-Spannung BC556 BC557 BC558 |
VCEO |
-65 -45 -30 |
V |
|
Kollektor-Basis-Spannung Because556 BC557 BC558 |
VCBO |
-80 -50 -30 |
V |
| Emitter-Basis-Spannung | VEBO | -5,0 | V |
| Kollektorstrom (DC) | IC | -100 | MA |
| Energie Dissipation@TA =25°C | PD |
625 5,0 |
mW mW/°C |
| Energie Dissipation@TC =25°C | PD |
1,5 12 |
mW mW/°C |
| Thermischer Widerstand, Kreuzung zur Luft | R JA | 200 | °C/W |
| Thermischer Widerstand, zu umkleiden Kreuzung | R JC | 83,3 | °C/W |
| Funktionieren u. Lagertemperatur | Tj, TSTG | -55~150 | °C |
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