Oberflächenberg Si-Epitaxial- PlanarTransistors BCP53
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolarer (BJT) Transistor PNP 80 V 1,2 A 1,5 W Oberflächenmontage SOT-223-4
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Power dissipation – Verlustleistung:
1.3 W
Kollektorstrom – Kollektorstrom (DC):
1 A
Höchstkollektorstrom – Koll. - Spitzenstrom:
1,5 A
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom:
200 mA
Grenzschichttemperatur – Sperrschichttemperatur:
150? ℃
Storage temperature – Lagerungstemperatur:
- 65…+ 150℃
Höhepunkt:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Einleitung
Verlustleistung – Verlustleistung 1,3 W
Kunststoffkoffer SOT-223
Kunststoffgehäuse
Gewicht ca. – Gewicht CA 0,04 g
Plastik hat UL-Klassifikation 94V-0
Klassifiziert Gehäusematerial UL94V-0
Standardverpacken aufgenommen und gewirbelt
Standard-Lieferform-gegurtet auf Rolle
Maximalleistungen (TA = 25? ℃) Grenzwerte (TA = 25? ℃)
| BCP 51 | BCP 52 | BCP 53 | ||
| Kollektor-Emitter-Spannung B offen | - VCE0 | 45 V | 60 V | 80 V |
| Kollektor-Basis-Spannung E offen | - VCB0 | 45 V | 60 V | 100 V |
| Emitter-Basis-Spannung C offen | - VEB0 | 5 V | ||
| Verlustleistung – Verlustleistung | Ptot | 1,3 W 1) | ||
| Kollektorstrom – Kollektorstrom (DC) | - IC | 1 A | ||
| Höchstkollektorstrom – Koll. - Spitzenstrom | - ICM | 1,5 A | ||
| Höchstbasisstrom – Basis-Spitzenstrom | - IBM | 200 MA | ||
| Grenzschichttemperatur – Sperrschichttemperatur | Tj | 150? ℃ | ||
| Lagertemperatur – Lagerungstemperatur | TS | - 65… + 150? ℃ | ||
1) angebracht an P.C.-Brett mit 3 kupferner Auflage Millimeters2 an jedem Anschluss
MIT 3 Millimeter2 Kupferbelag (Lötpad) Montage auf Leiterplatte ein jedem Anschluss
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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10pcs