Silikon-Leistungstransistor-einzelne Konfiguration Energie MOSFET IRF740PBF
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
VDS (V):
400
RDS(on) (Ω):
VGS = 10 V ; 0.55
Qg (Maximum) (nC):
9.0
Qgd (nC):
32
Configuration:
Single
Paket:
TO-220
Höhepunkt:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Einleitung
EIGENSCHAFTEN
• Dynamische dV-/dtbewertung
• Sich wiederholende Lawine veranschlagt
• Schnelle Schaltung
• Leichtigkeit des Vergleichs
• Einfache Antriebs-Anforderungen
• Es-frei verfügbares der Führungs-(Pb)
BESCHREIBUNG
MOSFETs Energie der dritten Generation von Vishay liefern
Designer mit der besten Kombination der schnellen Schaltung,
ruggedized Gerätentwurf, niedriger Aufwiderstand und
Wirtschaftlichkeit.
Das Paket TO-220 wird allgemeinhin für alle bevorzugt
Handels-industrielle Anwendungen an der Verlustleistung
Niveaus bis ungefähr 50 W. Der niedrige thermische Widerstand
und niedrige Paketkosten des TO-220 tragen zu seinem breiten bei
Annahme während der Industrie.
TYPISCHES EIGENSCHAFTEN 25 °C, wenn nicht anders vermerkt
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