Mosfet-Modul Energie HEXFET-Energie MOSFET IRFB4410ZPBF
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Kanal 100 V 97 A (Tc) 230 W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
VDSS:
100V
Art RDS (an).; Maximum.:
7.2m? ; 9.0m?
ID (Silicon Limited):
97
ID (Package Limited):
75A
G; D; S:
Gate; Drain; Source
Maximum Power Dissipation:
230W
Höhepunkt:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Einleitung
Anwendungen?
• Hohe Leistungsfähigkeits-synchrone Korrektur in SMPS
• ? Unterbrechungsfreie Stromversorgung?
• Hochgeschwindigkeitsenergie-Schaltung?
• Stark und Hochfrequenzwählverbindungen
Nutzen?
• Verbessertes Tor, Lawine und dynamisches dV/dt
Rauheit?
• Völlig gekennzeichnete Kapazitanz und Lawine
SOA?
• Erhöhte Körperdiode dV/dt und dI-/dtfähigkeit?
• Bleifrei
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