FGH60N60SFDTU-Energie Mosfet-Modul 600V, Halt des Feld-60A IGBT
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
IGBT Field Stop 600 V 120 A 378 W Through Hole TO-247-3
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Collector to Emitter Voltage:
600 V
Gate to Emitter Voltage:
± 20 V
Collector Current @ TC = 25℃:
120 A
Pulsed Collector Current @ TC = 25℃:
180 A
Operating Junction Temperature:
-55 to +150 ℃
Storage Temperature Range:
-55 to +150 ℃
Höhepunkt:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Einleitung
FGH60N60SFD
600V, Halt des Feld-60A IGBT
Eigenschaften
• Hohe gegenwärtige Fähigkeit
• Niedrige Sättigungsspannung: VCE (saß), =2.3V @ IC = 60A
• Hohe Eingangsimpedanz
• Schnelle Schaltung
• RoHS konform
Anwendungen
• Induktions-Heizung, UPS, SMPS, PFC
Allgemeine Beschreibung
Unter Verwendung der neuen Technologie des Feld-Endigbt Fairchild bietet neue Serie des Feld-Halts IGBTs die optimale Leistung für Induktions-Heizungs-, UPS-, SMPS- und PFC-Anwendungen an, in denen niedrige Leitung und Schaltungsverluste wesentlich sind.
Absolute Maximalleistungen
| Symbol | Beschreibung | Bewertungen | Einheiten |
| VCES | Kollektor zur Emitter-Spannung | 600 | V |
| VGES | Tor zur Emitter-Spannung | ± 20 | V |
| IC | Kollektorstrom @ TC = 25℃ | 120 | |
| Kollektorstrom @ TC = 100℃ | 60 | ||
| ICM (1) | Pulsierter Kollektorstrom @ TC = 25℃ | 180 | |
| PD | Höchstleistungs-Ableitung @ TC = 25℃ | 378 | W |
| Höchstleistungs-Ableitung @ TC = 100℃ | 151 | W | |
| TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur | -55 bis +150 | ℃ |
| Tstg | Lagertemperaturbereich | -55 bis +150 | ℃ |
| Zeitlimit | Maximaler Führung Temp. zu lötenden Zwecken 1/8" vom Argument für 5 Sekunden | 300 | ℃ |
Anmerkungen: 1: Sich wiederholender Test, Impulsbreite begrenzt durch max. juntion Temperatur
Mechanische Maße
TO-247AB (FKS-PAKET-CODE 001)
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