FGA25N120ANTDTU-Energie Mosfet-Transistor-neuer u. ursprünglicher 1200V NPT Graben IGBT
npn smd transistor
,multi emitter transistor
FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109
Graben IGBT 1200V NPT
Eigenschaften
• Npt-Graben-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient
• Niedrige Sättigungsspannung: VCE (saß), Art = 2.0V @ IC = 25A und TC = 25°C
• Niedriger zugeschalteter Verlust: Eoff, Art = 0.96mJ @ IC = 25A und TC = 25°C
• Extrem erhöhte Lawinenfähigkeit
Beschreibung
Unter Verwendung Fairchild des eigenen Grabenentwurfs und brachte NPT-Technologie, das 1200V NPT IGBT anbietet überlegene Leitung und zugeschaltete Leistungen, hohe Lawinenrauhheit und einfache parallele Operation voran.
Dieses Gerät ist für die Resonanz- oder weiche zugeschaltete Anwendung wie Induktionsheizung, Mikrowellenherd, etc. gut angepasst.
Absolute Maximalleistungen
| Symbol | Beschreibung | FGA25N120ANTD | Einheiten |
| VCES | Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 | V |
| VGES | Tor-Emitter-Spannung | ± 20 | V |
| IC | Kollektorstrom @ TC = 25°C | 50 | |
| Kollektorstrom @ TC = 100°C | 25 | ||
| ICM | Pulsierter Kollektorstrom (Anmerkung 1) | 90 | |
| WENN | Dioden-Dauergleichstrom @ TC = 100°C | 25 | |
| IFM | Dioden-maximaler Vorwärtsstrom | 150 | |
| PD | Höchstleistungs-Ableitung @ TC = 25°C | 312 | W |
| Höchstleistungs-Ableitung @ TC = 100°C | 125 | W | |
| TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur | -55 bis +150 | °C |
| Tstg | Lagertemperaturbereich | -55 bis +150 | °C |
| Zeitlimit |
Maximaler Führung Temp. zu lötenden Zwecken 1/8" vom Argument für 5 Sekunden |
300 | °C |
Mechanische Maße
TO-3PN

