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FGA25N120ANTDTU-Energie Mosfet-Transistor-neuer u. ursprünglicher 1200V NPT Graben IGBT

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Collector-Emitter Voltage:
1200 V
Gate-Emitter Voltage:
± 20 V
Pulsed Collector Current:
90 A
Diode Maximum Forward Current:
150 A
Funktionierende Grenzschichttemperatur:
°C -55 bis +150
Storage Temperature Range:
-55 to +150 °C
Höhepunkt:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Einleitung

FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109

Graben IGBT 1200V NPT

Eigenschaften

• Npt-Graben-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient

• Niedrige Sättigungsspannung: VCE (saß), Art = 2.0V @ IC = 25A und TC = 25°C

• Niedriger zugeschalteter Verlust: Eoff, Art = 0.96mJ @ IC = 25A und TC = 25°C

• Extrem erhöhte Lawinenfähigkeit

Beschreibung

Unter Verwendung Fairchild des eigenen Grabenentwurfs und brachte NPT-Technologie, das 1200V NPT IGBT anbietet überlegene Leitung und zugeschaltete Leistungen, hohe Lawinenrauhheit und einfache parallele Operation voran.

Dieses Gerät ist für die Resonanz- oder weiche zugeschaltete Anwendung wie Induktionsheizung, Mikrowellenherd, etc. gut angepasst.

Absolute Maximalleistungen

Symbol Beschreibung FGA25N120ANTD Einheiten
VCES Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V
VGES Tor-Emitter-Spannung ± 20 V
IC Kollektorstrom @ TC = 25°C 50
Kollektorstrom @ TC = 100°C 25
ICM Pulsierter Kollektorstrom (Anmerkung 1) 90
WENN Dioden-Dauergleichstrom @ TC = 100°C 25
IFM Dioden-maximaler Vorwärtsstrom 150
PD Höchstleistungs-Ableitung @ TC = 25°C 312 W
Höchstleistungs-Ableitung @ TC = 100°C 125 W
TJ Funktionierende Grenzschichttemperatur -55 bis +150 °C
Tstg Lagertemperaturbereich -55 bis +150 °C
Zeitlimit

Maximaler Führung Temp. zu lötenden Zwecken

1/8" vom Argument für 5 Sekunden

300 °C

Mechanische Maße

TO-3PN

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