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SPW35N60CFD-Energie Mosfet-Transistor, CoolMOSTM-Leistungstransistor

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Channel 600 V 34.1A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Pulsed drain current:
85 A
Avalanche current, repetitive t AR:
20 A
Drain source voltage slope:
80 V/ns
Reverse diode dv /dt:
40 V/ns
Power dissipation:
313 W
Operating and storage temperature:
-55 to 150 °C
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung


CoolMOSTM-Leistungstransistor

Eigenschaften PG-TO247
• Neue revolutionäre Hochspannungstechnik
• Tatsächliche Schnellwiederaufnahmekörperdiode
• Extrem - niedrige Rückwiederaufnahmegebühr
• Ultra niedrige Torgebühr
• Extremes dv /dt veranschlagte
• Hohe Spitzenstromfähigkeit
• Periodische Lawine veranschlagte
• Qualifiziert entsprechend JEDEC1) für Zielanwendungen
• Pb-freier Führungsüberzug; RoHS konform

Produkt-Zusammenfassung

VDS 600 V
RDS (an), maximal 0,118
Identifikation 34



Maximalleistungen, an °C T J =25, wenn nicht anders angegeben

Parameter Symbol Bedingungen Wert Einheit
Ununterbrochener Abflussstrom ICH D °C T C=25 34,1
°C T C=100 21,6
Pulsierter Abflussstrom2) I D, Impuls °C T C=25 85
Lawinenenergie, Einzelimpuls E-AS I D=10 A, V DD=50 V 1300 mJ
Lawinenenergie, sich wiederholendes t AR 2), 3) E AR I D=20 A, V DD=50 V 1 mJ
Lawine gegenwärtig, sich wiederholendes t AR 2), 3) ICH AR 20
Lassen Sie Quellspannungssteigung ab dv /dt

I D=34.1 A,

V DS=480 V, °C T J =125

80 V/ns
Rückdiode dv /dt dv /dt

I S=34.1 A, V DS=480 V,

°C T J =125

40 V/ns
Maximale Diodenumwandlungsgeschwindigkeit di /dt 600 A/µs
Gate-Source-Spannung V GS statisch ±20 V
Wechselstrom (f >1 Hz) ±30 V
Verlustleistung P-Knirps °C T C=25 313 W
Funktionieren und Lagertemperatur T J, t-stg -55… 150 °C


PG-TO247-3-21-41


Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Q'ty MFG D/C Paket
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