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N-Kanal Zener schützte Super-MESHTM-Energie MOSFET, STF13NK50Z

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Drain-source voltage:
500 V
Tor-Quellspannung:
± 30 V
Drain current (continuous) at TC = 25 °C:
11 A
Drain current (pulsed):
44 A
Peak diode recovery voltage slope:
4.5 V/ns
Operating junction temperature:
-55 to 150 °C
Höhepunkt:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Einleitung


STF13NK50Z, STP13NK50Z, STW13NK50Z

N-Kanal 500 V, 0,40 Ω, 11 ein TO-220, TO-220FP, TO-247 Zener-schützte SuperMESHTM-Energie MOSFET

Eigenschaften

Art VDSS RDS (an) maximal Identifikation Pw
STF13NK50Z 500 V <0> 11 A 30 W
STP13NK50Z 500 V <0> 11 A 140 W
STW13NK50Z 500 V <0> 11 A 140 W


■Extrem hohe dv-/dtfähigkeit
■Lawine 100% prüfte
■Torgebühr herabgesetzt
■Sehr niedrige tatsächliche Kapazitanzen
■Sehr gut, Wiederholbarkeit herstellend

Anwendungen
Zugeschaltete Anwendung

Beschreibung
Die SuperMESH™-Reihe wird durch eine extreme Optimierung gut eingerichteten Streifen-ansässigen PowerMESH™-Plans St. erhalten. Zusätzlich zu Aufwiderstand erheblich runterdrücken, wird besondere Sorgfalt angewendet, um eine sehr gute dv-/dtfähigkeit für die forderndsten Anwendungen sicherzustellen. Solche Reihe nzt St.-vollständige Auswahl von Hochspannungsmosfets ergä.

Absolute Maximalleistungen

Symbol Parameter Wert Einheit
TO-220, TO-247 TO-220FP
VDS Abfluss-Quellspannung (VGS = 0) 500 V
VGS Tor-Quellspannung ± 30 V
Identifikation Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = °C 25 ab 11 11(1)
Identifikation Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) am °C TC=100 ab 6,93 6.93(1)
IDM (2) Abflussstrom (pulsiert) 44 44(1)
PTOT Gesamtableitung an TC = °C 25 140 30 W
Herabsetzen des Faktors 1,12 0,24 W/°C
dv/dt (3) Höchstdiodenwiederaufnahme-Spannungssteigung 4,5 V/ns
VISO Isolierungswiderstandsspannung (Effektivwert) von allen drei führt zu externe Hitzesünde (t=1 s; °C) TC= 25 2500 V

TJ

Tstg

Funktionierende Grenzschichttemperatur

Lagertemperatur

-55 bis 150 °C

1. Begrenzt nur durch die maximale Temperatur gewährt
2. Impulsbreite begrenzt durch sicheres Geschäftsfeld
3. ISD-≤ 11 A, di-/dt≤ 200 A/µs, VDD-≤ 80% V (BR) DSS



Internes schematisches Diagramm



Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Q'ty MFG D/C Paket
LTC4054LES5-4.2 6786 LINEAR 14+ SOT23-6
ADA4627-1BRZ 6782 ANZEIGE 15+ SOP-8
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