N - KANAL Zener schützte SuperMESH-⑩Energie Mosfet-Transistor STP10NK80ZFP
npn smd transistor
,multi emitter transistor
STP10NK80Z - STP10NK80ZFP
STW10NK80Z
N-KANAL 800V - 0.78Ω - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-schützte SuperMESH™Power MOSFET
| ART | VDSS | RDS (an) | Identifikation | Pw |
STP10NK80Z STP10NK80ZFP STW10NK80Z | 800 V 800 V 800 V | < 0=""> < 0=""> < 0=""> | 9 A 9 A 9 A | 160 W 40 W 160 W |
■TYPISCHES RDS (an) = 0,78 Ω
■EXTREM HOHE dv-/dtfähigkeit
■LAWINE 100% PRÜFTE
■TOR-GEBÜHR SETZTE HERAB
■NIEDRIGE TATSÄCHLICHE KAPAZITANZEN
■GUTES HERSTELLUNGSrepeatibility
BESCHREIBUNG
Die SuperMESH™-Reihe wird durch eine extreme Optimierung gut eingerichteten stripbased PowerMESH™-Plans St. erhalten. Zusätzlich zu Aufwiderstand erheblich runterdrücken, wird besondere Sorgfalt angewendet, um eine sehr gute dv-/dtfähigkeit für die forderndsten Anwendungen sicherzustellen. Solche Reihe nzt St.-vollständige Auswahl von Hochspannungsmosfets einschließlich revolutionäre MDmesh™-Produkte ergä.
ANWENDUNGEN
■HOHER STROM, HOCHGESCHWINDIGKEITSschaltung
■SCHALTER-MODUS-STROMVERSORGUNG
■DC-AC KONVERTER FÜR SCHWEISSEN, UPS UND MOTORANTRIEB
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN
| Symbol | Parameter | Wert | Einheit | ||
| STP10NK80Z | STP10NK80ZFP | STW10NK80Z | |||
| VDS | Abfluss-Quellespannung (VGS = 0) | 800 | V | ||
| VDGR | Abfluss-Tor Spannung (RGS = kΩ 20) | 800 | V | ||
| VGS | Gate-Source-Spannung | ± 30 | V | ||
| Identifikation | Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 25°C ab | 9 | 9 (*) | 9 | |
| Identifikation | Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 100°C ab | 6 | 6 (*) | 6 | |
| IDM (•?) | Abfluss-Strom (pulsiert) | 36 | 36 (*) | 36 | |
| PTOT | Gesamtableitung an TC = 25°C | 160 | 40 | 160 | W |
| Herabsetzen des Faktors | 1,28 | 0,32 | 1,28 | W/°C | |
| VESD (G-S) | Torquelle ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 4 | KV | ||
| dv/dt (1) | Höchstdioden-Wiederaufnahmespannungssteigung | 4,5 | V/ns | ||
| VISO | Isolierungs-Widerstands-Spannung (DC) | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | Funktionierende Grenzschichttemperatur Lagertemperatur | -55 bis 150 -55 bis 150 | °C | ||
(? •) Impulsbreite begrenzt durch sicheres Geschäftsfeld
(1) ISD ≤9A, di/dt ≤200A/µs, VDD-≤ V (BR) DSS, Tj-≤ TJMAX.
(*) begrenzte nur durch die maximale gewährte Temperatur
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Q'ty | MFG | D/C | Paket |
| LB1240 | 6500 | AUF | 14+ | DIP18 |
| A4982SLPTR-T | 6500 | ALLEGRO | 15+ | TSSOP-24 |
| ADS1110A0IDBVR | 6494 | TI | 15+ | SOT23-6 |
| AD8655ARZ | 6490 | ANZEIGE | 15+ | SOP-8 |
| MAX3072EESA+ | 6489 | MAXIME | 13+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| ATMEGA32-16AU | 6489 | ATMEL | 15+ | QFP44 |
| MAX3100CEE+ | 6481 | MAXIME | 14+ | SSOP |
| MAX4714EXT | 6480 | MAXIME | 15+ | TRUNKENBOLD |
| AD8676ARZ | 6476 | ANZEIGE | 15+ | SOP-8 |
| LA7911 | 6475 | SANYO | 15+ | DIP-16 |
| ADP1710AUJZ-R7 | 6462 | ANZEIGE | 14+ | SOT23 |
| LA3600 | 6450 | SANYO | 10+ | DIP-16 |
| L6221C | 6425 | St. | 13+ | DIP-16 |
| MAX8211ESA+ | 6419 | MAXIME | 13+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| PIC10F222T-I/OT | 6409 | MIKROCHIP | 14+ | TRUNKENBOLD |
| LT3572EUF#PBF | 6408 | LINEAR | 14+ | QFN |
| L293B | 6400 | St. | 12+ | DIP16 |
| MAX3077EESA | 6390 | MAXIME | 12+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MBI5039GP | 6387 | MBI | 15+ | SSOP |
| MPC801KG | 6375 | BB | 14+ | BAD |
| PIC16F1828-I/SS | 6374 | MIKROCHIP | 15+ | SSOP |
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC