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FET BUK9507-30B Elektronik-Teiltransistor-Energie Mosfet-Transistor TrenchMOS-logischen Zustandes

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 157W (Tc) Through Hole TO-220AB
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
drain-source voltage:
30 V
drain-gate voltage:
30 V
gate-source voltage:
±15 V
Höchstabflussstrom:
435 A
total power dissipation:
157 W
storage temperature:
−55 to +175 °C
Höhepunkt:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Einleitung

BUK95/9607-30B

FET TrenchMOS™-logischen Zustandes

Beschreibung

N-Kanalanreicherungstyp-Feldwirkungsleistungstransistor in einem Plastikpaket unter Verwendung Technologie Philips High-Performance Automotives (HPA) TrenchMOS™.

Produktverfügbarkeit:

BUK9507-30B in SOT78 (TO-220AB)

BUK9607-30B in SOT404 (D2-PAK).

Eigenschaften

Niedriger Durchlasswiderstand

■Q101 konform

■°C 175 veranschlagte

■Logischer Zustand kompatibel.

Anwendungen

Automobilsysteme

■12 v-Lasten

■Motoren, Lampen und Solenoide

■Universelle Energieschaltung.

Schnellnachweisdaten

≤ 327 mJ EDS (AL) S

RDSon = mΩ 5,9 (Art)

■IDENTIFIKATIONS-≤ 75 A

■Ptot-≤ 157 W.

Grenzwerte

In Übereinstimmung mit dem absoluten Maximalleistungs-System (Iec 60134).

Symbol Parameter Bedingungen Minute Maximal Einheit
VDS Abflussquellspannung (DC) - 30 V
VDGR Abflusstorspannung (DC) RGS = kΩ 20 - 30 V
VGS Torquellspannung (DC) - ±15 V
Identifikation Abflussstrom (DC)

Tmb = °C 25; VGS = 5 V;

Abbildung 2 und 3

[1] - 108
[2] - 75

Tmb = °C 100; VGS = 5 V;

Abbildung 2

[1] - 75
IDM Höchstabflussstrom

Tmb = °C 25; pulsiert; TP-≤ 10 µs;

Abbildung 3

- 435
Ptot Gesamtleistungsableitung Tmb = °C 25; Abbildung 1 - 157 W
Tstg Lagertemperatur -55 +175 °C
Tj Grenzschichttemperatur -55 +175 °C

[1] Strom wird durch Verlustleistungschipbewertung begrenzt.

[2] wird stationärer Gleichstrom durch Paket begrenzt.

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Q'ty MFG D/C Paket
AT42QT1040-MMH 4187 ATMEL 15+ VQFN-20
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