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MGW12N120D-Energie Mosfet-Transistor-Isolierschichtbipolar transistor mit anti-paralleler Diode

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
IGBT
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 VDC
Kollektor-Tor-Spannung (RGE = 1,0 MΩ):
1200 VDC
Tor-Emitter-Spannung — Ununterbrochen:
± 20 VDC
Gesamtleistungs-Ableitung @ TC = 25°C:
125 Watt
Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke:
– °C 55 bis 150
Kurzschluss-Widerstands-Zeit:
10 μs
Höhepunkt:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Einleitung


Isolierschichtbipolar transistor mit anti-paralleler Diode
N-Kanal-Anreicherungstyp-Silikon-Tor

IGBT U. DIODE IN TO-247
12 A @ 90°C
20 A @ 25°C
1200 VOLT
KURZSCHLUSS VERANSCHLAGT

Dieses Isolierschichtbipolar transistor (IGBT) wird mit einem ultraschnellen Gleichrichter der weichen Wiederaufnahme mit-verpackt und einen Entwurf der modernen Beendigung verwendet, um eine erhöhte und zuverlässige hohe Spannung-blockierende Fähigkeit zur Verfügung zu stellen. Kurzschluss veranschlagte IGBT werden entsprochen speziell für die Anwendungen, die einen garantierten Kurzschluss erfordern, Zeit wie Motorsteuerungs-Antriebe zu widerstehen. Schnelle Schaltcharakteristik ergibt leistungsfähige Operation an den Kurzwellen. Abwehrraum Mit-verpackten IGBTS, verringern Montagezeit und Kosten.

• Industriekompatibles Paket der hohen Leistung TO-247 mit lokalisiertem Entlüftungsloch
• Hochgeschwindigkeits-Eoff: 150? J/A typisch an 125°C
• Hohe Kurzschluss-Fähigkeit – 10? s-Minimum
• Weiche Wiederaufnahme-freie drehende Diode ist im Paket eingeschlossen
• Robuste Hochspannungsbeendigung
• Robustes RBSOA

MAXIMALLEISTUNGEN (TJ = 25°C wenn nicht anders vermerkt)

Bewertung Symbol Wert Einheit
Kollektor-Emitter-Spannung VCES 1200 VDC
Kollektor-Tor-Spannung (RGE = 1,0 MΩ) VCGR 1200 VDC
Tor-Emitter-Spannung — Ununterbrochen VGE ± 20 VDC

Kollektorstrom — Ununterbrochen @ TC = 25°C

— Ununterbrochen @ TC = 90°C

— Sich wiederholendes pulsiertes gegenwärtiges (1)

IC25

IC90

ICM

20

12

40

VDC

Apk

Gesamtleistungs-Ableitung @ TC = 25°C

Setzen Sie über 25°C herab

PD

125

0,98

Watt

W/°C

Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke TJ, Tstg – 55 bis 150 °C

Kurzschluss-Widerstands-Zeit

(VCC = 720 VDC, VGE = 15 VDC, TJ = 125°C, RG = Ω 20)

tsc 10 ? μs

Thermischer Widerstand — Kreuzung, zum – von IGBT zu umkleiden

— Kreuzung, zum – der Diode zu umkleiden

— Kreuzung zu umgebendem

RθJC

RθJC

RθJA

1,0

1,4

45

°C/W
Maximale Führungs-Temperatur zu lötenden Zwecken, 1/8 ″ vom Argument für 5 Sekunden Zeitlimit 260 °C
Befestigung Drehmoment, 6-32 oder Schraube M3 lbf* 10? in (N 1,13? *m)

(1) wird Impulsbreite durch maximale Grenzschichttemperatur begrenzt. Sich wiederholende Bewertung.

GEHÄUSEABMESSUNGEN



Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Q'ty MFG D/C Paket
L9616D 3785 St. 15+ SOP8
LM7818CT 7181 NSC 14+ TO-220
2MBI100N-060 418 FUJI 12+ MODUL
PMBS3904 60000 14+ SOT-23
MT41K128M16JT-125: K 7044 MIKROMETER 14+ BGA
P80C31BH-1 9620 INTEL 16+ BAD
LXT906PC 4933 LEVELONE 16+ PLCC
LTC3440EMS 6740 LT 16+ MSOP
MAX3232EIPWR 11650 TI 14+ TSSOP
BTA24-600BW 10000 St. 15+ TO-220
MSP430G2231IPW14R 6841 TI 16+ TSSOP
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