MGW12N120D-Energie Mosfet-Transistor-Isolierschichtbipolar transistor mit anti-paralleler Diode
npn smd transistor
,silicon power transistors
Isolierschichtbipolar transistor mit anti-paralleler Diode
N-Kanal-Anreicherungstyp-Silikon-Tor
IGBT U. DIODE IN TO-247
12 A @ 90°C
20 A @ 25°C
1200 VOLT
KURZSCHLUSS VERANSCHLAGT
Dieses Isolierschichtbipolar transistor (IGBT) wird mit einem ultraschnellen Gleichrichter der weichen Wiederaufnahme mit-verpackt und einen Entwurf der modernen Beendigung verwendet, um eine erhöhte und zuverlässige hohe Spannung-blockierende Fähigkeit zur Verfügung zu stellen. Kurzschluss veranschlagte IGBT werden entsprochen speziell für die Anwendungen, die einen garantierten Kurzschluss erfordern, Zeit wie Motorsteuerungs-Antriebe zu widerstehen. Schnelle Schaltcharakteristik ergibt leistungsfähige Operation an den Kurzwellen. Abwehrraum Mit-verpackten IGBTS, verringern Montagezeit und Kosten.
• Industriekompatibles Paket der hohen Leistung TO-247 mit lokalisiertem Entlüftungsloch
• Hochgeschwindigkeits-Eoff: 150? J/A typisch an 125°C
• Hohe Kurzschluss-Fähigkeit – 10? s-Minimum
• Weiche Wiederaufnahme-freie drehende Diode ist im Paket eingeschlossen
• Robuste Hochspannungsbeendigung
• Robustes RBSOA
MAXIMALLEISTUNGEN (TJ = 25°C wenn nicht anders vermerkt)
Bewertung | Symbol | Wert | Einheit |
Kollektor-Emitter-Spannung | VCES | 1200 | VDC |
Kollektor-Tor-Spannung (RGE = 1,0 MΩ) | VCGR | 1200 | VDC |
Tor-Emitter-Spannung — Ununterbrochen | VGE | ± 20 | VDC |
Kollektorstrom — Ununterbrochen @ TC = 25°C — Ununterbrochen @ TC = 90°C — Sich wiederholendes pulsiertes gegenwärtiges (1) |
IC25 IC90 ICM |
20 12 40 |
VDC
Apk |
Gesamtleistungs-Ableitung @ TC = 25°C Setzen Sie über 25°C herab |
PD |
125 0,98 |
Watt W/°C |
Funktionierenund Speichergrenzschichttemperatur-Strecke | TJ, Tstg | – 55 bis 150 | °C |
Kurzschluss-Widerstands-Zeit (VCC = 720 VDC, VGE = 15 VDC, TJ = 125°C, RG = Ω 20) |
tsc | 10 | ? μs |
Thermischer Widerstand — Kreuzung, zum – von IGBT zu umkleiden — Kreuzung, zum – der Diode zu umkleiden — Kreuzung zu umgebendem |
RθJC RθJC RθJA |
1,0 1,4 45 |
°C/W |
Maximale Führungs-Temperatur zu lötenden Zwecken, 1/8 ″ vom Argument für 5 Sekunden | Zeitlimit | 260 | °C |
Befestigung Drehmoment, 6-32 oder Schraube M3 | lbf* 10? in (N 1,13? *m) |
(1) wird Impulsbreite durch maximale Grenzschichttemperatur begrenzt. Sich wiederholende Bewertung.
GEHÄUSEABMESSUNGEN
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
Teilnummer. | Q'ty | MFG | D/C | Paket |
L9616D | 3785 | St. | 15+ | SOP8 |
LM7818CT | 7181 | NSC | 14+ | TO-220 |
2MBI100N-060 | 418 | FUJI | 12+ | MODUL |
PMBS3904 | 60000 | 14+ | SOT-23 | |
MT41K128M16JT-125: K | 7044 | MIKROMETER | 14+ | BGA |
P80C31BH-1 | 9620 | INTEL | 16+ | BAD |
LXT906PC | 4933 | LEVELONE | 16+ | PLCC |
LTC3440EMS | 6740 | LT | 16+ | MSOP |
MAX3232EIPWR | 11650 | TI | 14+ | TSSOP |
BTA24-600BW | 10000 | St. | 15+ | TO-220 |
MSP430G2231IPW14R | 6841 | TI | 16+ | TSSOP |
MJF15031G | 86000 | AUF | 16+ | TO-220 |
MC7805ABD2TR4G | 4072 | AUF | 14+ | TO-263 |
MCP73871-2CCI/ML | 5626 | MIKROCHIP | 16+ | QFN |
MCP1702-5002E/TO | 5050 | MIKROCHIP | 16+ | TO-92 |
NCT3941S-A | 14560 | NUVOTON | 11+ | SOP-8 |
LM308H | 500 | NSC | 11+ | CAN-8 |
M27256-2F1 | 4179 | St. | 16+ | BAD |
LM75AD | 5432 | 14+ | SOP-8 | |
MAX6369KA+T | 4625 | MAXIME | 14+ | TRUNKENBOLD |
PIC16F76T-I/SO | 4988 | MIKROCHIP | 14+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |