Mosfet-Transistor N-KANAL Zener-geschützter SuperMESHPower MOSFET Energie STP10NK70ZFP elektrischer⑩ IC
npn smd transistor
,multi emitter transistor
STP10NK70Z STP10NK70ZFP
N-KANAL 700V - 0.75Ω - 8.6A TO-220/TO-220FP
Zener-geschützter SuperMESH™Power MOSFET
| ART | VDSS | RDS (an) | Identifikation | Pw |
STP10NK70Z STP10NK70ZFP | 700 V 700 V | < 0=""> < 0=""> | 8,6 A 8,6 A | 150 W 35 W |
■TYPISCHES RDS (an) = 0,75 Ω
■EXTREM HOHE dv-/dtfähigkeit
■VERBESSERTE ESD-FÄHIGKEIT
■LAWINE 100% VERANSCHLAGTE
■TOR-GEBÜHR SETZTE HERAB
■NIEDRIGE TATSÄCHLICHE KAPAZITANZEN
■GUTES HERSTELLUNGSrepeatibility
BESCHREIBUNG
Die SuperMESH™-Reihe wird durch eine extreme Optimierung gut eingerichteten stripbased PowerMESH™-Plans St. erhalten. Zusätzlich zu Aufwiderstand erheblich runterdrücken, wird besondere Sorgfalt angewendet, um eine sehr gute dv-/dtfähigkeit für die forderndsten Anwendungen sicherzustellen. Solche Reihe nzt St.-vollständige Auswahl von Hochspannungsmosfets einschließlich revolutionäre MDmesh™-Produkte ergä.
ANWENDUNGEN
■HOHER STROM, HOCHGESCHWINDIGKEITSschaltung
■IDEAL FÜR OFFLINEStromversorgung, ADAPTER UND PFC
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN
| Symbol | Parameter | Wert | Einheit | |
| STP10NK70Z | STP10NK70ZFP | |||
| VDS | Abfluss-Quellespannung (VGS = 0) | 700 | V | |
| VDGR | Abfluss-Tor Spannung (RGS = kΩ 20) | 700 | V | |
| VGS | Gate-Source-Spannung | ± 30 | V | |
| Identifikation | Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 25°C ab | 8,6 | 8,6 (*) | |
| Identifikation | Lassen Sie gegenwärtiges (ununterbrochen) an TC = 100°C ab | 5,4 | 5,4 (*) | |
| IDM (•?) | Abfluss-Strom (pulsiert) | 34 | 34 (*) | |
| PTOT | Gesamtableitung an TC = 25°C | 150 | 35 | W |
| Herabsetzen des Faktors | 1,20 | 0,28 | W/°C | |
| VESD (G-S) | Torquelle ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 4000 | KV | |
| dv/dt (1) | Höchstdioden-Wiederaufnahmespannungssteigung | 4,5 | V/ns | |
| VISO | Isolierungs-Widerstands-Spannung (DC) | - | 2500 | V |
Tj Tstg | Funktionierende Grenzschichttemperatur Lagertemperatur | -55 bis 150 -55 bis 150 | °C °C | |
(•?) Impulsbreite begrenzt durch sicheres Geschäftsfeld
(1) ISD ≤8.6A, di/dt ≤200A/µs, VDD-≤ V (BR) DSS, Tj-≤ TJMAX.
(*) begrenzte nur durch die maximale gewährte Temperatur
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Q'ty | MFG | D/C | Paket |
| MTD1361F | 7506 | SHINDENGE | 10+ | HSOP |
| 8050HQLT1G | 10000 | AUF | 15+ | SOT23 |
| L6470HTR | 1299 | St. | 14+ | TSSOP |
| LM5576MHX | 2483 | NSC | 14+ | TSSOP-20 |
| LT3971EMSE-5#PBF | 3866 | LT | 16+ | MSOP |
| MOC3063SR2M | 5567 | FSC | 14+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| OPA4141AID | 7700 | TI | 12+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| PC2SD11NTZAK | 11300 | SCHARFES | 13+ | BAD |
| MMBT2907A-7-F | 20000 | DIODEN | 16+ | SOT-23 |
| MCP1700T-3302E/TT | 10000 | MIKROCHIP | 16+ | SOT-23 |
| PIC10F202T-I/OT | 8950 | MIKROCHIP | 16+ | TRUNKENBOLD |
| LM2936MX-5.0 | 3000 | NSC | 15+ | SOP-8 |
| PIC24FJ64GA004-I/PT | 4138 | MIKROCHIP | 15+ | TQFP |
| PCF8591T | 13260 | PHILIPS | 16+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| MD1211LG-G | 5830 | SUPERTEX | 16+ | QFN |
| NDS332P | 40000 | FAIRCHILD | 16+ | SOT-23 |
| NCP1117STAT3G | 10000 | AUF | 16+ | SOT-223 |
| SAK-XC164CM-16F40FBA | 500 | 13+ | LQFP-64 | |
| ZTX1053A | 3980 | ZETEX | 13+ | TO-92S |
| M29F200BB-70N6 | 3841 | St. | 16+ | TSSOP |
| OPA347NA | 7440 | TI | 14+ | SOT23-5 |
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC