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IRF9540NPBF 3 Pin Transistor, greller Chip Power IC-integrierter Schaltung MOSFET

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
P-Channel 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Temperature Range:
-55°C to +170°C
Payment Term:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
10V
Current:
43A
Package:
TO-220
Factory Package:
TUBE
Höhepunkt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Einleitung

IRF2807 IC-Elektronik-Energie MOSFET Chip der integrierten Schaltung des Transistor-greller IC

Ertrag-Eigenschaften:

L brachte Verfahrenstechnik voran

L dynamische dv-/dtbewertung

L 175°C-Betriebstemperatur

L schnelle Schaltung

L P-Kanal L völlig Lawine veranschlagt

Schlüsselspezifikationen:

Fünfte Generation HEXFETs vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen.

Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, die HEXFET-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen.

Das Paket TO-220 wird allgemeinhin für alle Handels-industriellen Anwendungen auf Verlustleistungsniveaus zu ungefähr 50 Watt bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und niedrigen die Paketkosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Annahme während der Industrie bei

Absolute Maximalleistungen

Identifikation @ ununterbrochener Strom des Abfluss-TC = 25°C, VGS @ 10V

82 ‡ Identifikation @ ununterbrochener Strom des Abfluss-TC = 100°C, VGS @ 10V 58 A

Pulsierte IDM lassen gegenwärtiges  280 PD @TC = 25°C ab

Lineare das Herabsetzen der Verlustleistungs-230 W stellen Faktor bei 1,5 W/°C dar

VGS-Tor-zu-Quellspannung ± 20 V

IAR-Lawine gegenwärtiges  43 A

OHR sich wiederholendes Lawinen-Energie  23 mJ dv/dt

Höchstdioden-Wiederaufnahme dv/dt ƒ 5,9 V/ns TJ

Funktionierende Kreuzung und -55 bis + 175

TSTG-Lagertemperaturbereich-Löttemperatur, für 10 Sekunden 300 (1.6mm vom Fall) °C, das Drehmoment anbriCM GROUP, 6-32 oder srew M3 10 lbF•in (1.1N•m)

Ein Teil der Bestandsliste

KAPPE 0603 56PF 16V 0603N560K160CT WALSIN 16/04/27 SMD0603
C.I SP3203ECY-L/TR SIPEX 0616 TSSOP-20
C.I AT89S52-24PU ATMEL 1602 DIP-40
DIODO M7 MIC 1625 SMA
DIODO BZX84C15LT1G AUF 1630/Y4 SOT-23
MMBD4148-7-F DIODEN 1617/KA2 SOT-23
TRANSPORT MMBTA42LT1G AUF 1635/1D SOT-23
DIODO. BYG20J-E3/TR VISHAY 1632 SMA
TRANSPORT NDD04N60ZT4G AUF 1143/A43/4N60ZG TO-252
C.I UBA3070T 1333 SOP-8
KAPPE 0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D MURATA IA6026DP4 SMD0402
KAPPE 0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D MURATA IA6026DP4 SMD0402
KAPPE 0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D MURATA IA6009DI8 SMD0402
KAPPE ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 NANTUNG    
KAPPE 0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T TAIYOYUDEN 1609 SMD0805
OPTO 4N25M FSC 637Q DIP-6
TRIAC BT151-500R 603 TO-220

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