IRFP9140N-Transistorkomponenten, -elektronische Geräte und -integrierte Schaltungen
npn smd transistor
,silicon power transistors
IRFP9140N-Transistorkomponenten, -elektronische Geräte und -integrierte Schaltungen
Beschreibung
Fünfte Generation HEXFETs vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen.
Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, die HEXFET-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen.
Das Paket TO-247 wird für commercialindustrial Anwendungen bevorzugt, in denen höhere Leistungspegel den Gebrauch von Geräten TO-220 ausschließen. Das TO-247 ist ähnlich aber dem früheren Paket TO-218 wegen seines lokalisierten Entlüftungslochs überlegen.
Eigenschaften
L brachte Verfahrenstechnik voran
L dynamische dv-/dtbewertung
L 175°C-Betriebstemperatur
L P-Kanal L schnelle Schaltung
L völlig Lawine veranschlagt
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| Res 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| Res 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MIKROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | SCHARFES | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORT 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MIKROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | St. | 135 | SOP-24 |
| KAPPE 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| KAPPE ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | PAN | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MIKROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| KAPPE ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| KAPPE CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| KAPPE CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| Res 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| FALL 0805RC0805JR-073K3L RES 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | St. | 628 | TO-3P |
| KAPPE 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ -10V -23 Identifikation @ TC = 100°C
Ununterbrochener Abfluss-Strom, VGS @ -10V -16 A
Pulsierte IDM lassen gegenwärtiges -76 PD @TC = 25°C ab
Lineare das Herabsetzen der Verlustleistungs-140 W stellen Faktor bei 0,91 W/°C dar
VGS-Tor-zu-Quellspannung ± 20 V
EAS-Einzelimpuls-Lawinen-Energie 430 mJ
IAR-Lawine gegenwärtiges -11 A
OHR sich wiederholendes Lawinen-Energie 14 mJ dv/dt
Höchstdioden-Wiederaufnahme dv/dt -5,0 V/ns
TJ funktionierende Kreuzung und -55 zu + 175 TSTG
Lagertemperaturbereich-Löttemperatur, für 10 Sekunden 300 (1.6mm vom Fall) °C
AOZ1021AI Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL
AOZ1210AI Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL
TNY274GN Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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AOZ1021AI Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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AOZ1210AI Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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TNY274GN Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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