N-Kanal-Energie MOSFET der IRFP150N-Transistor-Elektronik-Komponentenelektronischen geräte
npn smd transistor
,multi emitter transistor
IRFP150N-Transistor-Elektronik-Komponentenelektronische geräte
N-Kanal-Energie MOSFET
Eigenschaften
• Ultra niedriger Auf-Widerstand - RDS (AN) = 0.030Ω, VGS = 10V
• Simulations-Modelle
- Temperaturkompensierte elektrische Modelle PSPICE™ und SABER©
- Gewürz und thermische Widerstand-Modelle SABER©
- www.fairchildsemi.com
• Spitzenstrom gegen Impuls-Breiten-Kurve
• UIS-Eichkurve
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| Res 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| Res 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MIKROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | SCHARFES | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORT 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MIKROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | St. | 135 | SOP-24 |
| KAPPE 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| KAPPE ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | PAN | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MIKROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| KAPPE ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| KAPPE CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| KAPPE CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| Res 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| FALL 0805RC0805JR-073K3L RES 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | St. | 628 | TO-3P |
| KAPPE 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Absolute Maximalleistungen TC = 25oC, wenn nicht anders angegeben
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Anmerkung 1)……………………. VDSS 100 V
Lassen Sie ab, um Spannung mit einem Gatter zu versehen (RGS = 20kΩ) (Anmerkung 1)……………… VDGR 100 V
Tor zur Quellspannung…………………. ………. VGS ±20 V
Lassen Sie gegenwärtiges ununterbrochenes ab (TC= 25oC, VGS = 10V) (Tabelle 2)…. ………… IDENTIFIKATION
Ununterbrochen (TC= 100oC, VGS = 10V) (Tabelle 2)………… Identifikation
Pulsierter Abfluss-Strom……………………. .IDM 44 31
Abbildung 4 eine A pulsierte Lawinen-Bewertung………………… .UIS
Tabellen 6, 14, Verlustleistung 15………………… PD
Setzen Sie über 25oC…………………… 155 1,03 W W/oC herab
Funktionieren und Lagertemperatur……… TJ, TSTG -55 bis 175 OC
Maximale Temperatur für lötende Führungen bei 0.063in (1.6mm) vom Argument für 10s. …. .TL
Paket-Körper für 10s, sehen Techbrief TB334……… Tpkg 300 260 OC OC
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC