Neuer/ursprünglicher Mosfet-Transistor Energie NPN ZWEIPOLIGER 120 Volt 0,5 Ampere 2N1893
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-5AA
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Collector Current:
0.5 mA
Collector-Base Voltage:
120
Fast Switching:
30 nS
Meets:
MIL-S-19500/182
Höhepunkt:
electronic pressure sensors
,hall effect sensor ic
Einleitung
| BEWERTUNG | SYMBOL | MAXIMUM. | EINHEIT |
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCEO | 80 | VDC |
| Kollektor-Emitter-Spannung | VCER | 100 | VDC |
| Kollektor-Basis-Spannung | VCBO | 120 | VDC |
| Emitter-Basis-Spannung | VEBO | 7,0 | VDC |
| Kollektorstrom - ununterbrochen | IC | 0,5 | ADC |
| Gesamtgerät-Ableitung @ T A = 25oC setzen über 25oC herab | PD | 0,8 | Watt mW/oC |
| Gesamtgerät-Ableitung @ T C = 25oC setzen über 25oC herab | PD | 3,0 | Watt mW/oC |
| Betriebstemperaturbereich | TJ | -55 bis +200 | OC |
| Lagertemperaturbereich | TS | -55 bis +200 | OC |
| Thermischer Widerstand, Kreuzung zu umgebendem | RqJA | 219 | oC/W |
| Thermischer Widerstand, zu umkleiden Kreuzung | RqJA | 58 | oC/W |
Mechanischer Entwurf
| EIGENSCHAFTEN | SYMBOL | Min. | ART. | MAXIMUM. | EINHEIT |
| Weg von den Eigenschaften | |||||
| Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung (I C = 100 mAdc, RBE = 10 Ohm) (1) | BVCER | 100 | -- | ||
| Kollektor-Emitter Stützungsspannung (1) (I C = 30 mAdc, IB = 0) (1) | BVCEO | 80 | -- | ||
| Kollektor-Basis Durchbruchsspannung (I C = 100 mAdc, IE = 0) | BV (BR) CBO | 120 | -- | VDC | |
| Emitter-Basis-Durchbruchsspannung (IE = 100 mAdc, IC = 0) | BV (BR) CBO | 7,0 | -- | ||
| Kollektor-Reststrom (V COLUMBIUM = 90 VDC, IE = 0) (V COLUMBIUM = 90 VDC, IE = 0, TA = 150o C) | ICBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| Emitter-Reststrom (VEB = 5,0 VDC, IC = 0) | IEBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| Auf Eigenschaften | |||||
| D.C. Current Gain (IC = 0,1 mAdc, VCE = 10 VDC) (I C = 10mAdc, VCE = 10 VDC) (1) (I C = 10mAdc, VCE = 10 VDC, TA = -55o C) (1) (I C = 150mAdc, VCE = 10 VDC) (1) | hFE | 20 | -- | -- | |
| Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung (1) (IC = 150 mAdc, IB = mAdc 15) | VCE (SAT) | -- | 0,5 | VDC | |
| Grundsender-Sättigungs-Spannung (1) (IC = 150 mAdc, IB = mAdc 15) | VCE (SAT) | -- | 1,3 | VDC | |
| Größe des vorderen Liquiditätsgrads des differenziellen Kurzschlusses (I C = 50 mAdc, VCE = 10 VDC, f = 20 MHZ) | /hfe/ | 3 | 10 | ||
| Ausgangskapazität (V COLUMBIUM = 10 VDC, IE = 0, f = 1,0 MHZ) | COBO | 5 | 15 | PF | |
| Eingangsimpedanz = (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 VDC, f = 1.0kHz) | hib | 4,0 | 8,0 | Ohm | |
| Spannungs-Feedback-Verhältnis (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 VDC, f = 1,0 kHz) | hrb | -- | 1,5 | X 10-4 | |
| Differenzielle Stromverstärkung (I c = 1,0 mAdc, VcB = 5.0Vdc, f = 1,0 kHz) (I C = mAdc 5,0, VCB = 10 VDC, f = 1,0 kHz) | hfe | 35 | 100 | -- | |
| Ausgangsscheinleitwert (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 VDC, f = 1,0 kHz) | Gewindebohrer | -- | 0,5 | mmho | |
| Impulsantwort (Vcc = 20Vdc, IC = 500mAdc) | Tonne + tof | -- | 30 | ns |
(1) Impuls-Test: Impuls-Breite £ 300 Frau, Arbeitszyklus £ 2,0%.
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