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MT9M021IA3XTC TQFP-64, das grelle IC-Elektronik CMOS, synthesizer Chip der integrierten Schaltung 125 DDS MHZ kompletter programmiert

fabricant:
Semi-ON / Semi-Katalysator
Beschreibung:
CMOS mit Prozessor-Bild-Sensor 1280H x 960V 3.75µm x 3.75µm 63-IBGA (9x9)
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Temperaturspanne:
0°C zu 70°C
Zahlungsbedingung:
T/T, Paypal, Western Union
Spannung:
3V zu +3,6 V
Gegenwärtig:
10mA
Paket:
CLCC-46
Fabrik-Paket:
Behälter
Höhepunkt:

temperature sensor ic

,

electronic pressure sensors

Einleitung

MT9M021IA3XTC

1/2-Inch Megapixel CMOS Digitalbild-Sensor

Eigenschaften

• Bildgebungstechnologie DigitalClarity™ CMOS

• Reihen-Format (5: 4): 1,280H x 1,024V (1.310.720 aktive Pixel).

Summe (einschließlich dunkle Pixel): 1,312H x 1,048V (1.374.976 Pixel)

• Rahmen-Rate: 30 fps progressiver Scan; programmierbar

• Fensterladen: Elektronischer rollender Fensterladen (ERS)

• Fenster-Größe: SXGA; programmierbar zu irgendeinem kleineren Format (VGA, QVGA, CIF, QCIF, etc.)

• Programmierbare Kontrollen: Gewinn, Rahmenrate, Rahmengröße Anwendungen

• Digital-Fotokameras

• Digital-Videokameras

• PC-Kameras

Allgemeine Beschreibung

Die Micron®-Darstellung MT9M001 ist ein SXGA-Format mit einem 1/2-inch CMOS Aktivpixeldigitalbild-Sensor. Die aktive Darstellungspixelreihe von 1,280H x 1,024V. Es enthält hoch entwickelten Kamerafunktionsaufchip wie Fenstertechnik, Spalten- und Reihensprungsmodus und Schnappschussmodus. Es ist eine einfache serielle Zweidrahtschnittstelle programmierbares durchgehendes. Dieser megapixel CMOS-Bild-Sensor kennzeichnet der Durchbruch der DigitalClarity-Mikrometer lärmarme CMOS-Bildgebungstechnologie, die die CCD-Bildqualität (basiert auf Empfindlichkeit des störsignalisierenden Verhältnisses und des Restlichts) beim Beibehalten der inhärenten Größe, der Kosten und der Integrationsvorteile von CMOS erzielt.

Ein Teil der Bestandsliste

S210 FAIRCHILD AC32/B1632AB DO-214AA
S310 FAIRCHILD AG30/B1630AB DO-214AB
TS5A3160DBVR TI JAKR SOT-23-6
MT9V024IA7XTM AUF HBBTJ/074B BGA
CY7C68013A-56LTXC ZYPRESSE 1631 QFN-56
R1LP0108ESP-7SI RENESAS 2212ZC04 SOP-32
AN7812 PANASONIC 423 TO-220
DP83848VV VBC NSC VM87AB LQFP-48
OP747 ARU Fluglageanzeiger #447 TSSOP-14
TLP281-4 TOSHIBA 1520 SOP-16
US90AEVK MELEXIS S90/8555 3-PIN
ADS1230IPW TI 63T/AESJ TSSOP-16
CC0603KRX7R9BB104 YAGEO 1639 SMD0603
TL431ACDR TI 1632+5/68 SOP-8
RC0603FR-07100KL YAGEO 1636 SMD0603+
RC0603FR-071KL YAGEO 1636 SMD0603+
RL1206FR-070R05L YAGEO 1639 SMD1206
RC0603FR-0710KL YAGEO 1639 SMD0603+
RC1206JR-074K7L YAGEO 1632 SMD1206
LM2904DR2G AUF 1604 SOP-8
ATMEGA2560-16AU ATMEL 1641 QFP-100
74HCT14D 1608 SOP-14
74HCT1G125GW TM SOT23-5
IRF4435 IR 513M SOP-8
ESP8266 ESOP-07 ESPRESSIF 16+ MODUL
SIM900A SIMCOM 1546 GPRS
SMF05C AUF 6J SOT-363
W5100 WIZNET 128 TQFP-80
SP3485EN EXAR 1517 SOP-8
Diode SS310 VISHAY SS310 SMA
VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
Spannungs-Regler MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Spannungs-Regler MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Vorübergehende Spannungs-Unterdrücker SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorb

Vorübergehende Spannungs-Unterdrücker SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorb

Clamp Ipp Tvs Diode
Spannungs-Reglerdiode 225mW SOT−23 BZX84C12LT1G Zener Oberflächenberg

Spannungs-Reglerdiode 225mW SOT−23 BZX84C12LT1G Zener Oberflächenberg

Zener Diode 12 V 250 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Ultraschnelle Energie-Gleichrichter 100−600V des MUR1620CTG-Schalter-Modus-16A

Ultraschnelle Energie-Gleichrichter 100−600V des MUR1620CTG-Schalter-Modus-16A

Diode Array 1 Pair Common Cathode 200 V 8A Through Hole TO-220-3
Zweipolige NPN PNP Transistoren TO-3P NJW0281G 50W

Zweipolige NPN PNP Transistoren TO-3P NJW0281G 50W

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
Zweikanalfototransistor MOCD213M 2500Vrms SOIC8

Zweikanalfototransistor MOCD213M 2500Vrms SOIC8

Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 2 Channel 8-SOIC
Silikon-Transistor MJE340G mittlerer Energie-0.5A 300V 20W NPN

Silikon-Transistor MJE340G mittlerer Energie-0.5A 300V 20W NPN

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126
MURS260T3G-Energie-Management IC-Oberflächenberg-ultraschnelle Energie-Gleichrichter

MURS260T3G-Energie-Management IC-Oberflächenberg-ultraschnelle Energie-Gleichrichter

Diode 600 V 2A Surface Mount SMB
Masseschleife-Beseitigung ICs Chip Logic Gate Optocouplers For Computer HCPL0600R2 10bps

Masseschleife-Beseitigung ICs Chip Logic Gate Optocouplers For Computer HCPL0600R2 10bps

Logic Output Optoisolator 10Mbps Open Collector 3750Vrms 1 Channel 5kV/µs CMTI 8-SOIC
Spannungs-Regler-Diode MM3Z18VT1G 200mW 18V SOD−323 Zener

Spannungs-Regler-Diode MM3Z18VT1G 200mW 18V SOD−323 Zener

Zener Diode 18 V 300 mW ±6% Surface Mount SOD-323
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