CNY65A-Druck-Sensor IC-Leiterplatte bricht IC Chip Optocoupler mit Fototransistor-Ertrag ab
temperature sensor ic
,electronic pressure sensors
CNY65A
Optokoppler, Fototransistor-Ertrag, sehr hohe Isolierungs-Spannung
Eigenschaften
• Bewertete Isolierungsspannung (Effektivwert schließt DC) ein, VIOWM = 1000 VRMS (1450 v-Spitze)
• Bewertete wiederkehrende Höchstspannung (sich wiederholendes) VIORM = 1000 VRMS
• Stärke durch Isolierung ≥ 3 Millimeter
• Gegenwärtiger Widerstand des Creepage entsprechend Kriechstromzahl Vde 0303/IEC 60112: CTI-≥ 200 • Bleifreie Komponente
• Komponente in der Übereinstimmung zu RoHS 2002/95/EC und WEEE 2002/96/EC
Agentur-Zustimmungen
• UL1577, Systemcode Datei-Nr. E76222 H, J-&K, doppelter Schutz
• LÄRM-en 60747-5-5 LÄRM-en 60747-5-2 (VDE0884) schwebend
• Vde bezog sich Eigenschaften:
• Bewertete Antriebspannung (vorübergehende Überspannung) VIOTM = 8 KV-Spitze
• Isolierungsprüfspannung (Teilsprüfspannung) Vpd = 2,8 KV-Spitze
Anwendungen
Stromkreise für sichere schützende Trennung gegen elektrischen Schock entsprechend Sicherheitsklasse II (verstärkte Isolierung): Für appl. Klasse I - IV an Netzspannung ≤ 300 V für appl. Klasse I - IV an Netzspannung ≤ 600 V für appl. Klasse I - III an Netzspannung ≤ 1000 V entsprechend LÄRM-en 60747-5-2 (VDE0884)/LÄRM-en 60747 - 5-5 schwebend, Tabelle 2, passend für: Schalter-Modusstromversorgung, Linie Empfänger, Computerzusatzschnittstelle, MikroprozessorSystemschnittstelle.
Beschreibung
Die CNY64/CNY65/CNY66 bestehen aus einem Fototransistor, der optisch zu einer infrarotemittierenden Diode des Galliumarsenids in einem 4 Stiftplastikpaket verbunden wird. Die einzelnen Komponenten werden gegenüber von gegenseitig angebracht und stellen einen Abstand zwischen Input und Ertrag für höchste Sicherheitsauflagen von > 3 Millimeter zur Verfügung.
Ein Teil der Bestandsliste
| KAPPE 100NF 50V X7R CL05B104KB5NNNC | SAMSUNG | AC82ODH | SMD0402 |
| KAPPE 4,7UF 10V X5R 10% CL21A475KPFNNNE | SAMSUNG | ACABOJN | SMD0805 |
| KAPPE 1NF 2KV X7R 10% CL31B102KJFNNNE | SAMSUNG | ACA9ORJ | SMD1206 |
| NPA CL05C100JB5NNNC der KAPPEN-0402 10PF 50V | SAMSUNG | AC90OSW | SMD0402 |
| NPA CL05C220JB5NNNC der KAPPEN-0402 22PF 50V | SAMSUNG | AC90OSW | SMD0402 |
| KAPPE 0805 1UF 16V X5R CL21A105KOFNNNE |
SAMSUNG | ACA7OCC | SMD0805 |
| Res 0402 10K 5% RC0402JR-0710KL |
YAGEO | 1646 | SMD0402 |
| Res 0402 100K 5% RC0402JR-07100KL | YAGEO | 1632 | SMD0402 |
| Res 0402 220R 5% RC0402JR-07220RL | YAGEO | 1625 | SMD0402 |
| Res 0402 0R 5% RC0402JR-070RL |
YAGEO | 1640 | SMD0402 |
| Res 0402 4K7 5% RC0402JR-074K7L |
YAGEO | 1640 | SMD0402 |
| Res 0R 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0805 |
| Res 0402 49R9 1% RC0402FR-0749R9L | YAGEO | 1632 | SMD0402 |
| Res 0402 12K1 1% RC0402FR-0712K1L | YAGEO | 1644 | SMD0402 |
| KAPPE ELETR 1000UF 50V RF1H102M12.5X25 | NANTUNG | 16+ | SMD |
| C.I MCP9700AT-E/TT | MIKROCHIP | AFWJ | SOT23-3 |
| RC0805JR-0710KL | YAGEO | 1630 | SMD0805 |
| DIODO DF06S | SEPT | 1611 | SOP-4 |
| TRANS. ZXMN10A09KTC | ZETEX | 1243 | TO-252 |
| RC0805JR-071ML | YAGEO | 1618 | SMD0805 |
| C.I L7812CV | St. | 620 | TO-220 |
| ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | LITE-ON | 1644 | SOP-6 |
| Res 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | YAGEO | 1518 | SMD1206 |
| KAPPE 220NF 100V 10% X7S C2012X7S2A224K085AE | TDK | IB16H30223SD | SMD0805 |
| RC0805JR-07330RL | YAGEO | 1632 | SMD0805 |
| DIODO PTZTE2518B | ROHM | 1639/18B/69 | SMA |
| C.I MT29F4G08ABADAWP: D | MIKROMETER | 1402 | TSOP-48 |
| DIODO SMCJ5.0A-E3/57T | VISHAY | 1632/GDE | SMC |
| C.I ADS8344E | TI | 4ACZLLK | SSOP-20 |
| C.I DAC 7714U | TI | 21AQSQT | SOP-16 |
Fall-schnelle Schaltdiode SOT23 1N4148W-E3-08 RoHS SOD123
LL42-GS08 30V 200mA RASEN - 80 Signal-Schottky-Dioden
Impulsleistung 600W 17V der Spitze SMBJ170A-E3/52 Distanzhülsen-Spannung VISHAY
Kanal IRFP9240PBF TO-247 VISHAY Energie Mosfet 12A 200V P
VO0630T Feldwirkungstransistor
Widerstände MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
MMB02070C1004FB200 Antifilm-aktiver Teil-Status des schwefel-SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin
MMB02070C1503FB200 dünne Schichtwiderstand 150 Metallschichtwiderstand KOhms ±1% MELF 0207
Widerstand SMM02040C3903FB300 MELF 0204 Ohm-390k, Antischwefel-Automobilballast-Widerstand
Antischwefel 2/5W 0204 2,2 KOhms MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Fall-schnelle Schaltdiode SOT23 1N4148W-E3-08 RoHS SOD123 |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
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LL42-GS08 30V 200mA RASEN - 80 Signal-Schottky-Dioden |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
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Impulsleistung 600W 17V der Spitze SMBJ170A-E3/52 Distanzhülsen-Spannung VISHAY |
275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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Kanal IRFP9240PBF TO-247 VISHAY Energie Mosfet 12A 200V P |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
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VO0630T Feldwirkungstransistor |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
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Widerstände MMB02070C1802FB200 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1004FB200 Antifilm-aktiver Teil-Status des schwefel-SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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MMB02070C1503FB200 dünne Schichtwiderstand 150 Metallschichtwiderstand KOhms ±1% MELF 0207 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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Widerstand SMM02040C3903FB300 MELF 0204 Ohm-390k, Antischwefel-Automobilballast-Widerstand |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
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Antischwefel 2/5W 0204 2,2 KOhms MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
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