Neue u. ursprüngliche 50 MA Mosfet-Energie-Modul 40A TRIAC BTA40-600B
low voltage power mosfet
,hybrid inverter circuit
TRIAC 40A
HAUPTMERKMALE:
| Symbol | Wert | Einheit |
| IT (EFFEKTIVWERT) | 40 | |
| VDRM/VRRM | 600 und 800 | V |
| IGT (Q1) | 50 | MA |
BESCHREIBUNG
Verfügbar in den Paketen der hohen Leistung, ist die Reihe BTA/BTB40-41 für universelle Wechselstromschaltung passend. Sie können als AN/AUS-Funktion in den Anwendungen benutzt werden wie statischen Relais, Heizungsregelung, Warmwasserbereiter, der Induktionsmotor, der Stromkreise, schweißende Ausrüstung… anstellt oder für Phasenkontrollfunktion in den Motordrehzahlprüfern der hohen Leistung, Sanftanlaufstromkreise…
Dank ihre Clipversammlungstechnik, liefern sie eine überlegene Leistung in der Überspannung, die Fähigkeiten behandelt.
Indem sie eine interne keramische Auflage verwendet, liefert die BTA-Reihe Spannung der Isoliervorsprung (veranschlagt bei 2500 V Effektivwert) übereinstimmend mit UL-Standards (Dateiverweis: E81734).
| Symbol | Parameter | Wert | Einheit | ||
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IT (EFFEKTIVWERT) |
Effektiver Durchlassstrom |
RD91 | Tc = 80°C | 40 | |
| TOP3 | |||||
| Ins TOP3. | Tc = 70°C | ||||
| ITSM |
Höchstein-zustand des nicht sich wiederholenden Anstiegs |
F = 60 Hz | t = Frau 16,7 | 420 | |
| F = 50 Hz | t = Frau 20 | 400 | |||
| Es | Ich t-Wert für die Fixierung | TP = Frau 10 | 880 | Ein s | |
| dI/dt |
Kritische Rate des Aufstieges des Durchlassstroms |
F = 120 Hz | Tj = 125°C | 50 | A/µs |
| VDSM/VRSM | Ausschaltspannung der nicht sich wiederholenden Anstiegsspitze | TP = Frau 10 | Tj = 25°C |
VDRM/VRRM |
V |
| IGM | Höchsttorstrom | TP = 20 µs | Tj = 125°C | 8 | V |
| SEITE (HANDELS) | Durchschnittliche Torverlustleistung | Tj = 125°C | 1 | W | |
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Tstg |
Speichergrenzschichttemperaturstrecke |
- 40 bis + 150 |
°C | ||
ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN (Tj = 25°C, wenn nicht anders angegeben)
| Symbol | Testbedingungen | Quadrant | Wert | Einheit | |
| IGT (1) | VD = 12 V RL = Ω 33 |
I - II - III |
MAXIMUM. |
50 |
MA |
| VGT | ALLE | MAXIMUM. | 1,3 | V | |
| VGD | VD = VDRM RL = kΩ 3,3 Tj = 125°C | ALLE | Min. | 0,2 | V |
| IH (2) | IT = 500 MA | MAXIMUM. | 80 | MA | |
| IL | IG = 1,2 IGT |
I - III - IV |
MAXIMUM. |
70 |
MA |
| dV/dt (2) | VD = 67% VDRM Tor offenes Tj = 125°C | Min. | 500 | V/µs | |
| (dV/dt) c (2) | (dI/dt) c = 20 A/ms Tj = 125°C | Min. | 10 | V/µs | |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände
DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE
IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE
IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel
Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador
MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485
SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G BISS Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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DSPIC30F3011-30I/PT Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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IR2110PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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IC-Chip Flash-Speicher S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Spi-Gedächtnis-integrierte Schaltung viererkabel grelles SERIENMÄSSIGBIT Chip 3V 8M W25Q80DVSNIG Doppel |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modul IRF520 MOS Tube Field Effect Single-Chip-Antriebs-PWM Controlador |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 Modul TTL RS-485 zum Modul TTL bis 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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