NTMD6N02R2G-Energie MOSFET-Transistoren 6,0 Ampere, 20 elektronischer des IC-Chip N−Channel-Anreicherungstyp-Doppel-Volt Paket-SO−8
thyristor diode module
,low voltage power mosfet
NTMD6N02R2G-Energie MOSFET-Transistoren 6,0 Ampere, 20 Volt
Eigenschaften
• Ultra niedriges RDS (an)
• Höhere Leistungsfähigkeits-Erweiterungsbatteriedauer
• Tor-Antrieb des logischen Zustandes
• Miniaturdoppel-Oberflächenpaket des berg-SOIC−8
• Diode weist Hochgeschwindigkeits-, weiche Wiederaufnahme auf
• Lawinen-Energie spezifizierte
• SOIC−8, welches die Informationen bereitgestellt anbriCM GROUP
• Pb−Free-Paket ist verfügbar
Anwendungen
• DC−DC-Konverter
• Niederspannungs-Motorsteuerung
• Energie-Management in den tragbaren und Battery−Powered-Produkten, in zum Beispiel, Computern, in Druckern, in zellulären und drahtlosen Telefonen und IN PCMCIA-Karten
MAXIMALLEISTUNGEN (TJ = 25°C wenn nicht anders vermerkt)
Bewertung | Symbol | Wert | Einheit |
Drain−to−Source-Spannung | VDSS | 20 | V |
Drain−to−Gate-Spannung (RGS = 1,0 M) | VDGR | 20 | V |
Gate−to−Source-Spannung − ununterbrochen | VGS | 12 | V |
Thermischer Widerstand, Junction−to−Ambient Gesamtleistungs-Ableitung Ununterbrochener Abfluss Current@ TA = 25°C Ununterbrochener Abfluss Current@ TA = 70°C Pulsierter Abfluss-Strom |
RJA PD Identifikation Identifikation IDM |
62,5 2,0 6,5 5,5 50 |
°C/W W |
MAXIMALLEISTUNGEN (TJ = 25°C wenn nicht anders vermerkt) (fortgefahren)
Bewertung | Symbol | Wert | Einheit |
Funktionieren und Lagertemperaturbereich | TJ, Tstg | −55 bis +150 | °C |
Beginnendes Einzelimpuls Drain−to−Source-Lawinen-Energie − TJ = 25°C (VDD = 20 VDC, VGS = 5,0 VDC, Spitze IL = 6,0 Apk, L = 20 mH, RG = 25) | EAS | 360 | mJ |
Maximale Führungs-Temperatur zu lötenden Zwecken für 10 Sekunden | Zeitlimit | 260 | °C |
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
AT91SAM7S64C-AU | 3522 | ATMEL | 14+ | QFP |
ATMEGA88PA-AU | 3554 | ATMEL | 14+ | QFP |
BFG135 | 3586 | 14+ | SOT-223 | |
BTA40-600B | 3618 | St. | 16+ | TO-3 |
IR2184PBF | 3650 | IR | 16+ | DIP-8 |
PIC18F452-I/P | 3682 | MIKROCHIP | 13+ | QFP |
PC-5P-3a1b-24V | 3714 | Panasonic | 15+ | |
PIC18LF4520-I/PT | 3746 | MIKROCHIP | 16+ | QFP |
ADF4360-4BCPZ | 3778 | ANZEIGE | 16+ | LFCSP |
ADM2483BRWZ | 3810 | ANZEIGE | 14+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
BCM3349KFBG | 3842 | BROADCOM | 14+ | BGA |
LMD18200T | 3874 | NS | 14+ | ZIP11 |
USBN9603-28M | 3906 | NS | 16+ | SOP-28 |
PIC18F2550-I/SP | 3938 | MIKROCHIP | 16+ | DIP-28 |
IRFP360 | 3970 | IR | 13+ | TO-247 |
HCF4053BM1 | 4002 | St. | 15+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
ADP3338AKC-1.8-RL7 | 4034 | ANZEIGE | 16+ | SOT-223 |
BA3308F-E2 | 4066 | ROHM | 16+ | SOP-14 |
SPW47N60C3 | 4098 | INF | 14+ | TO-247 |
6RI100G-160 | 4130 | FUJI | 14+ | MODUL |
AD620AN | 4162 | ANZEIGE | 14+ | BAD |
AD8139ACPZ | 4194 | ANZEIGE | 16+ | QFN |
ADC0804LCN | 4226 | NS | 16+ | BAD |
AT89S8253-24PU | 4258 | ATMEL | 13+ | BAD |
DF10S | 4290 | SEPT | 15+ | SMD-4 |
FZT651TA | 4322 | ZETEX | 16+ | SOT223 |
OPA4227PA | 4354 | BB | 16+ | BAD |
TMS320C50PQ80 | 4386 | TI | 14+ | QFP |
Z85C3008PSC | 4418 | ZILOG | 14+ | DIP40 |
GT60M104 | 4450 | TOS | 14+ | TO-3PL |