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NTMD6N02R2G-Energie MOSFET-Transistoren 6,0 Ampere, 20 elektronischer des IC-Chip N−Channel-Anreicherungstyp-Doppel-Volt Paket-SO−8

fabricant:
Semi-ON / Semi-Katalysator
Beschreibung:
Oberflächenberg 8-SOIC Mosfet-Reihen-20V 3.92A 730mW
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Drain−to−Source-Spannung:
20 V
Funktionieren und Lagertemperaturbereich:
−55 zu +150°C
Drain−to−Gate-Spannung:
20 V
Maximale Führungstemperatur:
260°C
Höhepunkt:

thyristor diode module

,

low voltage power mosfet

Einleitung

NTMD6N02R2G-Energie MOSFET-Transistoren 6,0 Ampere, 20 Volt


Eigenschaften
• Ultra niedriges RDS (an)

• Höhere Leistungsfähigkeits-Erweiterungsbatteriedauer

• Tor-Antrieb des logischen Zustandes

• Miniaturdoppel-Oberflächenpaket des berg-SOIC−8

• Diode weist Hochgeschwindigkeits-, weiche Wiederaufnahme auf

• Lawinen-Energie spezifizierte

• SOIC−8, welches die Informationen bereitgestellt anbriCM GROUP

• Pb−Free-Paket ist verfügbar
Anwendungen

• DC−DC-Konverter

• Niederspannungs-Motorsteuerung

• Energie-Management in den tragbaren und Battery−Powered-Produkten, in zum Beispiel, Computern, in Druckern, in zellulären und drahtlosen Telefonen und IN PCMCIA-Karten

MAXIMALLEISTUNGEN (TJ = 25°C wenn nicht anders vermerkt)

Bewertung Symbol Wert Einheit
Drain−to−Source-Spannung VDSS 20 V
Drain−to−Gate-Spannung (RGS = 1,0 M) VDGR 20 V
Gate−to−Source-Spannung − ununterbrochen VGS 12 V
Thermischer Widerstand,
Junction−to−Ambient
Gesamtleistungs-Ableitung
Ununterbrochener Abfluss Current@ TA = 25°C
Ununterbrochener Abfluss Current@ TA = 70°C
Pulsierter Abfluss-Strom
RJA
PD
Identifikation
Identifikation
IDM
62,5
2,0
6,5
5,5
50
°C/W
W


MAXIMALLEISTUNGEN (TJ = 25°C wenn nicht anders vermerkt) (fortgefahren)

Bewertung Symbol Wert Einheit
Funktionieren und Lagertemperaturbereich TJ, Tstg −55 bis +150 °C
Beginnendes Einzelimpuls Drain−to−Source-Lawinen-Energie − TJ = 25°C (VDD = 20 VDC, VGS = 5,0 VDC, Spitze IL = 6,0 Apk, L = 20 mH, RG = 25) EAS 360 mJ
Maximale Führungs-Temperatur zu lötenden Zwecken für 10 Sekunden Zeitlimit 260 °C

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
AT91SAM7S64C-AU 3522 ATMEL 14+ QFP
ATMEGA88PA-AU 3554 ATMEL 14+ QFP
BFG135 3586 14+ SOT-223
BTA40-600B 3618 St. 16+ TO-3
IR2184PBF 3650 IR 16+ DIP-8
PIC18F452-I/P 3682 MIKROCHIP 13+ QFP
PC-5P-3a1b-24V 3714 Panasonic 15+
PIC18LF4520-I/PT 3746 MIKROCHIP 16+ QFP
ADF4360-4BCPZ 3778 ANZEIGE 16+ LFCSP
ADM2483BRWZ 3810 ANZEIGE 14+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
BCM3349KFBG 3842 BROADCOM 14+ BGA
LMD18200T 3874 NS 14+ ZIP11
USBN9603-28M 3906 NS 16+ SOP-28
PIC18F2550-I/SP 3938 MIKROCHIP 16+ DIP-28
IRFP360 3970 IR 13+ TO-247
HCF4053BM1 4002 St. 15+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
ADP3338AKC-1.8-RL7 4034 ANZEIGE 16+ SOT-223
BA3308F-E2 4066 ROHM 16+ SOP-14
SPW47N60C3 4098 INF 14+ TO-247
6RI100G-160 4130 FUJI 14+ MODUL
AD620AN 4162 ANZEIGE 14+ BAD
AD8139ACPZ 4194 ANZEIGE 16+ QFN
ADC0804LCN 4226 NS 16+ BAD
AT89S8253-24PU 4258 ATMEL 13+ BAD
DF10S 4290 SEPT 15+ SMD-4
FZT651TA 4322 ZETEX 16+ SOT223
OPA4227PA 4354 BB 16+ BAD
TMS320C50PQ80 4386 TI 14+ QFP
Z85C3008PSC 4418 ZILOG 14+ DIP40
GT60M104 4450 TOS 14+ TO-3PL

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Bild Teil # Beschreibung
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