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Dioden-infrarotemittierende Hochgeschwindigkeitsdiode VSLB3940 SMD LED, RoHS konform, 940 Nanometer, GaAlAs, DDH

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Infrared (IR) Emitter 940nm 1.15V 100mA 32mW/sr @ 100mA 44° Radial
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
VR:
5 V
IF:
100 mA
IFM:
1.0 A
IFSM:
1.5 A
PV:
160 mW
Höhepunkt:

led diode smd

,

led diode strip

Einleitung



Infrarotemittierende Hochgeschwindigkeitsdiode, RoHS konform, 940 Nanometer, GaAlAs, DDH


EIGENSCHAFTEN
• Paketart: verbleit
• Paketform: T-1, klarer Epoxy-Kleber
• Maße: Ø 3 Millimeter
• Höchstwellenlänge: λp = 940 Nanometer
• Hohe Geschwindigkeit • Hohe leuchtende Energie
• Hohe Strahlungsstärke
• Winkel von Halbwerts: ϕ = ± 22°
• Niedrige Vorwärtsspannung
• Passend für gegenwärtige Operation des hohen Impulses
• Gute Spektralanpassung an Siphotodetektoren
• E-frei Komponente der Führung (Pb)
• E-frei Komponente der Führung (Pb) in Übereinstimmung mit RoHS 2002/95/EC und WEEE 2002/96/EC

ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN

PARAMETERTESTBEDINGUNG SYMBOLWERTEINHEIT
Sperrspannung VR5V
Vorwärtsstrom WENN100 MA
Spitze vorwärts gegenwärtigtp/T = 0,1, TP = 100 µsIFM1,0
Schwanken Sie vorwärts gegenwärtigesTP = 100 µsIFSM 1,5
Verlustleistung PV160mW
Grenzschichttemperatur Tj100°C


Infrarotemittierende Hochgeschwindigkeitsdiode, RoHS konform, 940 Nanometer, GaAlAs, DDH

BESTANDSLISTE

PM200CBS060200MITSUBISH04+MOUDLE
LT1167CS88718LINEAR16+SOP-8
PEB4266VV1.25900 15+QFN
MC55I356CINTERION15+GPRS
LNK302PN4654ENERGIE15+DIP-7
PEB20570FV3.15700 15+QFP
LM2594M-123000NSC15+SOP-8
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OP77AZ/8836340ANZEIGE16+CDIP
M27W401-80N63906St.16+TSOP
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LMV931MFX6380NSC15+SOT-23
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