IRF640NSTRLPBF brachte Verfahrenstechnik voran, die allgemeines IC digitale IC-Stromkreise abbricht
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
Bestandsliste
| MRF184 | 6393 | MOT | 14+ | SMD |
| MURS140 | 25000 | AUF | 16+ | DO-214 |
| BGY68 | 3500 | 14+ | MOKUAI | |
| PESD5V2S2UT | 25000 | 16+ | TRUNKENBOLD | |
| LM26CIM5-TPA | 5000 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
| CM1200HB-66H | 213 | MITSUBI | 14+ | MODUL |
| LPC11C24FBD48 | 4833 | 15+ | LQFP-48 | |
| CM30TF-24H | 313 | MITSUBI | 15+ | MODUL |
| 7MBR50SB120 | 230 | FUJI | 12+ | MODUL |
| MAX209EWG | 7850 | MAXIME | 14+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL |
| LXT970AQC | 4907 | LEVELONE | 10+ | QFP |
| MSP430FG4619IPZ | 6834 | TI | 16+ | LQFP |
| NCP1052ST136T3G | 9280 | AUF | 16+ | SOT-223 |
| MAX17121ETG | 6550 | MAXIME | 16+ | QFN |
| MAC97A6 | 25000 | AUF | 16+ | TO-92 |
| MPC89E58AF | 5910 | MEGAWIN | 16+ | PQFP |
| CS4398-CZZR | 2234 | CIRRUS | 15+ | TSSOP |
| LC4064V-75TN100-10I | 3070 | GITTER | 15+ | QFP |
| ME0550-02DA | 595 | IXYS | 14+ | IGBT |
| MDD26-14N1B | 5902 | IXYS | 16+ | IGBT |
| MT9V024IA7XTM | 2499 | AUF | 15+ | BGA |
| MCC21-1408B | 4756 | IXYS | 14+ | IGBT |
| CM100DU-24NFH | 378 | MITSUBI | 15+ | MODUL |
| 6RI100E-080 | 958 | FUJI | 15+ | MODUL |
| PM150RSD060 | 250 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PK160F-160 | 120 | SANREX | 11+ | MODUL |
| LC540 | 3081 | TI | 15+ | TSSOP |
| OP20FZ | 596 | ANZEIGE | 16+ | CDIP |
| PCA9554PWR | 12420 | TI | 16+ | TSSOP |
| M1494NC180 | 479 | WESTCODE | 14+ | MODUL |
| LM4890MM | 30000 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| MHW6342T | 6304 | MOT | 15+ | CATV |
| CM450HA-5F | 233 | MITSUBI | 14+ | MODUL |
| PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
HEXFET®-Energie MOSFET
? ►Moderner Prozess
►Technologie? Dynamische dv-/dtbewertung?
►175°C Betriebstemperatur?
►Schnelle Schaltung?
►Völlig Lawine veranschlagt?
►Leichtigkeit des Vergleichs?
►Einfache Antriebs-Anforderungen
►? Bleifrei
Beschreibung
MOSFETs Energie der fünften Generation HEXFET® vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, die HEXFET-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen.
Das Paket TO-220 wird allgemeinhin für alle Handels-industriellen Anwendungen auf Verlustleistungsniveaus zu ungefähr 50 Watt bevorzugt. Der niedrige thermische Widerstand und niedrigen die Paketkosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Annahme während der Industrie bei.
Das D2Pak ist ein Oberflächenbergenergiepaket, das zur Unterbringung fähig ist, Größen bis zu HEX-4 zu sterben. Es liefert die Fähigkeit der höchsten Energie und das niedrigste mögliche onresistance in jedem vorhandenen Oberflächenbergpaket. Das D2Pak ist für hohe gegenwärtige Anwendungen wegen seines niedrigen internen Verbindungswiderstands passend und kann sich bis zu 2.0W in einer typischen Oberflächenberganwendung zerstreuen.
Die Durchlochversion (IRF640NL) ist für flache Anwendung verfügbar
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC