Elektronischer IC Chips Dual N MOSFET Energie MOSFET HEXFET Kanal IRF7311TRPBF
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
IRF7311
HEXFET®-Energie MOSFET
- Technologie der Generations-V
- Ultra niedriger Auf-Widerstand
- Doppeln-kanal MOSFET
- Oberflächenberg
- Völlig Lawine veranschlagt
Beschreibung
Fünfte Generation HEXFETs vom internationalen Gleichrichter verwenden moderne Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Dieser Nutzen, kombiniert mit der schnellen Schaltverzögerung und ruggedized dem Gerätentwurf, die HEXFET-Energie MOSFETs weithin bekannt sind für, versieht den Designer mit einem extrem leistungsfähigen und zuverlässigen Gerät für Gebrauch in einer großen Vielfalt von Anwendungen.
Das SO-8 ist durch ein kundengebundenes leadframe für erhöhte thermischen Eigenschaften und die Mehrfachwürfelfähigkeit geändert worden, die es ideal in einer Vielzahl von Energieanwendungen macht. Mit diesen Verbesserungen können mehrfache Geräte in einer Anwendung mit drastisch verringertem Brettraum benutzt werden. Das Paket ist für die Infrarot- oder der Welle lötenden Techniken der Dampfphase, bestimmt.
Absolute Maximalleistungen (TA = 25°C wenn nicht anders vermerkt)
| Symbol | Maximum | Einheiten | ||
| Abfluss-Quellspannung | VDS | 20 | V | |
| Tor-Quellspannung | VGS | ±12 | V | |
| Ununterbrochener Abfluss gegenwärtiges 1 | TA = 25°C | Identifikation | 6,6 | |
| TA = 70°C | 5,3 | |||
| Pulsierter Abfluss-Strom | IDM | 26 | ||
| Ununterbrochener Quellstrom (Dioden-Leitung) | IST | 2,5 | ||
| Höchstleistungs-Ableitung 1 | TA = 25°C | PD | 2,0 | W |
| TA = 70°C | 1,3 | |||
| Einzelimpuls-Lawinen-Energie 2 | EAS | 100 | mJ | |
| Lawinen-Strom | IAR | 4,1 | ||
| Sich wiederholende Lawinen-Energie | OHR | 0,20 | mJ | |
| Höchstdioden-Wiederaufnahme dv/dt 3 | dv/dt | 5,0 | V/ ns | |
| Kreuzung und Lagertemperaturbereich | TJ, TSTG | -55 bis + 150 | °C | |
Anmerkungen:
1. Oberfläche brachte an 1 in quadratisches Cubrett an
2. Beginnen TJ = 25°C, L = 12mH RG = 25Ω, IAS = 4.1A.
3. ISD-≤ 4.1A, di-/dt≤ 92A/µs, VDD-≤ V (BR) DSS, TJ-≤ 150°C
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
| IRF3707PBF | 6217 | IR | 11+ | TO-220 |
| IRF5210PBF | 2546 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRF5800TRPBF | 54000 | IR | 16+ | TSOP-6 |
| IRF6218PBF | 8426 | IR | 06+ | TO-220AB |
| IRF640NPBF | 5610 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRF640NSTRLPBF | 4905 | IR | 16+ | TO-263 |
| IRF6638TRPBF | 4492 | IR | 13+ | SMD |
| IRF7303TRPBF | 15463 | IR | 14+ | SOP-8 |
| IRF7328TRPBF | 6288 | IR | 13+ | SOP-8 |
| IRF740B | 49000 | FSC | 16+ | TO-220 |
| IRF740PBF | 11487 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF7416TRPBF | 23190 | IR | 16+ | SOP-8 |
| IRF7494TRPBF | 9525 | IR | 14+ | SOP-8 |
| IRF7907TRPBF | 12836 | IR | 13+ | SOP-8 |
| IRF8010PBF | 17656 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF840PBF | 14327 | VISHAY | 16+ | TO-220 |
| IRF8788TRPBF | 21214 | IR | 12+ | SOP-8 |
| IRF9530NPBF | 5539 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRF9620PBF | 3435 | VISHAY | 13+ | TO-220 |
| IRF9Z24N | 9496 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB3004PBF | 8497 | IR | 09+ | TO-220 |
| IRFB31N20D | 6973 | IR | 14+ | TO-220 |
| IRFB3207ZPBF | 16234 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRFB3306PBF | 7959 | IR | 13+ | TO-220 |
| IRFB4227PBF | 14319 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB4310PBF | 7645 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB4332PBF | 5199 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB4332PBF | 4735 | IR | 16+ | TO-220 |
| IRFB52N15DPBF | 7716 | IR | 15+ | TO-220 |
| IRFI4019HG-117P | 4847 | IR | 14+ | TO-220-5 |
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
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A3977SEDTR-Energie-Schrittmotor-Fahrer DMOS 5V 44 Niveau Pin PLCC Rohr-3 MSL |
Bipolar Motor Driver DMOS Logic 44-PLCC (16.59x16.59)
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