Nachricht senden
Haus > produits > elektronische IC-Chips > CNY66B elektronisches IC Chips Optocoupler mit Fototransistor-Ertrag

CNY66B elektronisches IC Chips Optocoupler mit Fototransistor-Ertrag

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Lichtdämpfer-Transistor gab 8200Vrms 1 Kanal 4-DIP-HV aus
Kategorie:
elektronische IC-Chips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Sperrspannung:
5 V
Vorwärtsstrom:
75 MA
Vorwärtsüberspannung:
1,5 A
Gesamtleistungs-Ableitung:
250mW
Umgebende Temperatur:
- 55 zu + °C 85
Lagertemperatur:
- 55 zu + °C 100
Höhepunkt:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

Einleitung

CNY64/CNY65/CNY66

Optokoppler, Fototransistor-Ertrag, sehr hohe Isolierungs-Spannung

Eigenschaften

• Bewertete Isolierungsspannung (Effektivwert schließt DC) ein, VIOWM = 1000 VRMS (1450 v-Spitze)

• Bewertete wiederkehrende Höchstspannung (sich wiederholendes) VIORM = 1000 VRMS

• Stärke durch Isolierung ≥ 3 Millimeter

• Gegenwärtiger Widerstand des Creepage entsprechend Kriechstromzahl Vde 0303/IEC 60112: CTI-≥ 200

• Bleifreie Komponente

• Komponente in der Übereinstimmung zu RoHS 2002/95/EC und WEEE 2002/96/EC

Agentur-Zustimmungen

• UL1577, Systemcode Datei-Nr. E76222 H, J-&K, doppelter Schutz

• LÄRM-en 60747-5-5 LÄRM-en 60747-5-2 (VDE0884) schwebend

• Vde bezog sich Eigenschaften:

• Bewertete Antriebspannung (vorübergehende Überspannung) VIOTM = 8 KV-Spitze

• Isolierungsprüfspannung (Teilsprüfspannung) Vpd = 2,8 KV-Spitze

Anwendungen

Stromkreise für sichere schützende Trennung gegen elektrischen Schock entsprechend Sicherheitsklasse II (verstärkte Isolierung):

Für appl. Klasse I - IV an Netzspannung ≤ 300 V

Für appl. Klasse I - IV an Netzspannung ≤ 600 V

Für appl. Klasse I - III an Netzspannung ≤ 1000 V entsprechend LÄRM-en 60747-5-2 (VDE0884)/LÄRM-en 60747 - 5-5 schwebend, Tabelle 2, passend für:

Schalter-Modusstromversorgung, Linie Empfänger, Computerzusatzschnittstelle, MikroprozessorSystemschnittstelle.

Beschreibung

Die CNY64/CNY65/CNY66 bestehen aus einem Fototransistor, der optisch zu einer infrarotemittierenden Diode des Galliumarsenids in einem 4 Stiftplastikpaket verbunden wird.

Die einzelnen Komponenten werden gegenüber von gegenseitig angebracht und stellen einen Abstand zwischen Input und Ertrag für höchste Sicherheitsauflagen von > 3 Millimeter zur Verfügung.

Absolute Maximalleistungen

Tamb = °C 25, wenn nicht anders angegeben

Drücke mehr als die absoluten Maximalleistungen können Dauerschaden zum Gerät verursachen. Funktionsoperation des Gerätes wird nicht an diesen oder an irgendwelchen anderen Bedingungen mehr als die bedeutet, die in den Betriebsabschnitten dieses Dokuments gegeben werden. Aussetzung zur absoluten Maximalleistung für längere Zeiträume der Zeit kann Zuverlässigkeit nachteilig beeinflussen.

Parameter Testbedingung Symbol Wert Einheit
Input
Sperrspannung VR 5 V
Vorwärtsstrom WENN 75 MA
Vorwärtsüberspannung TP-≤ 10 µs IFSM 1,5
Verlustleistung Pdiss 120 mW
Grenzschichttemperatur Tj 100 °C
Ertrag
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO 32 V
EmitterAnodenspannung VECO 7 V
Kollektorstrom IC 50 MA
Spitzenstrom des Kollektors tp/T = 0,5, TP-≤ 10 Frau ICM 100 MA
Verlustleistung Pdiss 130 mW
Grenzschichttemperatur Tj 100 °C
Koppler
Wechselstrom-Isolierungsprüfspannung (Effektivwert) t = 1 Minute VISO 8,2 KV
Gesamtleistungsableitung Ptot 250 mW
Umgebende Temperaturspanne Tamb - 55 bis + 85 °C
Lagertemperaturbereich Tstg - 55 bis + 100 °C
Löttemperatur 2 Millimeter vom Fall, t-≤ 10 s Tsld 260 °C

Angebot auf Lager (heißer Verkauf)

Teilnummer. Quantität Marke D/C Paket
IRFU220NPBF 1820 IR 13+ TO-251
MCP73871-2CCI/ML 1820 MIKROCHIP 15+ QFN
PC410L 1821 SCHARFES 16+ SOP5
BAD AT24C01 1822 ATMEL 16+ BAD
IRF530NPBF 1822 IR 14+ TO-220
TNY280PN 1822 ENERGIE 14+ DIP-7
74HC595 1841 14+ BESCHWICHTIGUNGSMITTEL
3296W-1-503IF 1850 BOURNS 16+ BAD
LT1172CT 1850 LT 16+ TO220-5
A4506 1875 ANAGO 13+ SOP-8
APM4546 1877 ANPEC 15+ SOP-8
HCS360/SN 1879 MICROC 16+ SOP8
HEF4069UBT 1887 16+ SOP14
IRF1010EPBF 1887 IR 14+ TO-220
2N2907A 1888 St. 14+ CAN3
MCP609-I/SL 1888 MIKROCHIP 14+ SOP-14
ST72F321BJ9T6 1888 St. 16+ QFP
W25X40BVSSIG 1888 WINBOND 16+ SOP8
CD4017BE 1889 TI 13+ BAD
ADA4899-1YRDZ 1895 ANZEIGE 15+ SOP8
PIC18F26K20-I/SO 1900 MIKROCHIP 16+ SOP28
MC34064P-5G 1941 AUF 16+ TO92
BQ27510DRZR 1955 TI 14+ SON-12
AK4420ET 1975 AKM 14+ TSSOP16
AD7541AJN 1990 ANZEIGE 14+ DIP-18
PIC18F97J60-I/PT 1990 MIKROCHIP 16+ QFP
XC3S400-4TQG144C 1990 XILINX 16+ TQFP-144
FA5571N 1991 FUJI 13+ SOP8
MBR1045G 1991 AUF 15+ TO-220
A2231 1997 AVAGO 16+ DIP-8

VERWANDTE PRODUKTE
Bild Teil # Beschreibung
0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123  PMEG6010ER 1A

Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

BERG Fernsehdioden der SMBJ5.0A-Silikon-Lawinen-Dioden-600W Oberflächen

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ:
10pcs