CNY66B elektronisches IC Chips Optocoupler mit Fototransistor-Ertrag
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
CNY64/CNY65/CNY66
Optokoppler, Fototransistor-Ertrag, sehr hohe Isolierungs-Spannung
Eigenschaften
• Bewertete Isolierungsspannung (Effektivwert schließt DC) ein, VIOWM = 1000 VRMS (1450 v-Spitze)
• Bewertete wiederkehrende Höchstspannung (sich wiederholendes) VIORM = 1000 VRMS
• Stärke durch Isolierung ≥ 3 Millimeter
• Gegenwärtiger Widerstand des Creepage entsprechend Kriechstromzahl Vde 0303/IEC 60112: CTI-≥ 200
• Bleifreie Komponente
• Komponente in der Übereinstimmung zu RoHS 2002/95/EC und WEEE 2002/96/EC
Agentur-Zustimmungen
• UL1577, Systemcode Datei-Nr. E76222 H, J-&K, doppelter Schutz
• LÄRM-en 60747-5-5 LÄRM-en 60747-5-2 (VDE0884) schwebend
• Vde bezog sich Eigenschaften:
• Bewertete Antriebspannung (vorübergehende Überspannung) VIOTM = 8 KV-Spitze
• Isolierungsprüfspannung (Teilsprüfspannung) Vpd = 2,8 KV-Spitze
Anwendungen
Stromkreise für sichere schützende Trennung gegen elektrischen Schock entsprechend Sicherheitsklasse II (verstärkte Isolierung):
Für appl. Klasse I - IV an Netzspannung ≤ 300 V
Für appl. Klasse I - IV an Netzspannung ≤ 600 V
Für appl. Klasse I - III an Netzspannung ≤ 1000 V entsprechend LÄRM-en 60747-5-2 (VDE0884)/LÄRM-en 60747 - 5-5 schwebend, Tabelle 2, passend für:
Schalter-Modusstromversorgung, Linie Empfänger, Computerzusatzschnittstelle, MikroprozessorSystemschnittstelle.
Beschreibung
Die CNY64/CNY65/CNY66 bestehen aus einem Fototransistor, der optisch zu einer infrarotemittierenden Diode des Galliumarsenids in einem 4 Stiftplastikpaket verbunden wird.
Die einzelnen Komponenten werden gegenüber von gegenseitig angebracht und stellen einen Abstand zwischen Input und Ertrag für höchste Sicherheitsauflagen von > 3 Millimeter zur Verfügung.
Absolute Maximalleistungen
Tamb = °C 25, wenn nicht anders angegeben
Drücke mehr als die absoluten Maximalleistungen können Dauerschaden zum Gerät verursachen. Funktionsoperation des Gerätes wird nicht an diesen oder an irgendwelchen anderen Bedingungen mehr als die bedeutet, die in den Betriebsabschnitten dieses Dokuments gegeben werden. Aussetzung zur absoluten Maximalleistung für längere Zeiträume der Zeit kann Zuverlässigkeit nachteilig beeinflussen.
Parameter | Testbedingung | Symbol | Wert | Einheit |
---|---|---|---|---|
Input | ||||
Sperrspannung | VR | 5 | V | |
Vorwärtsstrom | WENN | 75 | MA | |
Vorwärtsüberspannung | TP-≤ 10 µs | IFSM | 1,5 | |
Verlustleistung | Pdiss | 120 | mW | |
Grenzschichttemperatur | Tj | 100 | °C | |
Ertrag | ||||
Kollektor-Emitter-Spannung | VCEO | 32 | V | |
EmitterAnodenspannung | VECO | 7 | V | |
Kollektorstrom | IC | 50 | MA | |
Spitzenstrom des Kollektors | tp/T = 0,5, TP-≤ 10 Frau | ICM | 100 | MA |
Verlustleistung | Pdiss | 130 | mW | |
Grenzschichttemperatur | Tj | 100 | °C | |
Koppler | ||||
Wechselstrom-Isolierungsprüfspannung (Effektivwert) | t = 1 Minute | VISO | 8,2 | KV |
Gesamtleistungsableitung | Ptot | 250 | mW | |
Umgebende Temperaturspanne | Tamb | - 55 bis + 85 | °C | |
Lagertemperaturbereich | Tstg | - 55 bis + 100 | °C | |
Löttemperatur | 2 Millimeter vom Fall, t-≤ 10 s | Tsld | 260 | °C |
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
IRFU220NPBF | 1820 | IR | 13+ | TO-251 |
MCP73871-2CCI/ML | 1820 | MIKROCHIP | 15+ | QFN |
PC410L | 1821 | SCHARFES | 16+ | SOP5 |
BAD AT24C01 | 1822 | ATMEL | 16+ | BAD |
IRF530NPBF | 1822 | IR | 14+ | TO-220 |
TNY280PN | 1822 | ENERGIE | 14+ | DIP-7 |
74HC595 | 1841 | 14+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL | |
3296W-1-503IF | 1850 | BOURNS | 16+ | BAD |
LT1172CT | 1850 | LT | 16+ | TO220-5 |
A4506 | 1875 | ANAGO | 13+ | SOP-8 |
APM4546 | 1877 | ANPEC | 15+ | SOP-8 |
HCS360/SN | 1879 | MICROC | 16+ | SOP8 |
HEF4069UBT | 1887 | 16+ | SOP14 | |
IRF1010EPBF | 1887 | IR | 14+ | TO-220 |
2N2907A | 1888 | St. | 14+ | CAN3 |
MCP609-I/SL | 1888 | MIKROCHIP | 14+ | SOP-14 |
ST72F321BJ9T6 | 1888 | St. | 16+ | QFP |
W25X40BVSSIG | 1888 | WINBOND | 16+ | SOP8 |
CD4017BE | 1889 | TI | 13+ | BAD |
ADA4899-1YRDZ | 1895 | ANZEIGE | 15+ | SOP8 |
PIC18F26K20-I/SO | 1900 | MIKROCHIP | 16+ | SOP28 |
MC34064P-5G | 1941 | AUF | 16+ | TO92 |
BQ27510DRZR | 1955 | TI | 14+ | SON-12 |
AK4420ET | 1975 | AKM | 14+ | TSSOP16 |
AD7541AJN | 1990 | ANZEIGE | 14+ | DIP-18 |
PIC18F97J60-I/PT | 1990 | MIKROCHIP | 16+ | QFP |
XC3S400-4TQG144C | 1990 | XILINX | 16+ | TQFP-144 |
FA5571N | 1991 | FUJI | 13+ | SOP8 |
MBR1045G | 1991 | AUF | 15+ | TO-220 |
A2231 | 1997 | AVAGO | 16+ | DIP-8 |

0402 Dickfilm Chip Resistor RC0402JR-0710KL 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A für Stromleitung TDK SMD0603

Film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC 22R 5%

MOV-20D751K 750V 6.5kA Varistor blaues SMD Chip Resistor 1 Stromkreis durch Lochscheibe 20mm

2SB1261-TP 10W universelles Gleichrichterdiode-Silikon Epitaxial- planarer Pnp-Transistor

Polarer Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A Energie IXFK140N30P

DF2B29FU, Schutz-Dioden H3F Fernsehen 24VWM 47V ESD

Niedriger VF MEGA- Schottky Sperren-Gleichrichter SOD123 PMEG6010ER 1A

Sperren-Gleichrichterdioden SK34SMA 3A SMD Schottky TUN - 214AC
