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Neuer u. ursprünglicher industriekompatibler Einfachkanal 6 Pin-BAD Optokoppler 4N35

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
4N35
Kategorie:
Energie-Management IC
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Sperrspannung:
6,0 V
Vorwärtsstrom:
60 MA
Überspannung (µs t≤10):
2,5 A
Verlustleistung:
100 mW
Lagertemperatur:
– 55°C zu +150°C
Betriebstemperatur:
– 55°C zu +100°C
Höhepunkt:

small scale integrated circuits

,

integrated components

Einleitung

Industriekompatibler Einfachkanal 6 Pin-BAD Optokoppler

EINHEITENTYPEN

Teilnummer % CTR Min. Teilnummer % CTR Min.

4N25 20 MCT2 20

4N26 20 MCT2E 20

4N27 10 MCT270 50

4N28 10 MCT271 45-90

4N35 100 MCT272 75-150

4N36 100 MCT273 125-250

4N37 100 MCT274 225-400

4N38 10 MCT275 70-90

H11A1 50 MCT276 15-60

H11A2 20 MCT277 100

H11A3 20

H11A4 10

H11A5 30

EIGENSCHAFTEN

• Schnittstellen mit allgemeinen Logik-Familien

• Input/Output Koppelungs-Kapazitanz < 0="">

• Industriekompatibles Doppelreihen6 Stiftpaket

• Feld-Effekt-Stall durch TRIOS®

• 5300 VRMS-Isolierungs-Prüfspannung

• Versicherer-Labordatei #E52744

• Zustimmung Vde #0884 verfügbar mit Wahl 1

ANWENDUNGEN

• Wechselstrom-Hauptleitungs-Entdeckung

• Reed Relay Driving

• Schalter-Modus-Stromversorgungs-Feedback

• Telefon Ring Detection

• Logik-Boden-Isolierung

• Logik-Koppelung mit Ablehnung des hochfrequenten Geräusches

Anmerkungen: Das Entwerfen mit Leistungsblatt wird in Anwendungs-Anmerkung 45 umfasst.

BESCHREIBUNG

Dieses Leistungsblatt stellt fünf Familien von industriekompatiblen Einfachkanal-Fototransistor-Kopplern Vishay dar. Diese Familien schließen die Arten 4N25/26/27/28, die Koppler 4N35/36/37/38, das H11A1/A2/A3/A4/A5, die MCT2-/2E und MCT270-/271/272/273/274/275/276/277 Geräte ein. Jeder Optokoppler besteht Galliumarsenid Infrarot-LED und aus einem Fototransistor des Silikons NPN.

Diese Koppler sind die Versicherer-Labors (UL) aufgelistet, um mit einer 5300 VRMS-Isolierungs-Prüfspannung einzuwilligen. Diese Isolierungsleistung wird durch Vishay-Doppeltformteilisolierungs-Herstellungsverfahren vollendet. Befolgung zur Teilsisolierungsspezifikation Vde 0884 ist für diese Familien, indem sie Wahl 1. Fototransistor-Gewinnstabilität, in Anwesenheit der hohen Isolierungsspannungen bestellt, wird versichert verfügbar, indem sie ein transparentes lOn Schild (TRIOS) ® auf dem Fototransistorsubstrat enthält. Diese Isolierungsprozesse und die Qualitätsprogrammergebnisse Vishay IS09001 in der höchsten Isolierungsleistung verfügbar für einen Handelsplastikfototransistoroptokoppler.

Die Geräte sind in der Führung bildeten die Konfiguration verfügbar, die für Aufputzmontage passend ist und sind verfügbar entweder auf Band und Spule oder in den Standardrohrversandverpackungen.

Maximalleistungen TA=25°C

Emitter

Sperrspannung .......................................................................................... 6,0 V

Vorderes gegenwärtiges ........................................................................................ 60 MA

Überspannung (µs t≤10) ............................................................................... 2,5 A

Verlustleistung ................................................................................... 100 mW

Detektor

Kollektor-Emitter Durchbruchsspannung ........................................................... 70 V

Emitter-Basis-Durchbruchsspannung ................................................................ 7,0 V

Kollektorstrom ....................................................................................... 50 MA

Kollektorstrom (t <1>

Verlustleistung ................................................................................... 150 mW

Paket

Isolierungs-Prüfspannung .......................................................................... 5300 VRMS

Creepage .............................................................................................. ≥7.0 Millimeter

Freigabe ............................................................................................. ≥7.0 Millimeter

Isolierungs-Stärke zwischen Emitter und Detektor ............................... ≥0.4 Millimeter

Kriechstromzahl pro LÄRM-Iec 112/VDE0303, Teil 1 .................. 175

Isolationswiderstand

VIO =500 V, Ω 1012 TA =25°C ...............................................................................

VIO =500 V, TA =100°C ............................................................................ Ω 1011

Lagertemperatur ................................................................ – 55°C zu +150°C

Betriebstemperatur ............................................................ – 55°C zu +100°C

Grenzschichttemperatur ................................................................................ 100°C

Löttemperatur (Maximum 10 s, Tauchlöten:

Abstand zu setzender Fläche ≥1.5 Millimeter) ...................................................... 260°C

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MOQ:
10pcs