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GaAs Ired u. Foto - Transistor, programmierbarer Prüfer TLP504A-2

fabricant:
Hersteller
Kategorie:
Integrierte Schaltungschips
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Pulsieren Sie vorwärts gegenwärtig:
1 (100μs Impuls, 100pps) A
Sperrspannung:
5 V
GRENZSCHICHTTEMPERATUR:
°C 125
Collector−Emitter-Spannung:
55 V
Emitter−collector-Spannung:
7 V
Kollektorstrom:
50 MA
Lagertemperaturbereich:
°C −55~150
Betriebstemperaturbereich:
°C −55~100
Höhepunkt:

chip in electronics

,

integrated components

Einleitung

TOSHIBA-Fotokupplung GaAs Ired u. Foto−Transistor

TLP504A, TLP504A−2

Programmierbare Prüfer Wechselstrom/DC−Input-Modul-Halbleiterrelais

Das TOSHIBA TLP504A und TLP504A−2 besteht aus einem photo−transistor, das optisch zu einer infrarotemittierenden Diode des Galliumarsenids verbunden wird.

Das TLP504A bietet zwei lokalisierte Kanäle in einem acht Führung Plastik-BAD-Paket an, während das TLP504A−2 vier lokalisierte Kanäle in einem Plastik-Paket des BADES sechzehn liefert.

• Collector−emitter-Spannung: 55 V (Min.)

• Gegenwärtiger Übertragungsfaktor: 50% (Min.) Rang GB: 100% (Min.)

• Isolierungsspannung: 2500 Vrms (Min.)

• UL erkannte: UL1577,

Dateinr. E67349

Pin Configurations (Draufsicht)

Absolute Maximalleistungen (Ta = 25°C)

Eigenschaft Symbol Bewertung Einheit
TLP504A TLP504A−2
LED Vorwärtsstrom WENN 60 50 MA
Vorderes gegenwärtiges Herabsetzen ΔIF/°C −0.7 (Ta-≥ 39°C) −0.5 (Ta-≥ 25°C) MA/°C
Pulsieren Sie vorwärts gegenwärtig IFP 1 (100μs Impuls, 100pps)
Sperrspannung VR 5 V
Grenzschichttemperatur Tj 125 °C
Detektor Collector−emitter-Spannung VCEO 55 V
Emitter−collector-Spannung VECO 7 V
Kollektorstrom IC 50 MA
Kollektorverlustleistung (1 Stromkreis) PC 150 100 mW

Kollektorverlustleistungsherabsetzen

(1 Stromkreis Ta-≥ 25°C)

ΔPC/°C -1,5 -1,0 mW/°C
Grenzschichttemperatur Tj 125 °C
Lagertemperaturbereich Tstg −55~150 °C
Betriebstemperaturbereich Topr −55~100 °C
Führungslöttemperatur Tsol 260 (10 s) °C
Gesamtpaketverlustleistung Funktelegrafie 250 150 mW

Gesamtpaketverlustleistungsherabsetzen

(Ta-≥ 25°C)

ΔPT/°C -2,5 -1,5 mW/°C
Isolierungsspannung BVS

2500 (WECHSELSTROM, 1min., R.H.≤ 60%)

(Anmerkung 1)

Vrms

Anmerkung: Unter Verwendung ununterbrochen unter schweren Lasten (z.B. die Anwendung von der hohen Temperatur/das gegenwärtig/Spannung und die signifikante Veränderung in der Temperatur, in etc.) kann dieses Produkt veranlassen, sich in die Zuverlässigkeit erheblich zu verringern, selbst wenn die Betriebsbedingungen (d.h. Betriebstemperatur/gegenwärtig/Spannung, etc.) innerhalb der absoluten Maximalleistungen sind.

Entwerfen Sie bitte die passende Zuverlässigkeit nach der Überprüfung des Toshiba-Halbleiter-Zuverlässigkeits-Handbuches („Vorkehrungs“/„behandelnd Konzept und Methoden herabsetzend ") und der einzelnen Zuverlässigkeitsangaben (d.h. Zuverlässigkeitsprüfungsbericht und geschätzte Durchfallquote, usw.).

Anmerkung 1: Gerät hielt zwei für ABTD-Terminal: LED-Seitenstifte schlossen zusammen und die Detektorseitenstifte kurz, die zusammen kurzgeschlossen wurden.

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