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Komponentender elektronischen geräte und -integrierter Schaltungen der Elektronik-M74HCT14B1 SCHMITT-INVERTER HEXE

fabricant:
Hersteller
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Versorgungs-Spannung:
-0,5 bis +7 V
DC-Eingangsspannung:
-0,5 bis VCC + 0,5 V
DC gab Diodenstrom ein:
± 20 MA
Verlustleistung:
500 mW
Lagertemperatur:
℃ -65 bis +150
Führungs-Temperatur (sek 10):
300 ℃
Höhepunkt:

chip in electronics

,

integrated components

Einleitung

Komponentender elektronischen geräte und -integrierter Schaltungen der Elektronik-M74HCT14B1 SCHMITT-INVERTER HEXE

M54HCT14

M74HCT14

HEXE SCHMITT-INVERTER

• HOHE GESCHWINDIGKEIT

tPD = 16 ns (ART.) BEI VCC =5V

• ABLEITUNG DER GERINGEN ENERGIE

ICC = 1 µA (MAXIMUM) AN TA = °C 25

• HOHE STÖRSICHERHEIT

VH = 0,7 V (ART.) BEI VCC =5V

• OUTPUT LASTEN DER TREIBEREIGENSCHAFTS-10 LSTTL

• SYMMETRISCHE AUSGANGSIMPEDANZ

︱ IOH ︱ = IOL = 4 MA (Min.)

• AUSGEGLICHENE LAUFZEITVERZÖGERUNGEN

tPLH = tPHL

• PIN UND FUNKTION KOMPATIBEL MIT 54/74LS14

BESCHREIBUNG

Das M54/74HCT14 ist ein Hochgeschwindigkeits-CMOS-HEXE SCHMITT-INVERTER, der in Silikontor C2 MOS-Technologie fabriziert wird. Es hat die gleiche Hochgeschwindigkeitsleistung von LSTTL kombinierte mit wahrer Leistungsaufnahme CMOS-geringer Energie. Stiftbelegung und Funktion sind die selben wie die des HCT04, aber aller Input hat 0,7 v-Hysteresenniveau. Dieses zusammen mit seiner Schmitt-Trigger-Funktion erlaubt, dass sie auf Linie Empfänger mit Eingangssignalen des mäßigen Anstiegs/Fall verwendet wird. Diese integrierte Schaltung hat die Input- und Ausgangskennlinien, die völlig sind - kompatibel mit den Familien mit 54/74 LSTTL-Logiks. M54-/74HCTgeräte sind entworfen, um HSC2 MOS-Systeme an TTL- und NMOS-Komponenten direkt anzuschließen. Sie sind anschließen auch Ersatz für LSTTL-Geräte, die eine Reduzierung der Leistungsaufnahme geben. Aller Input wird mit Pro ausgerüstet

ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN

Symbol Parameter Wert Einheit
VCC Versorgungs-Spannung -0,5 bis +7 V
VI DC-Eingangsspannung -0,5 bis VCC + 0,5 V
Vl DC-Ausgangsspannung -0,5 bis VCC + 0,5 V
IIK DC gab Diodenstrom ein ± 20 MA
IOK DC-Ertrag-Diodenstrom ± 20 MA
IO DC-Ertrag-Quellwannen-Strom pro Ertrag Pin ± 25 MA
ICC oder IGND DC VCC oder Grundstrom ± 50 MA
PD Verlustleistung 500 (*) mW
Tstg Lagertemperatur -65 bis +150
Zeitlimit Führungs-Temperatur (sek 10) 300

Absolutes MaximumRatings sind jene Werte über whichdamage hinaus zum Gerät auftritt möglicherweise. Funktionsoperation unter diesen Bedingung isnotimplied.

(*) 500 mW: ≅ 65 ℃ setzen bis 300 mW durch 10mW/℃ herab: ℃ 65 zu ℃ 85

EINGEGEBENES UND OUTPUT ERSATZSCHALTBILD

Pin-VERBINDUNGEN (Draufsicht)

LOGIK DIAGRAM/WAVEFORM

SCHALTCHARAKTERISTIK PRÜFT STROMKREIS

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