Elektronischer IC Chips Small Scale Dual Low Geräusch-Operationsverstärker IC NE5532P
Elektronische IC Chips NE5532P
,Elektronische IC Chips NE5532P
,Lärmarmer Operationsverstärker IC
NE5532P-Elektronik-Komponenten brechen IC-Elektronik ab
LÄRMARME VERDOPPELUNGOPERATIONSVERSTÄRKER
Ein Teil der Bestandsliste
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| Res 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| Res 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MIKROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | SCHARFES | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORT 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MIKROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | St. | 135 | SOP-24 |
| KAPPE 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| KAPPE ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | PAN | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MIKROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| KAPPE ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| KAPPE CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| KAPPE CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| Res 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| FALL 0805RC0805JR-073K3L RES 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | St. | 628 | TO-3P |
| KAPPE 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
EIGENSCHAFTEN
Äquivalent eingegebene Art der Störspannungs-5 nV/√Hz bei 1 kHz?
Einheit-Gewinn-Bandbreite… 10 MHZ Art-?
Art Gleichtaktunterdrückungs-Verhältnis… DB-100
? Hoher DC-Spannungs-Gewinn… 100 V-/mVart?
Spitzen-Spitzenausgangsspannung schwingen 32 v-Art
Mit VCC± = ±18 V und RL = Ω 600
? Hohe Anstiegsgeschwindigkeit… 9 V-/µsart?
Breite Versorgung-Spannungs-Strecke… ±3 V bis ±20 V
ALLGEMEINE BESCHREIBUNG
Die K6X8008C2B-Familien werden durch SAMSUNG¢s voranbrachten volle Verfahrenstechnik CMOS fabriziert. Die Familien stützen verschiedenen Betriebstemperaturbereich für Benutzerflexibilität des Systemdesigns. Die Familien stützen auch niedrige Datenzurückhaltenspannung für BatterieReservebetrieb mit dem niedrigen gegenwärtigen Datenzurückhalten.
Absolute Maximalleistungen
Versorgungsspannung (sehen Anmerkung 1): VCC+……………………… 22 V
Eingangsspannung, entweder Input (sehen Anmerkungen 1 und 2) VCC±…. -22V
Eingangsstrom (sehen Sie Anmerkung 3)……………………. ±10 MA
Dauer des Ertragkurzschlusses (sehen Sie thermischen Widerstand unbegrenzten…………… des Pakets der Anmerkungs-4),
θJA (sehen Sie Anmerkungen 5 und 6): D-Paket 97………………………. °C/W
P-Paket 85………………………. °C/W PS
Paket 95……………………… °C/W
Funktionierende virtuelle Grenzschichttemperatur, TJ 150°C
Lagertemperaturbereich, °C Tstg −65 zu 150°C