H11F3SM elektronisches IC Chips Transistor IC Chip Electronics Rectifier Diode
H11F3SM
,Elektronische IC Chips H11F3SM
,Elektronik-Transistor IC-Chip
TRANSISTOR-Chip IC-Elektronik-Gleichrichterdiode H11F3SM Electrnocs Teil
H11F1M, H11F2M, H11F3M Foto FET-Optokoppler
Eigenschaften
Als variabler entferntwiderstand:
■≤ 100Ω zum ≥ 300MΩ
■≤ 15pF Weichenkapazitanz
■≥ 100GΩ Input-/Outputisolationswiderstand als analoger Schalter:
■Extrem - niedrige Offsetspannung
■Fähigkeit des Signals 60 Vpk-PK
■Keine Gebühreneinspritzung oder -sperrung
■UL erkannte (Datei #E90700)
Anwendungen
Als variabler entferntwiderstand:
■Lokalisierter variabler Abschwächer
■Automatische Verstärkungsregelung
■Aktives Filtereinstellen/Band, das als analoger Schalter schaltet:
■Lokalisierter Abtast- und Haltekreis
■Gemultiplexte, optisch lokalisierte A-/Dumwandlung
Allgemeine Beschreibung
Die H11FXM-Reihe besteht aus einem Gallium-AluminumArsenide IRED, welches die Diode ausstrahlt, die zu einem symmetrischen bilateralen Silikonphotodetektor verbunden wird.
Der Detektor wird elektrisch vom Input lokalisiert und durchführt wie ein idealer lokalisierter FET, der zur Verzerrung-freien Steuerung von niedrigen Analogsignalen Wechselstroms und DCs bestimmt ist.
Die H11FXM-Reihengeräte werden in Dual in-line Gehäuse angebracht.
ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (1)
|
Spannung DSS 3 V 0 G V D V Regen-zuquell |
| TRANSPORT BC847BLT1 | 18000 | AUF | CHINA |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CHINA |
| RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CHINA |
| DIODO DF06S | 3000 | SEPT | CHINA |
| KAPPE 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | JAPAN |
| DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODEN | MALAYSIA |
| INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | JAPAN |
| Res 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
| Res 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CHINA |
| DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALAYSIA |
| Res 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
| MUNITION DIODO UF4007 | 500000 | MIC | CHINA |
| TRANS. ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWAN |
| Res 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | CHINA |
| ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | TAIWAN |
| TRANSPORT MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODEN | MALAYSIA |
| TRANSPORT STGW20NC60VD | 1000 | St. | MALAYSIA |
| C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | THAILAND |
| C.I MC33298DW | 1000 | MOT | MALAYSIA |
| C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALAYSIA |
| C.I P8255A5 | 4500 | INTEL | JAPAN |
| C.I HM6116P-2 | 5000 | HITACHI | JAPAN |
| C.I DS1230Y- 150 | 2400 | DALLAS | PHILIPPINEN |
| TRANS. ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWAN |
| TRIAC BT151-500R | 500000 | MAROKKO | |
| C.I HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWAN |
| TRIAC TIC116M | 10000 | TI | THAILAND |
| DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALAYSIA |
| DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALAYSIA |
| C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWAN |
| C.I CD40106BE | 250 | TI | THAILAND |
| ACOPLADOR PC733H | 1000 | SCHARFES | JAPAN |
| TRANSPORT NDT452AP | 5200 | FSC | MALAYSIA |
| CI LP2951-50DR | 1200 | TI | THAILAND |
| CI MC7809CD2TR4G | 1200 | AUF | MALAYSIA |
| DIODO MBR20200CTG | 22000 | AUF | MALAYSIA |
| FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | TAIWAN |
| C.I TPIC6595N | 10000 | TI | THAILAND |
| EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALAYSIA |
| DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | CHINA |
| C.I CD4060BM | 500 | TI | THAILAND |
| ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | MALAYSIA |
| DIODO W08 | 500 | SEPT | CHINA |
| C.I SN74HC373N | 1000 | TI | PHILIPPINEN |
| FOTOSENSOR 2SS52M | 500 | Honeywell | JAPAN |
| C.I SN74HC02N | 1000 | TI | THAILAND |
| C.I CD4585BE | 250 | TI | THAILAND |
| C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C | 40 | MIKROMETER | MALAYSIA |
| DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | AUF | MALAYSIA |
Gehäuseabmessungen
Einheit: Millimeter 2120