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PVT322S-Zenerdiode IC-Elektronik-Komponenten-Programm IC Chip Memory IC

fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
Festzustand SPST-NO (1 Form A) x 2 8-SMD (0,300", 7.62mm)
Kategorie:
Flash-Speicher IC-Chip
Preis:
Negotiation
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Temperaturspanne:
– 40°C zu +100°C
Zahlungsbedingung:
T/T, Paypal, Western Union
Spannung:
7.0v
Gegenwärtig:
2,0 zu 25mA
Paket:
SOP-8
Fabrik-Paket:
Spule
Höhepunkt:

chip in electronics

,

integrated components

Einleitung

Reihe PVT322

Mikroelektronische Energie Energie ICs HEXFET® photo-voltaisches Relais Doppel-Pole, normalerweise offenes 0-250V, 170mA AC/DC MOSFET

Allgemeine Beschreibung

Das photo-voltaische Relais der Reihen-PVT322 ist ein dualpole, normalerweise offenes Halbleiterrelais, das elektromechanische Relais in vielen Anwendungen ersetzen kann.

Es verwendet das HEXFET-Energie MOSFET des internationalen Gleichrichters als der Ausgabeschalter, angetrieben durch einen photo-voltaischen Generator der integrierten Schaltung des neuen Baus.

Der Ausgabeschalter wird durch Strahlung von einer lichtemittierenden Diode GaAlAs (LED) gesteuert die optisch vom photo-voltaischen Generator lokalisiert wird.

Relais der Reihen-PVT322 werden in einem 8 Stift, geformtes BAD-Paket entweder mit Anschlüssen des Durchloch- oder Oberflächenbergs (Möveflügel) verpackt.

Es ist in den Standardplastikversandrollen oder auf Band-andreel verfügbar. Beziehen Sie bitte sich auf Teil-Identifizierungsinformationsgegenteil.

Eigenschaft

HEXFET-Energie MOSFET-Ertrag

Schlag-freie Operation

4.000 VRMS Input-/Outputisolierung

Lineare AC-/DCoperation

Festkörperzuverlässigkeit

UL erkannte und bestätigtes BABT

Anwendungen???

AN/AUS-Hakenschalter? Spitzen- und Ring Line-Schaltung?

Allgemeines Schaltung PA

ABSOLUTE MAXIMALLEISTUNGEN (1)

Minimaler Steuerstrom (sehen Sie figure1), 2,0 MA

Maximaler Steuerstrom für Sperrwiderstand @TA=+25°C 0,4 MA

Steuerstrom-Strecke (Vorsicht: Strombegrenzungsinput LED, sieht Tabelle 5) 2,0 bis 25 MA

Sperrspannung 7,0 V

Minimale Durchschlagsfestigkeit, Input/Output 4000 VRMS

Minimale Durchschlagsfestigkeit, Pole-zu-Pole 1000 VDC

Minimaler Isolationswiderstand, Input/Output, @TA=+25°C, 50%RH, Ω 100VDC 1012

Maximale Kapazitanz, Input/Output 1,0 PF maximaler Pin

Löttemperatur (10 Sekunden maximal) +260

Umgebende Temperaturspanne: Betrieb -40 bis +85 °C Speicher -40 bis +100


TEIL DES VORRATES

TRANS. FDS9435A 1500 FSC 15+ SOP-8
DIODO MMBD4148,215 300000 15+ SOT23-3
C.I L7805CD2T-TR 2500 St. 14+ D2PAK
FDS6990A 1500 FSC 15+ SOP-8
NDS9952A 1500 FSC 15+ SOP-8
SN65HVD485EDR 1500 TI 16+ SOP-8
SMBJ8.5CA 7500 VISHAY 16+ SMB
PIC24FJ16GA004-I/PT 1500 MIKROCHIP 13+ TQFP-44
C.I TLC072CDGNR 5000 TI 05+ MSOP-8
C.I SN74LS374N 2000 TI 15+ DIP-20
TRANS. BC817-16LT1G 300000 AUF 12+ SOT-23
C.I TL074CN 1000 TI 12+ DIP-14
OPTOACOPLADOR MOC3063SM 20000 FSC 14+ SOP-6
TRIAC BT151-500R 300000 16+ TO-220
C.I MM74HC164MX 25000 FSC 05+ SOP-14
C.I WS79L05 100000 WS 16+ TO-92
RES RL1206FR-070R75L 100000 YAGEO 16+ SMD1206
RES RC1206FR-071R5L 500000 YAGEO 16+ SMD1206
RES RC1206FR-071R2L 500000 YAGEO 16+ SMD1206
RES RL1206FR-070R68L 1000000 YAGEO 16+ SMD1206
RES RC0402FR-0722KL 3000000 YAGEO 16+ SMD0402
RES RC0402FR-0756RL 2000000 YAGEO 16+ SMD0402
RES RC0402FR-0724RL 2000000 YAGEO 16+ SMD0402
RES RC1206JR-072ML 500000 YAGEO 16+ SMD1206
KAPPE 1206 22PF 1KV NP0 CL31C220JIFNFNE 600000 SAMSUNG 16+ SMD1206

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