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Nexperia

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Bild Teil # Beschreibung fabricant Auf Lager RFQ
PIMN31,115 NPN / PNP-Widerstand ausgestatteter Transistor 500 MA 50V Dual Gate-Transistor

PIMN31,115 NPN / PNP-Widerstand ausgestatteter Transistor 500 MA 50V Dual Gate-Transistor

Bipolartransistor (BJT) 2 NPN - Bipolartransistor (Dual) 50V 500mA 420mW Oberflächenhalter 6-TSOP
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BAT120C,115 Neuer und ursprünglicher Bestand

BAT120C,115 Neuer und ursprünglicher Bestand

Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-261-4, TO-261AA der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-25 V 1A (DC)
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BCP51-16,115 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCP51-16,115 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Bipolarer (BJT) Transistor PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Oberflächenhalter SOT-223
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2N7002BKS,115 NEU UND ORIGINAL LAGER

2N7002BKS,115 NEU UND ORIGINAL LAGER

Oberflächenberg 295mW 6-TSSOP Mosfet-Reihen-60V 300mA (Ta)
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74LVC2G66GD,125 Neue und ursprüngliche Bestände

74LVC2G66GD,125 Neue und ursprüngliche Bestände

2 Stromkreis IC-Schalter1:1 10Ohm 8-XSON (2x3)
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74LVC74APW,118 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

74LVC74APW,118 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Element D-artiges 1 Flip Flops 2 biss positiven Rand 14-TSSOP (0,173", 4.40mm Breite)
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74LVT14PW,112 Neue und ursprüngliche Bestände

74LVT14PW,112 Neue und ursprüngliche Bestände

Kanal-Schmitt-Trigger 14-TSSOP Inverter ICs 6
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74LVT14PW,118 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

74LVT14PW,118 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Kanal-Schmitt-Trigger 14-TSSOP Inverter ICs 6
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74AVC8T245PW:112 Flash-Speicher-IC Neues und Original

74AVC8T245PW:112 Flash-Speicher-IC Neues und Original

Übersetzungstransceiver 1 Element 8 Bit pro Element 3-State-Ausgang 24-TSSOP
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PHD97NQ03LT,118 Chipdiode neu und originell

PHD97NQ03LT,118 Chipdiode neu und originell

Berg DPAK des N-Kanal-25 V 75A (Tc) der Oberflächen-107W (Tc)
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BCV47-QVL Chipdiode Neues und Originalvorrat

BCV47-QVL Chipdiode Neues und Originalvorrat

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 MA 250-mW-Oberflächenberg TO-236AB
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PMN45EN,135 Chipdiode Neues und Originalvorrat

PMN45EN,135 Chipdiode Neues und Originalvorrat

Berg 6-TSOP des N-Kanal-30 V 5.2A (Tc) der Oberflächen-1.75W (Tc)
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BC857W-QF Chipdiode neu und originell

BC857W-QF Chipdiode neu und originell

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
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PESD5V0F1BL,315 Hochspannungsdiode Neues und Original

PESD5V0F1BL,315 Hochspannungsdiode Neues und Original

15V Fernsehdioden-Oberflächenberg DFN1006-2 der Klammern-2.5A (8/20µs) Ipp
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PUMT1 Chipdiode neu und originell

PUMT1 Chipdiode neu und originell

Zweipoliger Oberflächenberg 6-TSSOP des Transistor-(BJT) der Reihen-2 PNP (Doppel) 40V 100mA 100MHz
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BAV70SRAZ Chipdiode Neues und Original

BAV70SRAZ Chipdiode Neues und Original

Dioden-Reihe 2 Oberflächen-Berg 6-XFDFN der Paar-allgemeiner Kathoden-100 V 355mA (DC) stellte Aufla
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BZA968A,115 Hochstromdiode Neues und Original

BZA968A,115 Hochstromdiode Neues und Original

Klammer Ipp-Fernsehdioden-Oberflächenberg SOT-665
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BAT 120C,115 Hochspannungsdiode neu und Originalbestand

BAT 120C,115 Hochspannungsdiode neu und Originalbestand

Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-261-4, TO-261AA der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-25 V 1A (DC)
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PDZ3.3B,115 Hochspannungsdiode Neues und Original

PDZ3.3B,115 Hochspannungsdiode Neues und Original

Oberflächenberg SOD-323 der Zenerdiode-3,3 V 400 mW ±2%
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PMLL4448,135 Hochleistungsdiode Neues und Original

PMLL4448,135 Hochleistungsdiode Neues und Original

Oberflächenberg LLDS der Dioden-75 V 200mA; MiniMelf
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BAW56S,135 Feldwirkungstransistor

BAW56S,135 Feldwirkungstransistor

Diodenarray, 2 Paar, gemeinsame Anode, 90 V, 250 mA (DC), Oberflächenmontage, 6-TSSOP, SC-88, SOT-36
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BC807,215 Feldwirkungstransistor

BC807,215 Feldwirkungstransistor

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 80MHz 250-mW-Oberflächenberg TO-236AB
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BAT721C,215 Neuer und ursprünglicher Bestand

BAT721C,215 Neuer und ursprünglicher Bestand

Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-40 V 200mA (
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BAT721S,215 Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial

BAT721S,215 Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial

Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-40 V 200mA (DC)
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BAT74,215 Feldwirkungstransistor Neues und ursprüngliches Lager

BAT74,215 Feldwirkungstransistor Neues und ursprüngliches Lager

Oberflächen-Berg TO-253-4, TO-253AA der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-30 V 200mA (DC)
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BAT74,235 Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial

BAT74,235 Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial

Oberflächen-Berg TO-253-4, TO-253AA der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-30 V 200mA (DC)
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BAT74S/S500X Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial

BAT74S/S500X Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial

Oberflächenberg TO-253-4, TO-253AA der Dioden-Reihen-30 V
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BAT74S,135 Feldwirkungstransistor

BAT74S,135 Feldwirkungstransistor

Oberflächen-Berg 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-30 V 200mA (DC)
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BAT74S,115 Feldwirkungstransistor NEW AND ORIGINAL

BAT74S,115 Feldwirkungstransistor NEW AND ORIGINAL

Oberflächen-Berg 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-30 V 200mA (DC)
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BAT 754S,215 Feldwirkungstransistor NEUES UND ORIGINAL

BAT 754S,215 Feldwirkungstransistor NEUES UND ORIGINAL

Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-30 V 200mA (DC)
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BAT 754L,115 Feldwirkungstransistor NEW AND ORIGINAL

BAT 754L,115 Feldwirkungstransistor NEW AND ORIGINAL

Oberflächen-Berg 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 der Dioden-Reihen-3 des Unabhängig-30 V 200mA (DC)
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BAT760Z Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial

BAT760Z Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial

Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-20 V 1A
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BAT 760,115 Feldwirkungstransistor

BAT 760,115 Feldwirkungstransistor

Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-20 V 1A
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BAV170 Feldwirkungstransistor

BAV170 Feldwirkungstransistor

Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-85 V 125mA (
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BCX53,146 Chipdiode Neues und Originalvorrat

BCX53,146 Chipdiode Neues und Originalvorrat

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-89 145MHz 1,3 W
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1PS76SB40,135 Hochstromdiode Neues und Original

1PS76SB40,135 Hochstromdiode Neues und Original

Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-40 V 120mA
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PESD12VS1UL,315 Chipdiode neu und originell

PESD12VS1UL,315 Chipdiode neu und originell

35V Fernsehdioden-Oberflächenberg DFN1006-2 der Klammern-5A (8/20µs) Ipp
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PHK31NQ03LT Chipdiode neu und originell

PHK31NQ03LT Chipdiode neu und originell

Mosfet-Reihe
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PDZ10BGWX Hochleistungsdiode Neues und Original

PDZ10BGWX Hochleistungsdiode Neues und Original

Oberflächenberg SOD-123 der Zenerdiode-10 V 365 mW ±2.2%
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BAV23,235 Feldwirkungstransistor

BAV23,235 Feldwirkungstransistor

Oberflächen-Berg TO-253-4, TO-253AA der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-200 V 225mA (DC)
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BAV23,215 Feldwirkungstransistor

BAV23,215 Feldwirkungstransistor

Oberflächen-Berg TO-253-4, TO-253AA der Dioden-Reihen-2 des Unabhängig-200 V 225mA (DC)
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BAV23A-QR-Feldwirkungstransistor

BAV23A-QR-Feldwirkungstransistor

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Anoden-200 V 225mA
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BAV70S,115 Feldwirkungstransistor

BAV70S,115 Feldwirkungstransistor

Diodenarray, 2 Paar, gemeinsame Kathode, 100 V, 250 mA (DC), Oberflächenmontage, 6-TSSOP, SC-88, SOT
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BCX51-10F Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCX51-10F Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Bipolarer (BJT) Transistor PNP 45 V 1 A 145 MHz 500 mW Oberflächenmontage SOT-89
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BCX51-16TF NEU UND STAMMAKTIE

BCX51-16TF NEU UND STAMMAKTIE

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 1 A 500-mW-Oberflächenberg SOT-89
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BCX51-16,135 NEU UND STAMMAKTIE

BCX51-16,135 NEU UND STAMMAKTIE

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 1 ein Oberflächenberg SOT-89 145MHz 1,3 W
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BCX52-10TF NEU UND STAMMAKTIE

BCX52-10TF NEU UND STAMMAKTIE

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 1 A 500-mW-Oberflächenberg SOT-89
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BCX51-16,115 NEU UND STAMMAKTIE

BCX51-16,115 NEU UND STAMMAKTIE

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 1 ein Oberflächenberg SOT-89 145MHz 1,3 W
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BCX52-10,115 NEU UND STAMMAKTIE

BCX52-10,115 NEU UND STAMMAKTIE

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 1 ein Oberflächenberg SOT-89 145MHz 1,3 W
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BAV23A,215 Feldwirkungstransistor

BAV23A,215 Feldwirkungstransistor

Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Anode, 200 V, 225 mA (DC), Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-2
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