Brücken-Diode 1N4007 50 bis 1000 Volt 1,0 Ampere
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
Brücken-Diode 1N4007 50 bis 1000 Volt 1,0 Ampere
Merkmal
Niedrigflächenbau
Niedriger Vorwärtsspannungsabfall
Niedrige Rückflüssigkeit hohe Vorwärtsspannung
Hochtemperaturlöten garantiert:
260°C/10 Sekunden/.375 ′′ (9,5 mm) Leads leCM GROUPh bei 5 lbs (2,3 kg) Spannung
Mechanische Daten
Fall: Übertragungsguss aus Kunststoff
poxy: Flammschutzmittel UL94V-O
Polarität: Farbband bezeichnet das Ende der Kathode
Blei: Plattiertes axiales Blei, nach der MIL-STD-202E-Methode 208C geschweißt
Montageposition: Jede
Gewicht: 0,012 Unzen, 0,33 Gramm
Höchstwerte und elektrische Eigenschaften
· Nennwerte bei Umgebungstemperatur von 25 oC, sofern nicht anders angegeben · Einphasige, Halbwellen, 60 Hz, Widerstands- oder Induktionslast · Bei Kapazitätsauslastung um 20%
| Maximale RMS-Spannung | Symbole | 1N4001 | 1N4002 | 1N4003 | 1N4004 | 1N4005 | 1N4006 | 1N4007 | Einheit |
| Maximale Gleichspannung |
- Ich weiß nicht. |
50 | 100 | 200 |
400 |
600 | 800 | 1000 | V |
| Höchstdurchschnittlicher Vorwärtsgerichteter Strom 0,375 ̊ (9,5 mm) Blei leCM GROUPh bei TA= 25°C | Vrms | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
| Spitzenvorwärtsstrom 8,3 mS einzelne halbe Sinuswelle, die auf die Nennlast überlagert ist (JEDEC-Methode) | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 100 | V |
| Maximale sofortige Vorwärtsspannung @ 1,0A | (Av) | 1.0 | Eine | ||||||
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Maximale GleichstromumkehrTA = 25°C Nennstrom GleichspannungsblockadeTA=100VSpannung pro Element |
- Ich weiß. | 5.0 | μA | ||||||
| Vf | 50 | μA | |||||||
| Maximale volle Belastung Umkehrstrom, Durchschnitt des gesamten Zyklus 0,375 ̊ (9,5 mm) Leads leCM GROUPh bei TL=75°C | Ich... | 30 | μA | ||||||
| Typische Knotenkapazität (Anmerkung 1) | Cj | 13 | μA | ||||||
| Typischer Wärmewiderstand (Anmerkung 2) | RθJA | 50 | °C /w | ||||||
| Betriebstemperaturbereich der Kreuzung | Tj | -55 bis +150 | °C | ||||||
| Speichertemperaturbereich | TSZG | -55 bis +150 | °C | ||||||
Anmerkungen:
1. gemessen bei 1,0 MHz und angewandter Umkehrspannung von 4,0 V Gleichstrom.
2. Wärmewiderstand von der Verbindung zum Endgerät mit 6,0 mm2 Kupferplatten an jedem Endgerät.
3Die Chipgröße beträgt 40 mm × 40 mm.
USE-Behandlung für die Vermarktung von Waren
AR0330CS1C12SPKA0-CP-Flash-Speicher-IC Neues und Original
BAT54HT1G Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL
BAT54SLT1G Elektronischer IC-Chip Neuer und Originalbestand
BAT54A Elektronische IC-Chips NEU und ursprünglich vorrätig
TIL117M Elektronische Komponenten Integrierter Schaltkreis Chip Programmspeicher
Siliziumglas Passivierte 1,0 Watt Zenerdioden Glas Passivierte Verbindung Silizium Zenerdiode 1n4733A
NDT456P Gerechtigungsdiode P-Kanal-Verstärkungsmodus Feldwirkungstransistor
TIP127 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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USE-Behandlung für die Vermarktung von Waren |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
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AR0330CS1C12SPKA0-CP-Flash-Speicher-IC Neues und Original |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
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BAT54HT1G Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
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BAT54SLT1G Elektronischer IC-Chip Neuer und Originalbestand |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BAT54A Elektronische IC-Chips NEU und ursprünglich vorrätig |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TIL117M Elektronische Komponenten Integrierter Schaltkreis Chip Programmspeicher |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
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Siliziumglas Passivierte 1,0 Watt Zenerdioden Glas Passivierte Verbindung Silizium Zenerdiode 1n4733A |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
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NDT456P Gerechtigungsdiode P-Kanal-Verstärkungsmodus Feldwirkungstransistor |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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TIP127 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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