Siliziumglas Passivierte 1,0 Watt Zenerdioden Glas Passivierte Verbindung Silizium Zenerdiode 1n4733A
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
1N4728A bis 1N4764A
Glas-Passivierte Verbindung SILICON ZENER DIODE
Eigenschaften
• Niedrigwertiges Programm
• Eingebettete Belastungsentlastung
• Niedrige Induktivität
• Hochtemperaturlöten: 260°C /10 Sekunden an den Endpunkten
• Kunststoffverpackungen haben eine Entflammbarkeitsklassifizierung von 94V-O
• Es gibt sowohl normale als auch Pb-freie Produkte:
Normal: 80 bis 95% Sn, 5 bis 20% Pb
Pb-frei: 98,5% Sn oder mehr
Mechanische Daten
• Gehäuse: Glas DO-41G / Kunststoff DO-41
• Epoxy: UL 94V-O Flammschutzmittel
• Endgeräte: Achsleitungen, nach MIL-STD-202 schweißbar,
• Methode 208 garantiert • Polarität: Farbband zeigt positives Ende an
• Montageposition:Jeder
• Gewicht: 0,03 Gramm
• Bestellinformationen: Suffix: -G zu bestellen Formenglasverpackung Suffix: -P zu bestellen Formenkunststoffverpackung
• Verpackungsinformationen B - 1K pro Schüttkarton T/R - 5K pro 13" Papier Spulen T/B - 2,5K pro Horizontalband & Munitionskarton
Höchstwerte und elektrische Eigenschaften
Nennwerte bei Umgebungstemperatur 25 °C, sofern nicht anders angegeben.
Parameter | Symbol | Wert | Einheit |
Leistung und Aussättigung bei TAM b = 25O C | Zulassung | 1 | 1 W * |
Schnitttemperatur | TJ | 150 | O C |
Speichertemperaturbereich | TSTG | -55 bis + 150 | O C |
USE-Behandlung für die Vermarktung von Waren
AR0330CS1C12SPKA0-CP-Flash-Speicher-IC Neues und Original
BAT54HT1G Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL
BAT54SLT1G Elektronischer IC-Chip Neuer und Originalbestand
BAT54A Elektronische IC-Chips NEU und ursprünglich vorrätig
TIL117M Elektronische Komponenten Integrierter Schaltkreis Chip Programmspeicher
Brücken-Diode 1N4007 50 bis 1000 Volt 1,0 Ampere
NDT456P Gerechtigungsdiode P-Kanal-Verstärkungsmodus Feldwirkungstransistor
TIP127 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bild | Teil # | Beschreibung | |
---|---|---|---|
USE-Behandlung für die Vermarktung von Waren |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
|
||
AR0330CS1C12SPKA0-CP-Flash-Speicher-IC Neues und Original |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
|
||
BAT54HT1G Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
|
||
BAT54SLT1G Elektronischer IC-Chip Neuer und Originalbestand |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
||
BAT54A Elektronische IC-Chips NEU und ursprünglich vorrätig |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
||
TIL117M Elektronische Komponenten Integrierter Schaltkreis Chip Programmspeicher |
Optoisolator Transistor with Base Output 7500Vpk 1 Channel 6-DIP
|
||
Brücken-Diode 1N4007 50 bis 1000 Volt 1,0 Ampere |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
|
||
NDT456P Gerechtigungsdiode P-Kanal-Verstärkungsmodus Feldwirkungstransistor |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
|
||
TIP127 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
|