TIL117M Elektronische Komponenten Integrierter Schaltkreis Chip Programmspeicher
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
TIL111M, TIL117M, MOC8100M
Generelle Verwendungszweck 6-Pin-Fototransistor-Optikopplungen
Eigenschaften
■ UL anerkannt (Datei # E90700)
■ VDE anerkannt (Datei Nr. 102497 für weiße Verpackung)
¢ Zusatz der Option V (z. B. TIL111VM)
Allgemeine Beschreibung
Die Optocoupler MOC8100M, TIL111M und TIL117M bestehen aus einer Galliumarsenid-Infrarotdiode, die einen Silizium-Fototransistor in einem 6-Pin-Doppel-Inline-Paket antreibt..
Anwendungen
■ Stromversorgungsregler
■ Digitale Logik-Eingänge
■ Mikroprozessor-Eingänge
■ Sensorsysteme für Geräte
■ Industrielle Kontrollen
Absolute maximale Ratings ((1) |
TSTG Lagertemperatur Alle -40 bis +150 °C
TOPR Betriebstemperatur Alle von -40 bis +100 °C
TSOL Bleissoldertemperatur Alle 260 für 10 Sek °C
PD Gesamtleistungsschwächung des Geräts @ TA = 25°C
Derat über 25°C Alle 250 mW 2,94 mW/°C
EMITTER Wenn Gleichspannung/durchschnittliche Vorwärtsströmung Alle 60 mA VR Umkehrspannung
TIL111M 3 V MOC8100M, TIL117M 6 IF ((pk)
Vorwärtsstrom Peak (300μs, 2% Arbeitszyklus) Alle 3 A PD
LED-Leistungsausfall @ TA = 25 °C Abfall über 25 °C
Alle 120 mW 1,41 mW/°C
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Teil der Lagerbestände
ERA-5SM+ | 78L08 |
IRG4BC20UD | Bei der Beförderung von Fahrzeugen |
24LC256-I/SN | ST1S10PHR |
Angabe der Größenordnung | MDM9615M |
OP747ARUZ | Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
ATXMEGA64D3-AU | ADCLK907BCPZ |
TLP281-4 | ADP1741ACPZ |
25LC1024-I/P | WS9221B |
Die Bezeichnung des Erzeugnisses ist die Bezeichnung des Erzeugnisses. | LMR62014XMF |
LM431BCM3X | LM2731XMFX |
Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. | LM2731XMFX |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die in Absatz 1 genannten Erzeugnisse. | Maximaler Wert für die Verwendung |
BTS141 | Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge. |
BTS2140-1B | PIC16F877-04/PT |
1034SE001 | CX240DS |
30023* | DLW21SN900SQ2L |
30520* | NLV32T-100J-PF |
30536* | AOZ1282CI |
30639* | AOZ1282CI |
NTB60N06T4G | TLE4275KVURQ1 |
VND810SP | TLE4275KVURQ1 |
L9147P | MBRX160-TP |
Die Angabe des Zulassungsdatums ist in Anhang I zu finden. | PS21765 |
Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. | Bei der Prüfung der Einhaltung der Vorschriften für die Berechnung der Zulassungsdauer ist die Zulassungsdauer zu begrenzen. |
M24256-BWDW6TP | - Das ist nicht wahr. |
MCP6002T-I/MS | Die Daten sind in der Liste aufgeführt. |
MCP6004T-I/ST | Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. |
Das System ist in der Lage, das System zu überwachen. | Die Angabe des Zustands des Zustands ist nicht erforderlich. |
LM317LIPK | Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
HA16107P | LPC2294HBD144 |
Einheitliche Aufmachung | Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht für die Berechnung von Zinssätzen. |
DS26LS31CM | M24128-BWMN3TP/P |
DS26LS32ACM | LT1354CN8 |
M5195BFP | AQW254 |
SN751178NS | TP4056 |
AD8056ARZ | LNK302DG |
Der Ausdruck "Schienen" ist in der Liste aufgeführt. | LNK302DG |
SN74LV244ANSR | Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten. |
TC4049BF | FM24CL16-G |
D2SB60 | NJM3404AV-TE1 |
DS90CF363BMT | NJM2119M |
Der Name des Herstellers: | TMS320VC5402PGE100 |
SKN240/12 | MC1350DR2 |
MPU-6050 | LIS331DLHTR |
USE-Behandlung für die Vermarktung von Waren
AR0330CS1C12SPKA0-CP-Flash-Speicher-IC Neues und Original
BAT54HT1G Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL
BAT54SLT1G Elektronischer IC-Chip Neuer und Originalbestand
BAT54A Elektronische IC-Chips NEU und ursprünglich vorrätig
Brücken-Diode 1N4007 50 bis 1000 Volt 1,0 Ampere
Siliziumglas Passivierte 1,0 Watt Zenerdioden Glas Passivierte Verbindung Silizium Zenerdiode 1n4733A
NDT456P Gerechtigungsdiode P-Kanal-Verstärkungsmodus Feldwirkungstransistor
TIP127 Neue und ursprüngliche Lagerbestände
Bild | Teil # | Beschreibung | |
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USE-Behandlung für die Vermarktung von Waren |
CMOS with Processor Image Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
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AR0330CS1C12SPKA0-CP-Flash-Speicher-IC Neues und Original |
CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 64-CSP (6.28x6.65)
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BAT54HT1G Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-323
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BAT54SLT1G Elektronischer IC-Chip Neuer und Originalbestand |
Diode Array 1 Pair Series Connection 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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BAT54A Elektronische IC-Chips NEU und ursprünglich vorrätig |
Diode Array 1 Pair Common Anode 30 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Brücken-Diode 1N4007 50 bis 1000 Volt 1,0 Ampere |
Diode 1000 V 1A Through Hole DO-41
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Siliziumglas Passivierte 1,0 Watt Zenerdioden Glas Passivierte Verbindung Silizium Zenerdiode 1n4733A |
Zener Diode 5.1 V 1 W ±5% Through Hole DO-41
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NDT456P Gerechtigungsdiode P-Kanal-Verstärkungsmodus Feldwirkungstransistor |
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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TIP127 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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