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Elektronische Bauelemente
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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BT1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B |
SCR 650 V 12 A Standardaufbereitungsoberflächenhalter DPAK
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gemacht im Porzellan
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BAT-AELs für die Berechnung der Emissionsmengen |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-30 V 200mA (
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BAT54HT1G Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-30 V 200mA
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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BAT54SLT1G Elektronischer IC-Chip Neuer und Originalbestand |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-30 V 200mA (DC)
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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BA595E6327 Elektronischer IC-Chip |
Funkdioden-PIN - Einzel 50V 50 mA PG-SOD323-2-1
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Infineon
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BAS316 Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-100 V 250mA
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BAS40TW-7-F Elektronischer IC-Chip |
Diodenarray 3 Unabhängige 40 V 200mA (DC) Oberflächenhalter 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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DIODEN
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BAT46W-7-F Elektronischer IC-Chip Neuer und Originalbestand |
Oberflächenberg SOD-123 der Dioden-100 V 150mA
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DIODEN
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BAT54A Elektronische IC-Chips NEU und ursprünglich vorrätig |
Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Anoden-30 V 200mA
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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EMH4T2R Flash-Speicher-IC Neues und Original |
Vor-voreingenommenes bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Vor-voreingenommener (Doppel) Oberflächenberg
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Rohm Halbleiter
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2N7002W-7-F Elektronischer IC-Chip |
N-Kanal 60 V 115 mA (Ta) 200 mW (Ta) Oberflächenanlage SOT-323
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DIODEN
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2SC2713-BL,LF Elektronischer IC-Chip Neuer und Originalbestand |
Bipolarer (BJT) Transistor NPN 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Oberflächenhalter TO-236
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TOSHIBA
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VS-HFA25PB60PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Diode 600 V 25A durch Loch TO-247AC änderte
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VISHAY
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IRL1404PBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 40 V 160A (Tc) 200W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRGI4061DPBF NEU UND STAMMAKTIE |
IGBT graben 600 V 20 A 43 W durch Loch TO-220AB
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Infineon
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AUIRFS4010-7TRL NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D2PAK (7-Lead) des N-Kanal-100 V 190A (Tc) 380W (Tc) der Oberflächen-
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Infineon
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TCMT1107 NEU UND STAMMAKTIE |
Lichtdämpfer-Transistor gab 3750Vrms 1 Kanal 4-SOP aus
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VISHAY
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1N5245B-TAP NEU UND STAMMAKTIE |
Zenerdiode 15 V 500 mW ±5% durch Loch DO-35 (DO-204AH)
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VISHAY
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SUD17N25-165-E3 NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 250 V 17A (Tc) 3W (Ta), Berg TO-252AA der Oberflächen-136W (Tc)
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VISHAY
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BC848B Variable Induktor Neuer und Originalbestand ROHS Zertifizierung |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 30 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Taiwan Semiconductor Corporation
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UPA1793G-E1 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Mosfet-Array 20V 3A 2W Oberflächenbefestigung 8-PSOP
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RENESAS
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B340Q-13-F Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Diode 40 V 3A SMC zur Oberflächenmontage
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DIODEN
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B160-13-F Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL |
Diode 60 V 1A Oberflächenhalter SMA
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DIODEN
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IRF6638TRPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 30 V 25A (Ta), 140A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenhalterung DIRECTFETTM MX
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Infineon
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IRF6620TRPBF Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
N-Kanal 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenmontage DIRECTFETTM MX
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Infineon
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IRF630NPBF Feldwirkungstransistor |
N-Kanal 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF620PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original |
N-Kanal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) durch Loch TO-220AB
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VISHAY
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IRF630NSTRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Oberflächenhalter D2PAK
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Infineon
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IRF6665TRPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Oberflächenhalter DIRECTFETTM SH
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Infineon
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IRF6216TRPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Oberflächenhalter 8-SO
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Infineon
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IRF6218STRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenhalter D2PAK
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Infineon
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VS-63CPQ100PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Diodenarray 1 Paar gemeinsame Kathode 100 V 30A durch Loch TO-247-3
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VISHAY
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IRF640NPBF Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
N-Kanal 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF9530NPBF Feldwirkungstransistor |
P-Kanal 100 V 14A (Tc) 79W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF9540NSTRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), Berg D2PAK der Oberflächen-110W (Tc)
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Infineon
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IRF9362TRPBF Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
Oberflächenberg 8-SO Mosfet-Reihen-30V 8A 2W
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Infineon
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IRF9540PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) durch Loch TO-220AB
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VISHAY
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IRF9640STRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 200 V 11A (Tc) 3W (Ta), Berg D der Oberflächen-125W (Tc) ² PAK (TO-263)
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VISHAY
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IRF9640PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF9358TRPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Oberflächenberg 8-SO Mosfet-Reihen-30V 9.2A 2W
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Infineon
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IRF9Z24NSTRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 55 V 12A (Tc) 3.8W (Ta), Berg D2PAK der Oberflächen-45W (Tc)
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Infineon
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IRF9630PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) durch Loch TO-220AB
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VISHAY
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IRF9Z34NPBF Feldwirkungstransistor |
P-Kanal 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF9530NSTRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 100 V 14A (Tc) 3.8W (Ta), Berg D2PAK der Oberflächen-79W (Tc)
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Infineon
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IRF9Z24NPBF Feldwirkungstransistor |
P-Kanal 55 V 12A (Tc) 45W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF9310TRPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Berg 8-SO des P-Kanal-30 V 20A (Tc) der Oberflächen-2.5W (Ta)
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Infineon
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IRG4BC30KDPBF Feldwirkungstransistor |
IGBT 600 V 28 A 100 W durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRG4BC30KDSTRRP Feldwirkungstransistor |
IGBT 600 V 28 A 100 W Oberflächenhalter D2PAK
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Infineon
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IRF9540NPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
P-Kanal 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF9321TRPBF Feldwirkungstransistor |
Berg 8-SO des P-Kanal-30 V 15A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Ta)
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Infineon
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