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Elektronische Bauelemente
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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IRG4IBC20UDPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
IGBT 600 V A 11,4 34 W durch Loch TO-220AB Voll-PAK
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Infineon
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IRLML2502TRPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Berg Micro3™/SOT-23 des N-Kanal-20 V 4.2A (Ta) der Oberflächen-1.25W (Ta)
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Infineon
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VS-ETH1506S-M3 Feldwirkungstransistor |
Oberflächenberg TO-263AB (d-² PAK) der Dioden-600 V 15A
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VISHAY
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IRG4PC50UDPBF Feldwirkungstransistor |
IGBT 600 V 55 A 200 W durch Loch TO-247AC
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Infineon
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IRG4PF50WPBF Feldwirkungstransistor |
IGBT 900 V 51 A 200 W durch Loch TO-247AC
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Infineon
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IRF3710STRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Berg D2PAK des N-Kanal-100 V 57A (Tc) der Oberflächen-200W (Tc)
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Infineon
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IRLML0060TRPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Berg Micro3™/SOT-23 des N-Kanal-60 V 2.7A (Ta) der Oberflächen-1.25W (Ta)
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Infineon
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IRG4PC50KDPBF Feldwirkungstransistor |
IGBT 600 V 52 A 200 W durch Loch TO-247AC
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Hersteller
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IRF640PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original |
N-Kanal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) durch Loch TO-220AB
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VISHAY
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CDSOT23-SM712 IC Chip Programmierung Schaltkreis RS-485 Hafen-Schutz |
26V, 14V Klammer 17A (8/20μs) Ipp Tvs Diodenoberflächenhalter SOT-23-3
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BOURNS
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TIL117M Elektronische Komponenten Integrierter Schaltkreis Chip Programmspeicher |
Optoisolator-Transistor mit Basis-Ausgang 7500Vpk 1 Kanal 6-DIP
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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BT1302B1302B1302B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303B1303 |
SCR 500 V 4 Ein empfindliches Tor durch das Loch TO-220AB
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gemacht im Porzellan
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VS-HFA25TB60PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Diode 600 V 25A durch Loch TO-220AC
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VISHAY
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PDTC144ET Chipdiode Neues und Originalvorrat |
Vorgebildeter bipolarer Transistor (BJT)
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VISHAY
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IRFS4115TRLPBF Feldwirkungstransistor |
Berg D2PAK des N-Kanal-150 V 195A (Tc) der Oberflächen-375W (Tc)
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Infineon
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V40150C-E3/4W Feldwirkungstransistor |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 150 V 20A durch Loch TO-220-3
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VISHAY
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IRLML0030TRPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Berg Micro3™/SOT-23 des N-Kanal-30 V 5.3A (Ta) der Oberflächen-1.3W (Ta)
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Infineon
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2N7002BKS,115 NEU UND ORIGINAL LAGER |
Oberflächenberg 295mW 6-TSSOP Mosfet-Reihen-60V 300mA (Ta)
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Nexperia
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IRF830BPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) durch Loch TO-220AB
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VISHAY
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S3D-E3/57T NEU UND STAMMAKTIE |
Oberflächenberg DO-214AB (SMC) der Dioden-200 V 3A
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VISHAY
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SI3456DDV-T1-GE3 NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (Ta), Berg 6-TSOP der Oberflächen-2.7W (Tc)
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VISHAY
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SUP85N03-04P-E3 NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 30 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 166W (Tc) durch Loch TO-220AB
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VISHAY
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IRF8736TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Berg 8-SO des N-Kanal-30 V 18A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Ta)
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Infineon
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BAS516 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Oberflächenberg SOD-523 der Dioden-75 V 250mA
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Good-Ark Halbleiter
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SIR688DP-T1-GE3 Feldwirkungstransistor |
N-Kanal 60 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), Berg PowerPAK® SO-8 der Oberflächen-83W (Tc)
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VISHAY
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IRF3205ZPBF Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
N-Kanal 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF3205PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF3710ZPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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BYG10M-E3/TR Feldwirkungstransistor |
Oberflächenberg DO-214AC (SMA) der Dioden-1000 V 1.5A
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VISHAY
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IRF2807PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 75 V 82A (Tc) 230W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF2804STRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Berg D2PAK des N-Kanal-40 V 75A (Tc) der Oberflächen-300W (Tc)
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Infineon
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IRF2805STRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Berg D2PAK des N-Kanal-55 V 135A (Tc) der Oberflächen-200W (Tc)
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Infineon
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IRF2804PBF Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
N-Kanal 40 V 75A (Tc) 300W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRFS4310ZTRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Berg D2PAK des N-Kanal-100 V 120A (Tc) der Oberflächen-250W (Tc)
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Infineon
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IRFS7530TRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Berg PG-TO263-2 des N-Kanal-60 V 195A (Tc) der Oberflächen-375W (Tc)
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Infineon
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IRFS4127TRLPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
Berg D2PAK des N-Kanal-200 V 72A (Tc) der Oberflächen-375W (Tc)
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Infineon
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IRFS38N20DTRLP Feldwirkungstransistor |
N-Kanal 200 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), Berg D2PAK der Oberflächen-300W (Tc)
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Infineon
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IRFS3607TRLPBF Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
Berg D2PAK des N-Kanal-75 V 80A (Tc) der Oberflächen-140W (Tc)
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Infineon
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DMG3415U-7 NEU UND STAMMAKTIE |
Berg SOT-23-3 des P-Kanal-20 V 4A (Ta) der Oberflächen-900mW (Ta)
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DIODEN
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SMAJ48A-E3/61 NEU UND STAMMAKTIE |
77.4V Fernsehdioden-Oberflächenberg DO-214AC (SMA) der Klammern-5.2A Ipp
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VISHAY
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P6SMB24A-E3/52 NEU UND STAMMAKTIE |
33,2V Klemme 18,1A Ipp Tvs Diode Oberflächenmontage DO-214AA (SMB)
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VISHAY
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VS-EPH3006-F3 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Diode 600 V 30A Durchgangsloch TO-247AC modifiziert
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VISHAY
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43CTQ100 NEU UND STAMMAKTIE |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Kathode, 100 V, 20 A, Durchgangsloch TO-220-3
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VISHAY
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IRFH5215TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 150 V 5 A (Ta), 27 A (Tc) 3,6 W (Ta), 104 W (Tc) Oberflächenmontage PQFN (5x6)
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Infineon
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IRFHM830TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 30 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2,7 W (Ta), 37 W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN-Dual (3,3 x 3,3)
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Infineon
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IRF7301TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Oberflächenberg 8-SO Mosfet-Reihen-20V 5.2A 2W
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Infineon
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IRF7451TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg 8-SO des N-Kanal-150 V 3.6A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Ta)
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Infineon
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IRFH5015TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 150 V 10 A (Ta), 56 A (Tc) 3,6 W (Ta), 156 W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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IRFH4253DTRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Mosfet-Array 25V 64A, 145A 31W, 50W Oberflächenmontage PQFN (5x6)
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Infineon
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VS-30CPQ100PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Kathode, 100 V, 15 A, Durchgangsloch TO-247-3
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VISHAY
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