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Elektronische Bauelemente
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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VS-30CPH03PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Kathode, 300 V, 15 A, Durchgangsloch TO-247-3
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VISHAY
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IRF4905STRLPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D2PAK des P-Kanal-55 V 42A (Tc) der Oberflächen-170W (Tc)
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Infineon
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IRF7316TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Oberflächenberg 8-SO Mosfet-Reihen-30V 4.9A 2W
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Infineon
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IRF7842TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg 8-SO des N-Kanal-40 V 18A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Ta)
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Infineon
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IRF7105TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Mosfet-Reihe 25V 3.5A, Oberflächenberg 8-SO 2.3A 2W
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Infineon
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Effekt-Transistor des Feld-SI7615ADN-T1-GE3 NEU UND STAMMAKTIE |
P-Kanal 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), Oberflächenberg 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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VISHAY
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IRFP264PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 250 V 38A (Tc) 280W (Tc) durch Loch TO-247AC
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VISHAY
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IRFP460LCPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) durch Loch TO-247AC
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VISHAY
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IRFPG50PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 1000 V 6.1A (Tc) 190W (Tc) durch Loch TO-247AC
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Infineon
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IRFP3206PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 60 V 120A (Tc) 280W (Tc) durch Loch TO-247AC
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Infineon
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IRFP4710PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 100 V 72A (Tc) 190W (Tc) durch Loch TO-247AC
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Infineon
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IRFP7430PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 40 V 195A (Tc) 366W (Tc) durch Loch TO-247AC
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Infineon
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IRFP22N50APBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) durch Loch TO-247AC
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VISHAY
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IRFP064VPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 60 V 130A (Tc) 250W (Tc) durch Loch TO-247AC
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Infineon
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BTA06-600BWRG Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
TRIAC Alternistor - Schnubberfrei 600 V 6 A durch Loch TO-220
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STMicroelectronics
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BTA06-600CWRG Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
TRIAC Alternistor - Schnubberfrei 600 V 6 A durch Loch TO-220
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STMicroelectronics
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IRF840STRLPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), Berg D der Oberflächen-125W (Tc) ² PAK (TO-263)
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VISHAY
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VS-ETX0806FP-M3 NEU UND STAMMAKTIE |
Diode 600 V 8A durch vollen Satz des Loch-TO-220-2
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VISHAY
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VS-ETU1506FP-M3 NEU UND STAMMAKTIE |
Diode 600 V 15A durch vollen Satz des Loch-TO-220-2
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VISHAY
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IRFH8318TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Berg PQFN (5x6) der Oberflächen-
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Infineon
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Ultraschnelle Avalanche SMD Brücken-Diode, BYG20J-E3/TR |
Oberflächenberg DO-214AC (SMA) der Dioden-600 V 1.5A
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VISHAY
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TLP621-2 IC-Chip-Integrierter Schaltkreis-Chip-Programmspeicher |
Lichtdämpfer-Transistor gab 5300Vrms 2 Kanal 8-DIP aus
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Hersteller
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Brücken-Diode 1N4007 50 bis 1000 Volt 1,0 Ampere |
Diode 1000 V 1A durch Loch DO-41
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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Siliziumglas Passivierte 1,0 Watt Zenerdioden Glas Passivierte Verbindung Silizium Zenerdiode 1n4733A |
Zenerdiode 5,1 V 1 W ±5% durch Loch DO-41
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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NDT456P Gerechtigungsdiode P-Kanal-Verstärkungsmodus Feldwirkungstransistor |
P-Kanal 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Oberflächenhalter SOT-223-4
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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SFH628A-3X001 NEU UND STAMMAKTIE |
Lichtdämpfer-Transistor gab 5300Vrms 1 Kanal 4-DIP aus
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VISHAY
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SFH615A-2 NEU UND STAMMAKTIE |
Lichtdämpfer-Transistor gab 5300Vrms 1 Kanal 4-DIP aus
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VISHAY
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VS-12CWQ10FNTR-M3 NEU UND STAMMAKTIE |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Kathode, 100 V, 6 A, Oberflächenmontage, TO-252-3, DPak (2 Anschlüss
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VISHAY
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SIHP18N50C-E3 NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 500 V 18A (Tc) 223W (Tc) durch Loch TO-220AB
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VISHAY
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SIHP12N50C-E3 NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) durch Loch
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VISHAY
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IRFD110PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) durch Loch 4-HVMDIP
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VISHAY
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SFH615A-2 NEU UND STAMMAKTIE |
Lichtdämpfer-Transistor gab 5300Vrms 1 Kanal 4-DIP aus
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VISHAY
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GBU608 NEU UND STAMMAKTIE |
Brückengleichrichter-einphasig-Standard 800 V durch Loch GBU
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DIODEN
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VS-MUR3020WTPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 200 V 15A durch Loch TO-247-3
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VISHAY
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IRFBG30PBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) durch Loch TO-220AB
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VISHAY
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IRFBE30PBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Hersteller
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V30100C-E3/4W Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 100 V 15A durch Loch TO-220-3
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VISHAY
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IRGS10B60KDTRRP-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Oberflächenberg D2PAK IGBT NPT 600 V 22 A 156 W
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Infineon
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IRF1407PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF1404PBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) durch das Loch TO-220AB
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Infineon
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VS-MBR6045WTPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 45 V 30A durch Loch TO-247-3
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VISHAY
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2W10G-E4/51 NEU UND STAMMAKTIE |
Brückengleichrichter-einphasig-Standard 1 KV durch Loch WOG
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VISHAY
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IRFR1018ETRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D-PAK des N-Kanal-60 V 56A (Tc) der Oberflächen-110W (Tc)
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Infineon
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SIHF12N50C-E3 NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 500 V 12A (Tc) 36W (Tc) durch vollen Satz des Loch-TO-220
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VISHAY
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VS-HFA30PA60CPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 600 V 15A (DC) durch Loch TO-247-3
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VISHAY
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IRFR7540TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D-PAK (TO-252AA) des N-Kanal-60 V 90A (Tc) 140W (Tc) der Oberflächen-
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Infineon
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IRFR3806TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D-PAK des N-Kanal-60 V 43A (Tc) der Oberflächen-71W (Tc)
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Infineon
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IRFR5305TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D-PAK des P-Kanal-55 V 31A (Tc) der Oberflächen-110W (Tc)
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Infineon
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IRFU120NPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) durch Loch IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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IRFU5410PBF NEU UND STAMMAKTIE |
P-Kanal 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) durch Loch IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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