IRFP4229PBF Power Mosfet Transistor Schaltleistung Mosfet PDP SWITCH
fabricant:
Hersteller
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC
Kategorie:
IGBT-Leistungsmodul
Preis:
Negotiate
Zahlungs-Methode:
T/T, Western Union, Paypal
Spezifikationen
Gate-to-Source Voltage:
±30 V
Pulsed Drain Current:
180 A
Repetitive Peak Current:
87 A
Power Dissipation:
310 W
Linear Derating Factor:
2.0 W/°C
Soldering Temperature for 10 seconds:
300 °C
Höhepunkt:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Einleitung
Array
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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