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IGBT-Leistungsmodul

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Schweißgerät FGL40N120ANDTU 40A 1200V IGBT einröhriger NPT TO-264

Schweißgerät FGL40N120ANDTU 40A 1200V IGBT einröhriger NPT TO-264

IGBT NPT 1200 V 64 A 500 W durch Loch TO-264-3
Semi-ON / Semi-Katalysator
Graben IGBT 25A 1200V FGA25N120ANTD TO-3P NPT

Graben IGBT 25A 1200V FGA25N120ANTD TO-3P NPT

IGBT NPT und Graben 1200 V 50 A 312 W durch Loch TO-3P
Semi-ON / Semi-Katalysator
Isolierschichtbipolar transistor IRGB10B60KDPBF IGBT 600V 22A 156W

Isolierschichtbipolar transistor IRGB10B60KDPBF IGBT 600V 22A 156W

IGBT NPT 600 V 22 A 156 W durch Loch TO-220AB
Infineon
Parallele Hyperfast Antidiode 43A 1200V HGTG11N120CND NPT GBT

Parallele Hyperfast Antidiode 43A 1200V HGTG11N120CND NPT GBT

IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W durch Loch TO-247-3
Semi-ON / Semi-Katalysator
Original Connect RJ45 Ethernet Jack Stecker J00-0065NL für PBC-Board

Original Connect RJ45 Ethernet Jack Stecker J00-0065NL für PBC-Board

1 Port RJ45Durch Loch 10/100 Basis-TX, AutoMDIX
Hersteller
PTH04000WAH Neue und ursprüngliche Lagerbestände

PTH04000WAH Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Nichtisolierter PoL Module DC-DC-Konverter 1 gab 0,9 aus | 3.6V 3A 3V - Input 5.5V
Texas Instruments
6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A stabilisierte Stromversorgungs-Lärm-Schienen-Berg

6EP3331-6SB00-0AY0 24V 1.3A stabilisierte Stromversorgungs-Lärm-Schienen-Berg

Hersteller
Mosfet IGBT 300W BAD IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V

Mosfet IGBT 300W BAD IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V

IGBT Pint 600 V 75 A 300 W durch Loch TO-247AD
Hersteller
Kreuzung des IRAMX20UP60A-Energie-Management-Prüfer-20A 600V Pwr für alle Kanäle

Kreuzung des IRAMX20UP60A-Energie-Management-Prüfer-20A 600V Pwr für alle Kanäle

Phase 600 V 20 Energie-Fahrer-Module IGBT 3 bildete ein 23-PowerSIP Modul, 19 Führungen, Führungs-Ku
Infineon
Flexibles Paket-Daten-Modem Chip Low Powers GMSK der integrierten Schaltung CMX909BD5

Flexibles Paket-Daten-Modem Chip Low Powers GMSK der integrierten Schaltung CMX909BD5

38.4k Modem 24-SSOP
Hersteller
UPS161 Synchronisationssignal Steuerung CMOS LSI Fernseh-Schaltplatten Led-Treiber-Schaltplatte

UPS161 Synchronisationssignal Steuerung CMOS LSI Fernseh-Schaltplatten Led-Treiber-Schaltplatte

GT-REIHE 3000VA 120V RACKMOUNT
Hersteller
IGBT-Leistungsmodul Neues und Originalspeicher

IGBT-Leistungsmodul Neues und Originalspeicher

IGBT-Modul Gräbenfeldstop 2 Unabhängige 1200 V 450 A 1600 W Fahrgestellmontage
Infineon
FF50R12RT4HOSA1 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

FF50R12RT4HOSA1 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

IGBT-Modul Gräbenfeldstop Half Bridge 1200 V 50 A 285 W Fahrgestellmontage
Infineon
BSM100GB60DLCHOSA1 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BSM100GB60DLCHOSA1 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

IGBT-Modul Einzel 600 V 130 A 445 W Fahrgestellmontage Modul
Infineon
FF150R12RT4HOSA1 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

FF150R12RT4HOSA1 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

IGBT-Modul Gräbenfeldstop Halbbrücke 1200 V 150 A 790 W Fahrgestellmontage
Infineon
FF100R12RT4HOSA1 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

FF100R12RT4HOSA1 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

IGBT-Modul Gräbenfeldstop 2 Unabhängige 1200 V 100 A 555 W Fahrgestellmontage
Infineon
IRAM136-1061A2 NEU UND STAMMAKTIE

IRAM136-1061A2 NEU UND STAMMAKTIE

Phase 600 V 12 Energie-Fahrer-Module IGBT 3 bildete ein 29-PowerSSIP Modul, 21 Führungen, Führungen
Infineon
IRGP4660D-EPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRGP4660D-EPBF NEU UND STAMMAKTIE

IGBT 600 V 100 A 330 W durch Loch TO-247AD
Infineon
IRGP4063DPBF Feldwirkungstransistor / Leistungstransistor Gute Leistung

IRGP4063DPBF Feldwirkungstransistor / Leistungstransistor Gute Leistung

IGBT graben 600 V 96 A 330 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRGP4062DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRGP4062DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IGBT graben 600 V 48 A 250 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRGP4068DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRGP4068DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IGBT graben 600 V 96 A 330 W durch Loch TO-247AC
Infineon
ROHS-Standard USA Original-Feldwirkungstransistor IRGP4066D-EPBF

ROHS-Standard USA Original-Feldwirkungstransistor IRGP4066D-EPBF

IGBT graben 600 V 140 A 454 W durch Loch TO-247AD
Infineon
IRGB4062DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRGB4062DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IGBT graben 600 V 48 A 250 W durch Loch TO-220AB
Infineon
IRGB4061DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRGB4061DPBF NEU UND STAMMAKTIE

IGBT graben 600 V 36 A 206 W durch Loch TO-220AB
Infineon
IRG4PH40UDPBF Feldwirkungstransistor

IRG4PH40UDPBF Feldwirkungstransistor

IGBT 1200 V 41 A 160 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4PC40UDPBF Feldwirkungstransistor

IRG4PC40UDPBF Feldwirkungstransistor

IGBT 600 V 40 A 160 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4PC40WPBF Feldwirkungstransistor

IRG4PC40WPBF Feldwirkungstransistor

IGBT 600 V 40 A 160 W durch Loch TO-247AC
Infineon
VS-T90RIA120 IGBT-Leistungsmodul Neues und Original

VS-T90RIA120 IGBT-Leistungsmodul Neues und Original

Störungsbesuch-Moduls 1,2 KV 141 A einzelnes T-Modul des Fahrgestelle-Berg-D-55
VISHAY
PWB80A40 IGBT-Leistungsmodul Neues und Original

PWB80A40 IGBT-Leistungsmodul Neues und Original

Störungsbesuch-Modul 400 V 125 eine Brücke, 3-phasig - alles Störungsbesuch-Fahrgestelle-Berg-Modul
Die SanRex Corporation
DFA150AA160 IGBT-Leistungsmodul Neues und Original

DFA150AA160 IGBT-Leistungsmodul Neues und Original

Störungsbesuch-Modul 1,6 KV-Brücke, 3-phasig - Störungsbesuch-/Dioden-Fahrgestelle-Berg-Modul
Die SanRex Corporation
PWB80A30 IGBT-Leistungsmodul Neues und Original

PWB80A30 IGBT-Leistungsmodul Neues und Original

Störungsbesuch-Modul 300 V 125 eine Brücke, 3-phasig - alles Störungsbesuch-Fahrgestelle-Berg-Modul
Die SanRex Corporation
Elektronischer IC Chip CLC5903VLA NEU UND STAMMAKTIE

Elektronischer IC Chip CLC5903VLA NEU UND STAMMAKTIE

Texas Instruments
0826-1AX1-47 elektronischer IC Chip NEU UND STAMMAKTIE

0826-1AX1-47 elektronischer IC Chip NEU UND STAMMAKTIE

Hersteller
PTN78000 WAH Common Ic Chips New und Bescheinigung der Stammaktie-ROHS

PTN78000 WAH Common Ic Chips New und Bescheinigung der Stammaktie-ROHS

Texas Instruments
STK621 - Energie-Modul-formte hybrides Inverter-Stromkreis SCHLÜCKCHEN 033 N.E. Mosfet voll

STK621 - Energie-Modul-formte hybrides Inverter-Stromkreis SCHLÜCKCHEN 033 N.E. Mosfet voll

Halbbrücke (3) Treiber Wechselstrommotoren IGBT 23-SIP
Semi-ON / Semi-Katalysator
STK621-728-E INVERTER-ENERGIE-HYBRIDES MODUL NIPPEN an vollem geformtem Paket

STK621-728-E INVERTER-ENERGIE-HYBRIDES MODUL NIPPEN an vollem geformtem Paket

Fahrer AC Motors IGBT 21-SIP der Halbbrücke-(3)
Hersteller
PTH08T240WAD NEU UND STAMMAKTIE

PTH08T240WAD NEU UND STAMMAKTIE

Nichtisolierter PoL Module DC-DC-Konverter 1 gab 0,69 aus | 5.5V 10A 4.5V - Input 14V
Texas Instruments
UPS16180 NEU UND STAMMAKTIE

UPS16180 NEU UND STAMMAKTIE

GT-REIHE 3000VA 120V RACKMOUNT
Hersteller
MT16LSDF6464HY-133D2 Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

MT16LSDF6464HY-133D2 Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

Speichermodul SDRAM 512 MB 144-SODIMM
Mikrometer
103990057 NEU UND STAMMAKTIE

103990057 NEU UND STAMMAKTIE

OV7725, VC0706 Kamerasensor Arduino-Plattform-Evaluierungserweiterungsplatine
Hersteller
IRG4PC40UDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4PC40UDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 600 V 40 A 160 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4PC40WPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4PC40WPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 600 V 40 A 160 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4BC40UPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4BC40UPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 600 V 40 A 160 W Durchgangsloch TO-220AB
Infineon
IRG4PH40UDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4PH40UDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 1200 V 41 A 160 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4PH50UDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4PH50UDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 1200 V 45 A 200 W durch Loch TO-247AC
Hersteller
IRG4PC50UPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4PC50UPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 600 V 55 A 200 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4PC50WPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4PC50WPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 600 V 55 A 200 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRG4PF50WDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IRG4PF50WDPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

IGBT 900 V 51 A 200 W durch Loch TO-247AC
Infineon
IRGP35B60PDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRGP35B60PDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT NPT 600 V 60 A 308 W durch Loch TO-247AC
Hersteller
IRG4IBC20UDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRG4IBC20UDPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IGBT 600 V A 11,4 34 W durch Loch TO-220AB Voll-PAK
Infineon
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