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Semi-ON / Semi-Katalysator

Semi-ON / Semi-Katalysator
Bild Teil # Beschreibung fabricant Auf Lager RFQ
Schweißgerät FGL40N120ANDTU 40A 1200V IGBT einröhriger NPT TO-264

Schweißgerät FGL40N120ANDTU 40A 1200V IGBT einröhriger NPT TO-264

IGBT NPT 1200 V 64 A 500 W durch Loch TO-264-3
Graben IGBT 25A 1200V FGA25N120ANTD TO-3P NPT

Graben IGBT 25A 1200V FGA25N120ANTD TO-3P NPT

IGBT NPT und Graben 1200 V 50 A 312 W durch Loch TO-3P
Spannungs-Regler MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Spannungs-Regler MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Oberflächenberg SOD-123 der Zenerdiode-15 V 500 mW ±5%
Vorübergehende Spannungs-Unterdrücker SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorb

Vorübergehende Spannungs-Unterdrücker SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorb

Klammer Ipp-Fernsehdiode
Spannungs-Reglerdiode 225mW SOT−23 BZX84C12LT1G Zener Oberflächenberg

Spannungs-Reglerdiode 225mW SOT−23 BZX84C12LT1G Zener Oberflächenberg

Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236) der Zenerdiode-12 V 250 mW ±5%
Ultraschnelle Energie-Gleichrichter 100−600V des MUR1620CTG-Schalter-Modus-16A

Ultraschnelle Energie-Gleichrichter 100−600V des MUR1620CTG-Schalter-Modus-16A

Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 200 V 8A durch Loch TO-220-3
Zweipolige NPN PNP Transistoren TO-3P NJW0281G 50W

Zweipolige NPN PNP Transistoren TO-3P NJW0281G 50W

Bipolarer (BJT) Transistor NPN 250 V 15 A 30 MHz 150 W Durchgangsloch TO-3P-3L
Parallele Hyperfast Antidiode 43A 1200V HGTG11N120CND NPT GBT

Parallele Hyperfast Antidiode 43A 1200V HGTG11N120CND NPT GBT

IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W durch Loch TO-247-3
Schnelle Körperverletzungs-Prüfer IC MC33340P des Vorwurfs-4.0mV 18V DIP8

Schnelle Körperverletzungs-Prüfer IC MC33340P des Vorwurfs-4.0mV 18V DIP8

Ladegerät IC-Multi-Chemie 8-PDIP
USE-Behandlung für die Vermarktung von Waren

USE-Behandlung für die Vermarktung von Waren

CMOS mit Prozessor-Bild-Sensor 1600H x 1200V 2.8µm x 2.8µm 48-CLCC (14.22x14.22)
AR0330CS1C12SPKA0-CP-Flash-Speicher-IC Neues und Original

AR0330CS1C12SPKA0-CP-Flash-Speicher-IC Neues und Original

CMOS-Bildsensor 2304H x 1536V 2,2 μm x 2,2 μm 64-CSP (6,28x6,65)
BAT54HT1G Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL

BAT54HT1G Elektronischer IC-Chip NEW AND ORIGINAL

Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-30 V 200mA
BAT54SLT1G Elektronischer IC-Chip Neuer und Originalbestand

BAT54SLT1G Elektronischer IC-Chip Neuer und Originalbestand

Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-30 V 200mA (DC)
BAT54A Elektronische IC-Chips NEU und ursprünglich vorrätig

BAT54A Elektronische IC-Chips NEU und ursprünglich vorrätig

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Anoden-30 V 200mA
CAT24C08WI-GT3 Flash-Speicher-IC Neues und Original

CAT24C08WI-GT3 Flash-Speicher-IC Neues und Original

² C 400 kHz 900 ns 8-SOIC EEPROM-Gedächtnis ICs 8Kbit I
CAT25040P Flash-Speicher-IC Neues und Originalspeicher

CAT25040P Flash-Speicher-IC Neues und Originalspeicher

EEPROM-Gedächtnis IC 4Kbit SPI 8-PDIP
MC14551BCPG Elektronische IC-Chips Vier-Zwei-Kanal-Analog-Multiplexer

MC14551BCPG Elektronische IC-Chips Vier-Zwei-Kanal-Analog-Multiplexer

4 Schaltkreis-IC-Schalter 2:1 280 Ohm 16-PDIP
TIL117M Elektronische Komponenten Integrierter Schaltkreis Chip Programmspeicher

TIL117M Elektronische Komponenten Integrierter Schaltkreis Chip Programmspeicher

Optoisolator-Transistor mit Basis-Ausgang 7500Vpk 1 Kanal 6-DIP
Zweikanalfototransistor MOCD213M 2500Vrms SOIC8

Zweikanalfototransistor MOCD213M 2500Vrms SOIC8

Lichtdämpfer-Transistor gab 2500Vrms 2 Kanal 8-SOIC aus
BAD TO92 10mA Undervoltage-Warnanlage IC MC34064P-5RAG

BAD TO92 10mA Undervoltage-Warnanlage IC MC34064P-5RAG

Aufsichtskraft-offener Abfluss oder Open-Collector-1 Kanal TO-92 (TO-226)
Silikon-Transistor MJE340G mittlerer Energie-0.5A 300V 20W NPN

Silikon-Transistor MJE340G mittlerer Energie-0.5A 300V 20W NPN

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 300 V 500 MA 20 W durch Loch TO-126
MURS260T3G-Energie-Management IC-Oberflächenberg-ultraschnelle Energie-Gleichrichter

MURS260T3G-Energie-Management IC-Oberflächenberg-ultraschnelle Energie-Gleichrichter

Oberflächenberg SMB der Dioden-600 V 2A
Einzelne Versorgungs-Doppeloperationsverstärker LM358DR2G-Energie-Management ICs

Einzelne Versorgungs-Doppeloperationsverstärker LM358DR2G-Energie-Management ICs

Allzweckverstärker 2 Schaltung 8-SOIC
Masseschleife-Beseitigung ICs Chip Logic Gate Optocouplers For Computer HCPL0600R2 10bps

Masseschleife-Beseitigung ICs Chip Logic Gate Optocouplers For Computer HCPL0600R2 10bps

Open-Collector--3750Vrms 1 Kanal der digitalen Ausgabe des Lichtdämpfer-10Mbps 5kV/µs CMTI 8-SOIC
MC34063ADR2G-Auftriebs-Spannungsregler-Positiv/negatives justierbares 1.25V

MC34063ADR2G-Auftriebs-Spannungsregler-Positiv/negatives justierbares 1.25V

Dollar, Auftriebs-Spannungsregler positiver oder negativer justierbarer 1.25V 1 Ertrag ICs 1.5A (Sch
Spannungs-Regler-Diode MM3Z18VT1G 200mW 18V SOD−323 Zener

Spannungs-Regler-Diode MM3Z18VT1G 200mW 18V SOD−323 Zener

Oberflächenberg SOD-323 der Zenerdiode-18 V 300 mW ±6%
Opto Hochgeschwindigkeitsoptokoppler ICs 15MBd Isolator der digitalen Ausgabe 74OL6011 Open-Collector

Opto Hochgeschwindigkeitsoptokoppler ICs 15MBd Isolator der digitalen Ausgabe 74OL6011 Open-Collector

Der Open-Collector Lichtdämpfer 15MBd, Schottky der digitalen Ausgabe klemmte 5300Vrms 1 Kanal 5kV/µ
Integrierte Schaltung Chip Schottky Clamped 5kV/µS CMTI 6-DIP 74OL6010 5300Vrms

Integrierte Schaltung Chip Schottky Clamped 5kV/µS CMTI 6-DIP 74OL6010 5300Vrms

Der Open-Collector Lichtdämpfer 15MBd, Schottky der digitalen Ausgabe klemmte 5300Vrms 1 Kanal 5kV/µ
Chip High Performance Current Modded-Prüfer UC3845BD1R2G-integrierter Schaltung

Chip High Performance Current Modded-Prüfer UC3845BD1R2G-integrierter Schaltung

Auftrieb, Rücklauf-Regler-Positiv, Isolierungs-fähiger Ertrag Aufwärts, Aufwärts-/Abwärts-DC-DC Prüf
Brücken-Diode 1N4007 50 bis 1000 Volt 1,0 Ampere

Brücken-Diode 1N4007 50 bis 1000 Volt 1,0 Ampere

Diode 1000 V 1A durch Loch DO-41
Siliziumglas Passivierte 1,0 Watt Zenerdioden Glas Passivierte Verbindung Silizium Zenerdiode 1n4733A

Siliziumglas Passivierte 1,0 Watt Zenerdioden Glas Passivierte Verbindung Silizium Zenerdiode 1n4733A

Zenerdiode 5,1 V 1 W ±5% durch Loch DO-41
NDT456P Gerechtigungsdiode P-Kanal-Verstärkungsmodus Feldwirkungstransistor

NDT456P Gerechtigungsdiode P-Kanal-Verstärkungsmodus Feldwirkungstransistor

P-Kanal 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Oberflächenhalter SOT-223-4
TIP127 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

TIP127 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W durch Loch TO-220
FMS6141S5X Flash-Speicher-IC Neues und Original

FMS6141S5X Flash-Speicher-IC Neues und Original

Paket Videotreiber ICs SC-70-5
FOD2742B Flash-Speicher-IC Neues und Original

FOD2742B Flash-Speicher-IC Neues und Original

Lichtdämpfer-Transistor gab 2500Vrms 1 Kanal 8-SOIC aus
FSUSB30MUX Flash-Speicher-IC Neues und Original

FSUSB30MUX Flash-Speicher-IC Neues und Original

USB-Schalter IC 1 Kanal 10-MSOP
CAT25040P Flash-Speicher-IC Neues und Originalspeicher

CAT25040P Flash-Speicher-IC Neues und Originalspeicher

EEPROM-Gedächtnis IC 4Kbit SPI 8-PDIP
CAT25040S-TE13 Flash-Speicher-IC Neues und Original

CAT25040S-TE13 Flash-Speicher-IC Neues und Original

EEPROM-Speicher IC 4Kbit SPI 10 MHz 40 ns 8-SOIC
CAT25C08VI Flash-Speicher-IC Neues und Original

CAT25C08VI Flash-Speicher-IC Neues und Original

EEPROM-Gedächtnis IC 8Kbit SPI 10 MHZ 8-SOIC
CAT25010YI-GT3 Flash-Speicher-IC Neues und Original

CAT25010YI-GT3 Flash-Speicher-IC Neues und Original

EEPROM-Gedächtnis IC 1Kbit SPI 8-TSSOP
BAV102 Feldwirkungstransistor

BAV102 Feldwirkungstransistor

Oberflächenberg SOD-80 der Dioden-150 V 200mA
BAV20 Feldwirkungstransistor

BAV20 Feldwirkungstransistor

Diode 200 V 200mA durch Loch DO-35
BAV21-Feldwirkungstransistor

BAV21-Feldwirkungstransistor

Diode 250 V 200mA durch Loch DO-35
BCP56 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCP56 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
BCP69 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCP69 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) PNP 20 V 1,5 A 1 W
Die Angabe der Anwendungsdauer des Zertifikats ist unabhängig von der Anwendungsdauer des Zertifikats.

Die Angabe der Anwendungsdauer des Zertifikats ist unabhängig von der Anwendungsdauer des Zertifikats.

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 (TO-261) 130MHz 1,5 W
MJD127T4G Neue und ursprüngliche Lagerbestände

MJD127T4G Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - Darlington 100 V 8 ein Oberflächenberg 1,75 4MHz W DPAK
Effekt-Transistor des Feld-KSC2073 NEU UND STAMMAKTIE

Effekt-Transistor des Feld-KSC2073 NEU UND STAMMAKTIE

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 150 V 1,5 ein 4MHz 25 W durch Loch TO-220-3
BAV23CLT1G Feldwirkungstransistor

BAV23CLT1G Feldwirkungstransistor

Diodenarray 1 Paar gemeinsame Kathode 250 V 400 mA Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCP54 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

BCP54 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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