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elektronische IC-Chips

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
16CTQ100 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

16CTQ100 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 100 V 8A durch Loch TO-220-3
VISHAY
IRLU024NPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

IRLU024NPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

N-Kanal 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) durch Loch IPAK (TO-251AA)
Infineon
SIRA04DP-T1-GE3 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

SIRA04DP-T1-GE3 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

N-Kanal 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), Berg PowerPAK® SO-8 der Oberflächen-62.5W (Tc)
VISHAY
APT15DQ100KG Neue und ursprüngliche Lagerbestände

APT15DQ100KG Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Diode 1000 V 15A durch Loch TO-220 [K]
Mikrochip
SIHG20N50C-E3 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

SIHG20N50C-E3 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

N-Kanal 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) durch Loch TO-247AC
VISHAY
IRFR220NTRPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

IRFR220NTRPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Berg D-PAK des N-Kanal-200 V 5A (Tc) der Oberflächen-43W (Tc)
Infineon
IRFR9024NTRPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

IRFR9024NTRPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Berg D-PAK des P-Kanal-55 V 11A (Tc) der Oberflächen-38W (Tc)
Infineon
IRFB4137PBF Feldwirkungstransistor

IRFB4137PBF Feldwirkungstransistor

N-Kanal 300 V 38A (Tc) 341W (Tc) durch Loch TO-220
Infineon
IRFR120NTRPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

IRFR120NTRPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Berg D-PAK des N-Kanal-100 V 9.4A (Tc) der Oberflächen-48W (Tc)
Infineon
IRFR3910TRPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

IRFR3910TRPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Berg D-PAK des N-Kanal-100 V 16A (Tc) der Oberflächen-79W (Tc)
Infineon
IRFU024NPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

IRFU024NPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände

N-Kanal 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) durch Loch IPAK (TO-251AA)
Infineon
FOD2712AR2 Flash-Speicher-IC Neues und Original

FOD2712AR2 Flash-Speicher-IC Neues und Original

Lichtdämpfer-Transistor gab 2500Vrms 1 Kanal 8-SOIC aus
Semi-ON / Semi-Katalysator
FOD2712 Flash-Speicher-IC Neues und Original

FOD2712 Flash-Speicher-IC Neues und Original

Lichtdämpfer-Transistor gab 2500Vrms 1 Kanal 8-SOIC aus
Semi-ON / Semi-Katalysator
FOD2742B Flash-Speicher-IC Neues und Original

FOD2742B Flash-Speicher-IC Neues und Original

Lichtdämpfer-Transistor gab 2500Vrms 1 Kanal 8-SOIC aus
Semi-ON / Semi-Katalysator
8ETH06 Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

8ETH06 Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

Diode 600 V 8A Durchgangsloch TO-220AC
VISHAY
IRF7807ZTRPBF-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

IRF7807ZTRPBF-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

Berg 8-SO des N-Kanal-30 V 11A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Ta)
Infineon
IRF7473PBF-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

IRF7473PBF-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

Berg 8-SO des N-Kanal-100 V 6.9A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Ta)
Infineon
IRFZ44NPBF-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

IRFZ44NPBF-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 55 V 49 A (Tc) 94 W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB
Infineon
IRF7853TRPBF-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

IRF7853TRPBF-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

Berg 8-SO des N-Kanal-100 V 8.3A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Ta)
Infineon
IRF7233 Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

IRF7233 Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

Berg 8-SO des P-Kanal-12 V 9.5A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Ta)
Infineon
2SC2712-Y, LXHF-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

2SC2712-Y, LXHF-Flash-Speicher IC NEU UND STAMMAKTIE

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 50 V 150 MA 80MHz 200-mW-Oberflächenberg S-Mini
Hersteller
3296W-1-500 Trimmer 3/8" Potenziometer SMD Chip Resistor Square Trimpot Trimming

3296W-1-500 Trimmer 3/8" Potenziometer SMD Chip Resistor Square Trimpot Trimming

50 Ohm 0.5W, PC 1/2W Stifte durch Drehungs-Spitzenanpassung Loch-Trimmer-Potenziometer Cermet-25,0
Hersteller
MOV-14D471KTR ZOV Hochspannungs-Chip Resistor, Spannungs-abhängiger Varistor während des Lochs

MOV-14D471KTR ZOV Hochspannungs-Chip Resistor, Spannungs-abhängiger Varistor während des Lochs

470 Stromkreis Ka V 4,5 Varistor-1 durch Lochscheibe 14mm
Hersteller
2SA1295 PNP Epitaxial- planare nagelneue ursprüngliche Zustand des Transistor-Silikon-SANKEN

2SA1295 PNP Epitaxial- planare nagelneue ursprüngliche Zustand des Transistor-Silikon-SANKEN

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 230 V 17 ein 35MHz 200 W durch Loch MT-200
Hersteller
2SC5200 2SA1943 Energie des Audioverstärker-Transistor-C5200 A1943 des Silikon-NPN

2SC5200 2SA1943 Energie des Audioverstärker-Transistor-C5200 A1943 des Silikon-NPN

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 230 V 15 ein 30MHz 150 W durch Loch TO-264
STMicroelectronics
Elektronische Bauelement-nordisches Halbleiter Rf-System NRF52840 QIAA R IC

Elektronische Bauelement-nordisches Halbleiter Rf-System NRF52840 QIAA R IC

IC-Rf TxRx + MCU 802.15.4, Doppelreihen Bluetooths Bluetooth v5.0 2.4GHz 73-VFQFN, herausgestellte A
Hersteller
Nordische Modulation Halbleiter NRF52832-QFAA-R7 Rf-Ein-Chip-System-GFSK

Nordische Modulation Halbleiter NRF52832-QFAA-R7 Rf-Ein-Chip-System-GFSK

IC-Rf TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.3 2.4GHz 48-VFQFN stellte Auflage heraus
Hersteller
NRF52832-QFAA-R GFSK nordischer Halbleiter ASA Rf-Transceiver-IC

NRF52832-QFAA-R GFSK nordischer Halbleiter ASA Rf-Transceiver-IC

IC-Rf TxRx + MCU Bluetooth, allgemeine THEORIE > 1GHz Bluetooth v5.3 2.4GHz 48-VFQFN stellte Auflage
Hersteller
NRF52832-CIAA-R IC elektronische Bauelemente Rf-Ein-Chip-System

NRF52832-CIAA-R IC elektronische Bauelemente Rf-Ein-Chip-System

IC Rf TxRx + MCU General THEORIE > 1GHz Bluetooth v5.3 2.4GHz 50-XFBGA, WLCSP
Hersteller
NRF51822-QFAA-R7 IC elektronische Bauelement-nordisches Halbleiter Rf-System

NRF51822-QFAA-R7 IC elektronische Bauelement-nordisches Halbleiter Rf-System

IC-Rf TxRx + MCU Bluetooth, allgemeine THEORIE > 1GHz Bluetooth v4.0 2.4GHz 48-VFQFN stellte Auflage
Hersteller
Druck-Sensor MPX5010DP

Druck-Sensor MPX5010DP

Differenzialer Mann des Druck-Sensor-1.45PSI (10kPa) - 0,19" (4.93mm) Rohr, verdoppeln 0,2 V | 4,7 M
NXP
Stromversorgungs-berührungsfreier Infrarotentfernttemperaturfühler MLX90614ESFBAA der Stammaktie MLX90614ESF-BAA-000-TU 3V

Stromversorgungs-berührungsfreier Infrarotentfernttemperaturfühler MLX90614ESFBAA der Stammaktie MLX90614ESF-BAA-000-TU 3V

Temperaturfühler Digital, Infrarot (IR) -40°C | 85°C 16 b TO-39
Hersteller
Bestseller- (neue Vorlage) elektronische Bauelemente ICs MCR100-6G

Bestseller- (neue Vorlage) elektronische Bauelemente ICs MCR100-6G

Empfindliches Tor Störungsbesuchs 400 V 800 MA durch Loch TO-92 (TO-226)
Semi-ON / Semi-Katalysator
neue und ursprüngliche beste des Preistransistors BZT52C4V7-E3-08 elektronische Bauelemente der integrierten Schaltung

neue und ursprüngliche beste des Preistransistors BZT52C4V7-E3-08 elektronische Bauelemente der integrierten Schaltung

Oberflächenberg SOD-123 der Zenerdiode-4,7 V 410 mW ±5%
VISHAY
Teile DFLS1100-7 des elektronischen Bauelements

Teile DFLS1100-7 des elektronischen Bauelements

Oberflächenberg PowerDI™ 123 der Dioden-100 V 1A
Hersteller
M5Stack ESP32-CAM WiFi BT BLE mit der Kamera-OV2640 Entwicklungs-Brett Modul WIFI-Kern-des Brett-ESP32

M5Stack ESP32-CAM WiFi BT BLE mit der Kamera-OV2640 Entwicklungs-Brett Modul WIFI-Kern-des Brett-ESP32

ESP32, OV2640 - Bild-Sensor-Sensor-Bewertungskommission
Hersteller
Neue IC-Hochgeschwindigkeitsfotokupplung f oder MOS-FET-/IGBT-Antrieb (8-pin SMD) PC923L0YSZ0F

Neue IC-Hochgeschwindigkeitsfotokupplung f oder MOS-FET-/IGBT-Antrieb (8-pin SMD) PC923L0YSZ0F

Fahrer-Optical Couplings 5000Vrms 1 des Tor-600mA Kanal 8-DIP
Hersteller
Chips Single Chip Very Low-Energie Rf-Transceiver integrierter Schaltung CC1000PW elektronischer

Chips Single Chip Very Low-Energie Rf-Transceiver integrierter Schaltung CC1000PW elektronischer

Allgemeine THEORIE IC-Rfs TxRx nur < 1GHz 315MHz, 433MHz, 868MHz, 915MHz 28-TSSOP (0,173", 4.40mm Br
Texas Instruments
Präzisions-Temperaturfühler integrierter Schaltung LM35DM elektronische Celsius

Präzisions-Temperaturfühler integrierter Schaltung LM35DM elektronische Celsius

Temperaturfühler-Entsprechung, lokales 0°C | 100°C 10mV/°C 8-SOIC
Texas Instruments
Kondensator IC C2012X7S2A224K085AE SMD0805 mehrschichtige keramische Kappe des Tantal-Chips

Kondensator IC C2012X7S2A224K085AE SMD0805 mehrschichtige keramische Kappe des Tantal-Chips

0,22 µF ±10 % 100 V Keramikkondensator X7S 0805 (2012 metrisch)
Hersteller
SRN4018-150M SMD Ferrit-Perle FLACHE ENERGIE-INDUKTOREN

SRN4018-150M SMD Ferrit-Perle FLACHE ENERGIE-INDUKTOREN

Hersteller
Elektronischer IC Chip SPW47N60C3FKSA1 NEU UND STAMMAKTIE

Elektronischer IC Chip SPW47N60C3FKSA1 NEU UND STAMMAKTIE

Infineon
Elektronischer IC Chip 1SV305, L3F NEU UND STAMMAKTIE

Elektronischer IC Chip 1SV305, L3F NEU UND STAMMAKTIE

Hersteller
Elektronischer IC Chip 1SV323 NEU UND STAMMAKTIE

Elektronischer IC Chip 1SV323 NEU UND STAMMAKTIE

Hersteller
Elektronischer IC Chip 1SV325, H3F NEU UND STAMMAKTIE

Elektronischer IC Chip 1SV325, H3F NEU UND STAMMAKTIE

Hersteller
Elektronischer IC Chip CL10C391JB8NNNC NEU UND STAMMAKTIE

Elektronischer IC Chip CL10C391JB8NNNC NEU UND STAMMAKTIE

SAMSUNG
Elektronischer IC Chip CL10C680JB8NNNC NEU UND STAMMAKTIE

Elektronischer IC Chip CL10C680JB8NNNC NEU UND STAMMAKTIE

SAMSUNG
Elektronischer IC Chip CL21A106KOQNNNE NEU UND STAMMAKTIE

Elektronischer IC Chip CL21A106KOQNNNE NEU UND STAMMAKTIE

SAMSUNG
Elektronischer IC Chip CL21A226KQQNNNE NEU UND STAMMAKTIE

Elektronischer IC Chip CL21A226KQQNNNE NEU UND STAMMAKTIE

SAMSUNG
Elektronischer IC Chip CL21C151JBANNNC NEU UND STAMMAKTIE

Elektronischer IC Chip CL21C151JBANNNC NEU UND STAMMAKTIE

SAMSUNG
11 12 13 14 15