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elektronische IC-Chips
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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C2012C0G1H103J/1,25 NEU UND URSPRÜNGLICH |
10000 pF ±5 % 50 V Keramikkondensator C0G, NP0 0805 (2012 metrisch)
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Hersteller
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C3216X5R1C476MTJ00N NEU UND ORIGINAL LAGER |
47 µF ±20 % 16 V Keramikkondensator X5R 1206 (3216 metrisch)
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Hersteller
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C3216X5R1E106K160AB NEU UND ORIGINAL LAGER |
10 µF ±10 % 25 V Keramikkondensator X5R 1206 (3216 metrisch)
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Hersteller
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C3216X7R1H105K160AB NEU UND ORIGINAL LAGER |
1 µF ±10 % 50 V Keramikkondensator X7R 1206 (3216 metrisch)
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Hersteller
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C5750X7R1H106K230KB NEU UND URSPRÜNGLICH |
10 µF ±10 % 50 V Keramikkondensator X7R 2220 (5750 metrisch)
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Hersteller
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GJM1555C1HR10BB01D NEU UND ORIGINAL LAGER |
0,1 pF ±0,1 pF 50 V Keramikkondensator C0G, NP0 0402 (1005 metrisch)
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Hersteller
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GRM0335C1E100JA01D NEU UND ORIGINAL LAGER |
10 pF ±5 % 25 V Keramikkondensator C0G, NP0 0201 (0603 metrisch)
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Hersteller
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GRM0335C1E101JA01D NEU UND ORIGINAL LAGER |
100 pF ±5 % 25 V Keramikkondensator C0G, NP0 0201 (0603 metrisch)
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Hersteller
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GRM0335C1E110JA01D NEU UND ORIGINAL LAGER |
11 pF ±5 % 25 V Keramikkondensator C0G, NP0 0201 (0603 metrisch)
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Hersteller
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GRM0335C1E130JA01D NEU UND ORIGINAL LAGER |
13 pF ±5 % 25 V Keramikkondensator C0G, NP0 0201 (0603 metrisch)
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Hersteller
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GRM0335C1E150JA01D NEU UND ORIGINAL LAGER |
15 pF ±5 % 25 V Keramikkondensator C0G, NP0 0201 (0603 metrisch)
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Hersteller
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GRM0335C1E160JA01D NEU UND ORIGINAL LAGER |
16 pF ±5 % 25 V Keramikkondensator C0G, NP0 0201 (0603 metrisch)
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Hersteller
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GRM0335C1E180JA01D NEU UND ORIGINAL LAGER |
18 pF ±5 % 25 V Keramikkondensator C0G, NP0 0201 (0603 metrisch)
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Hersteller
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GRM0335C1E1R3CA01D NEU UND ORIGINAL LAGER |
1,3 pF ±0,25 pF 25 V Keramikkondensator C0G, NP0 0201 (0603 metrisch)
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Hersteller
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GRM0335C1E120JA01D NEU UND ORIGINAL LAGER |
12 pF ±5 % 25 V Keramikkondensator C0G, NP0 0201 (0603 metrisch)
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Hersteller
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IRF8010PBF NEU UND ORIGINAL LAGER |
N-Kanal 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Hersteller
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IRF830PBF NEU UND URSPRÜNGLICH |
N-Kanal 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF840PBF NEU UND URSPRÜNGLICH |
N-Kanal 500 V 8A (Tc) 125W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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APC-817B1-SL NEU UND URSPRÜNGLICH |
Lichtdämpfer-Transistor gab 5000Vrms 1 Kanal 4-SMD aus
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Hersteller
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IRFH5301TRPBF NEU UND ORIGINAL LAGER |
N-Kanal 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), der Berg PQFN (5x6) der Oberflächen-110W (Tc) einzeln st
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Hersteller
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1PS76SB40-QX NEU UND ORIGINAL LAGER |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-40 V 120mA
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Hersteller
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1PS76SB40-QF NEU UND ORIGINAL LAGER |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-40 V 120mA
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Hersteller
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BTA12-600BW3G NEU UND ORIGINAL LAGER |
TRIAC Standard 600 V 12 A Durchgangsloch TO-220AB
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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BTA12-600CW3G NEU UND ORIGINAL LAGER |
TRIAC Standard 600 V 12 A Durchgangsloch TO-220AB
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Hersteller
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1PS79SB10X NEU UND ORIGINAL LAGER |
Oberflächenberg SOD-523 der Dioden-30 V 200mA
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Hersteller
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1PS76SB70-QX NEU UND ORIGINAL LAGER |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-70 V 70mA
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Hersteller
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1PS76SB70-QF NEU UND ORIGINAL LAGER |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-70 V 70mA
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Hersteller
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1PS76SB10Z NEU UND ORIGINAL LAGER |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-30 V 200mA
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Hersteller
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1PS76SB10.115 NEU UND ORIGINAL LAGER |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-30 V 200mA
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Hersteller
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1N4148 NEU UND URSPRÜNGLICH |
Diode 75 V 300 mA Durchgangsloch DO-35
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Hersteller
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BTA12-600SWRG NEU UND URSPRÜNGLICH |
TRIAC-Logik – Sensitive Gate 600 V 12 A Durchgangsloch TO-220
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STMicroelectronics
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BTA12-600CRG NEU UND URSPRÜNGLICH |
TRIAC Standard 600 V 12 A Durchgangsloch TO-220AB isoliert
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STMicroelectronics
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BTA12-600BWRG NEU UND URSPRÜNGLICH |
TRIAC-Generator – ohne Überspannungsschutz, 600 V, 12 A, Durchgangsloch TO-220
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STMicroelectronics
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2N7002 NEU UND URSPRÜNGLICH |
N-Kanal 60 V 200 mA (Tc) 350 mW (Tc), Oberflächenmontage SOT-23-3
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STMicroelectronics
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2N7002 NEU UND URSPRÜNGLICH |
N-Kanal 60 V 115 mA (Tc) 200 mW (Tc) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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2N7002 NEU UND URSPRÜNGLICH |
N-Kanal 60 V 115 mA (Ta) 225 mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23
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Hersteller
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2N7002 NEU UND URSPRÜNGLICH |
N-Kanal 60 V 280 mA (Ta) 350 mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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2N7002 NEU UND URSPRÜNGLICH |
Berg SOT-23 des N-Kanal-60 V 340mA (Ta) der Oberflächen-350mW (Ta)
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Hersteller
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2N7002 NEU UND URSPRÜNGLICH |
Berg SOT-23-3 des N-Kanal-60 V 115mA (Ta) der Oberflächen-200mW (Ta)
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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2N7002 NEU UND URSPRÜNGLICH |
N-Kanal 60 V 280 mA (Ta) 350 mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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2N7002PS/ZLX NEU UND ORIGINAL LAGER |
Mosfet-Array 60 V, 320 mA (Ta), 990 mW, Oberflächenmontage, 6-TSSOP
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Hersteller
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2N7002PS/ZLH NEU UND ORIGINAL LAGER |
Mosfet-Array 60 V, 320 mA (Ta), 990 mW, Oberflächenmontage, 6-TSSOP
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Hersteller
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2N7002PSZ NEU UND ORIGINAL LAGER |
Mosfet-Array 60 V, 320 mA (Ta), 280 mW, Oberflächenmontage, 6-TSSOP
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Hersteller
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2N7002E NEU UND URSPRÜNGLICH |
Berg SOT-23-3 (TO-236) des N-Kanal-60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) der Oberflächen-
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Hersteller
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2N7002PV,115 NEU UND ORIGINAL LAGER |
Mosfet-Array 60V 350mA 330mW Oberflächenmontage SOT-666
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Hersteller
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74AHCT164D,112 NEU UND ORIGINAL LAGER |
Schiebeelement-Stückchen
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NXP
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SN74HC259NS NEU UND ORIGINAL LAGER |
D-artiges, zugängliches 1 Kanal1:8 IC Standard-16-SO
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Texas Instruments
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BAV20 Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
Diode 150 V 250 mA Durchgangsloch DO-35
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Hersteller
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BAV199 Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-75 V 215mA
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Hersteller
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BAV20 Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
Diode 200 V 200 mA Durchkontaktierung DO-35 (DO-204AH)
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Hersteller
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