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Elektronische Bauelemente

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
VS-85CNQ015APBF Feldwirkungstransistor

VS-85CNQ015APBF Feldwirkungstransistor

Dioden-Reihe Fahrgestelle-Berg D-61-8 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-15 V 40A
VISHAY
VS-HFA16PA60CPBF Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

VS-HFA16PA60CPBF Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 600 V 8A (DC) durch Loch TO-247-3
VISHAY
Effekt-Transistor des Feld-HFA08PB60 NEU UND STAMMAKTIE

Effekt-Transistor des Feld-HFA08PB60 NEU UND STAMMAKTIE

Diode 600 V 8A durch Loch TO-247AC änderte
VISHAY
IRFU220NPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFU220NPBF NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) durch Loch IPAK (TO-251AA)
Infineon
IRF1404LPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRF1404LPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 40 V 162A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) durch Loch TO-262
Infineon
IRFU3910PBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFU3910PBF NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) durch Loch IPAK (TO-251AA)
Infineon
IRFU9024NPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFU9024NPBF NEU UND STAMMAKTIE

P-Kanal 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) durch Loch IPAK (TO-251AA)
Infineon
VS-HFA08SD60STRPBF Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

VS-HFA08SD60STRPBF Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

Oberflächenberg D-PAK (TO-252AA) der Dioden-600 V 8A
VISHAY
Effekt-Transistor des Feld-80CNQ045ASM NEU UND STAMMAKTIE

Effekt-Transistor des Feld-80CNQ045ASM NEU UND STAMMAKTIE

Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 45 V 40A durch Loch D-61-8-SM
VISHAY
IRF1018EPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRF1018EPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) durch Loch TO-220AB
Infineon
Effekt-Transistor des Feld-IRF100B201 NEU UND STAMMAKTIE

Effekt-Transistor des Feld-IRF100B201 NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) durch Loch TO-220AB
Infineon
IRF1405PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRF1405PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 55 V 169A (Tc) 330W (Tc) durch Loch TO-220AB
Infineon
IRF1407STRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRF1407STRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 75 V 100A (Tc) 3.8W (Ta), Berg D2PAK der Oberflächen-200W (Tc)
Infineon
IRF1312PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRF1312PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 80 V 95A (Tc) 3.8W (Ta), 210W (Tc) durch Loch TO-220AB
Infineon
IRF1404ZSTRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRF1404ZSTRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

Berg PG-TO263-3 des N-Kanal-40 V 180A (Tc) der Oberflächen-200W (Tc)
Infineon
IRLB3034PBF Feldwirkungstransistor neu und originell

IRLB3034PBF Feldwirkungstransistor neu und originell

N-Kanal 40 V 195 A (Tc) 375 W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB
Hersteller
IRLB3036PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRLB3036PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) durch Loch TO-220AB
Infineon
IRLB3813PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRLB3813PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) durch Loch TO-220AB
Infineon
IRFD120PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRFD120PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) durch Loch 4-HVMDIP
VISHAY
IRFR3709ZTRPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFR3709ZTRPBF NEU UND STAMMAKTIE

Berg D-PAK des N-Kanal-30 V 86A (Tc) der Oberflächen-79W (Tc)
Infineon
Diodenkreislauf synchroner Gleichrichter mit hoher ESD-Toleranz PTZTE2518B Kleine Leistungsformart

Diodenkreislauf synchroner Gleichrichter mit hoher ESD-Toleranz PTZTE2518B Kleine Leistungsformart

Oberflächenberg PMDS der Zenerdiode-18 V 1 W ±6%
Rohm Halbleiter
2SC2712-GR,LF Flash-Speicher-IC Neues und Original

2SC2712-GR,LF Flash-Speicher-IC Neues und Original

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 50 V 150 MA 80MHz 150-mW-Oberflächenberg S-Mini
TOSHIBA
2SC2712-Y,LF Flash-Speicher-IC Neues und Original

2SC2712-Y,LF Flash-Speicher-IC Neues und Original

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 50 V 150 MA 80MHz 150-mW-Oberflächenberg S-Mini
TOSHIBA
TIP127 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

TIP127 Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W durch Loch TO-220
Semi-ON / Semi-Katalysator
TIP31C Neue und ursprüngliche Lagerbestände

TIP31C Neue und ursprüngliche Lagerbestände

Bipolarer (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W durch Loch TO-220
STMicroelectronics
8ETH06 Flash-Speicher-IC Neues und Originalspeicher

8ETH06 Flash-Speicher-IC Neues und Originalspeicher

Diode 600 V 8A Durchgangsloch TO-220AC
VISHAY
BCM846SH6327XTSA1 Flash-Speicher-IC Neues und Originalspeicher

BCM846SH6327XTSA1 Flash-Speicher-IC Neues und Originalspeicher

Bipolares (BJT) Transistor-Array 2 NPN (Dual) 65 V 100 mA 250 MHz 250 mW Oberflächenmontage PG-SOT36
Infineon
GRM033R71A122KA01D Neue und ursprüngliche Lagerbestände

GRM033R71A122KA01D Neue und ursprüngliche Lagerbestände

1200 keramischer Kondensator PF ±10% 16V X7R 0201 (0603 metrisch)
Murata
GRM155R61C105KA12D Hochtemperaturkondensator Neuer und Original

GRM155R61C105KA12D Hochtemperaturkondensator Neuer und Original

1 µF ±10 % 16 V Keramikkondensator X5R 0402 (1005 metrisch)
Murata
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