FSBB30CH60F Mosfet-Energie-Modulthyristordiode intelligentes Energie-Modul
low voltage power mosfet
,hybrid inverter circuit
FSBB30CH60F Mosfet-Energie-Modulthyristordiode intelligentes Energie-Modul
Eigenschaften
• UL zugelassenes No.E209204 (SPM27-EA Paket)
• Sehr niedriger thermischer Widerstand passend zur Anwendung von DBC
• 600V-30A 3-phasige IGBT Inverterbrücke einschließlich Steuerung IC für das Torfahren und -schutz
• Geteilte negative DCverbindungsanschlüsse für gegenwärtige Abfragungsanwendungen des Inverters
• Einzel-geerdete Stromversorgung wegen eingebauten HVIC
• Isolierungsbewertung von 2500Vrms/min.
Anwendungen
• Wechselstrom 100V | Dreiphasenantrieb des inverters 253V für kleine Energiewechselstrom-Motorantriebe
• Haushaltsgerätanwendungen wie Klimaanlage und Waschmaschine.
Allgemeine Beschreibung
Es ist ein modernes intelligentes Energiemodul (SPMTM) dass Fairchild neuentwickeltes hat und entwirft, um Wechselstrom-Motorantriebe zur Verfügung zu stellen die sehr kompakte und der Hochleistung, die hauptsächlich Inverter-gesteuerte Niederleistungsanwendung wie Klimaanlage und Waschmaschine anvisieren. Es kombiniert optimierten Stromkreisschutz und -antrieb, die an verlustarmes IGBTs angepasst wird. Systemzuverlässigkeit wird weiter durch die integrierte Unterspannungsaussperrung und -Kurzschlusssicherung erhöht. Das eingebaute HOCHGESCHWINDIGKEITSHVIC liefert Treibereigenschaften des Optokoppler-losen Tors der Einzelversorgung IGBT, die weiter die Gesamtgröße des Invertersystemdesigns verringern. Jeder Phasenstrom des Inverters kann an den geteilten negativen DC-Anschlüssen überwachtes separat liegen.
Integrierte Potenz-Funktionen
• 600V-30A IGBT Inverter für Dreiphasen-DC-/ACenergieaufbereitung (beziehen Sie bitte sich auf Tabelle 3)
Integrierte Antriebs-, Schutz-und System-Kontrollfunktionen
• Für Inverter hoch-seitiges IGBTs:
Tor-Antriebsstromkreis, lokalisierte Hochgeschwindigkeitsniveauhochspannungsverschiebung
(UV) Schutz der Steuerstromkreisunterspannung
• Für Inverter niedrig-seitiges IGBTs:
Tor-Antriebsstromkreis, Kurzschlusssicherung (Sc)
(UV) Schutz der Steuerversorgungsstromkreis-unterspannung
• Störungssignalisieren: Entsprechend einer UVstörung (Niedrig-seitige Versorgung)
• Eingegebene Schnittstelle: 3.3/5V CMOS/LSTTL kompatibel, Schmitt-Trigger-Input
Absolute Maximalleistungen (TJ = 25°C, wenn nicht anders angegeben)
Inverter-Teil
| Symbol | Parameter | Bedingungen | Bewertung | Einheiten |
| VPN | Versorgungs-Spannung | Zugetroffen zwischen p NU, Nanovolt, Nanowatt | 450 | V |
| VPN (Anstieg) | Versorgungs-Spannung (Anstieg) | Zugetroffen zwischen p NU, Nanovolt, Nanowatt | 500 | V |
| VCES | Kollektor-Emitter-Spannung | 600 | V | |
| ± IC | Jeder IGBT-Kollektorstrom | TC = 25°C | 30 | |
| ± ICP | Jeder IGBT-Kollektorstrom (Spitze) | TC = 25°C, unter Breite des Impuls-1ms | 60 | |
| PC | Kollektor-Ableitung | TC = 25°C pro einen Chip | 103 | W |
| TJ | Funktionierende Grenzschichttemperatur | (Anmerkung 1) | -20 | 125 | °C |
Anmerkung:
1. Die maximale Grenzschichttemperaturbewertung der Energiechips, die innerhalb des SPM integriert werden, ist 150°C (@TC-≤ 100°C). Jedoch um sicheren Betrieb des SPM zu versichern, sollte die durchschnittliche Grenzschichttemperatur auf ≤ TJ (Allee) 125°C (@TC-≤ 100°C) begrenzt sein
Pin Configuration
Interne Ersatzschaltbild-und Input/Output Stifte
Angebot auf Lager (heißer Verkauf)
| Teilnummer. | Quantität | Marke | D/C | Paket |
| HD74LS139P | 6181 | RENESAS | 11+ | BAD |
| HD74LS240P | 5282 | RENESAS | 14+ | DIP-20 |
| HD74LS245P | 9670 | RENESAS | 16+ | BAD |
| HD74LS273P | 5485 | HITACHI | 13+ | DIP-20 |
| HD74LS32P-E | 11345 | RENESAS | 16+ | DIP-14 |
| HD74LS85P | 8284 | RENESAS | 14+ | BAD |
| HD74LS86P | 12694 | RENESAS | 14+ | DIP-14 |
| HDSP-F201-DE000 | 2694 | AVAGO | 12+ | BAD |
| HEF4001BT | 25000 | 16+ | SOP-14 | |
| HEF40106BT | 47000 | 13+ | BESCHWICHTIGUNGSMITTEL | |
| HEF4011BT | 48000 | 16+ | SOP-14 | |
| HEF4013BP | 15250 | 94+ | DIP-14 | |
| HEF4016BT | 89000 | 16+ | SOP-15 | |
| HEF4017BT | 35000 | 16+ | SOP-16 | |
| HEF4051BP | 9941 | 12+ | DIP-16 | |
| HEF4071BP | 21072 | 12+ | BAD | |
| HEF4071BT | 98000 | 16+ | SOP-14 | |
| HEF4094BP | 15321 | 10+ | DIP-16 | |
| HEF4538BT | 14627 | 16+ | SOP-16 | |
| HFA08TB60PBF | 11416 | VISHAY | 15+ | TO-220 |
| HFBR-1312TZ | 499 | AVAGO | 15+ | VORLAGE |
| HFBR-1414TZ | 2747 | AVAGO | 16+ | REISSVERSCHLUSS |
| HFBR-1521Z | 2381 | AVAGO | 15+ | REISSVERSCHLUSS |
| HFBR-2316TZ | 472 | AVAGO | 15+ | BAD |
| HFBR-2521Z | 2432 | AVAGO | 15+ | REISSVERSCHLUSS |
| HFJ11-1G11E-L12RL | 6864 | HALO | 14+ | RJ45 |
| HGDEPT031A | 5862 | ALPEN | 09+ | SOT23PB |
| HGTG20N60A4D | 8766 | FSC | 14+ | TO-247 |
| HI1-5043-5 | 2403 | HARRIS | 01+ | DIP-16 |
| HIH-4000-004 | 1201 | HONEYWELL | 15+ | SENSOR |
Schweißgerät FGL40N120ANDTU 40A 1200V IGBT einröhriger NPT TO-264
Graben IGBT 25A 1200V FGA25N120ANTD TO-3P NPT
Parallele Hyperfast Antidiode 43A 1200V HGTG11N120CND NPT GBT
Transistor FGH40N60 FGH40N60SMD der elektronischen Bauelemente 40N60 IGBT Services ICs BOM
Feld-Halt IGBT neues ursprüngliches IC FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 TO-247 80A 600V
STK621 - Energie-Modul-formte hybrides Inverter-Stromkreis SCHLÜCKCHEN 033 N.E. Mosfet voll
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Schweißgerät FGL40N120ANDTU 40A 1200V IGBT einröhriger NPT TO-264 |
IGBT NPT 1200 V 64 A 500 W Through Hole TO-264-3
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Graben IGBT 25A 1200V FGA25N120ANTD TO-3P NPT |
IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
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Parallele Hyperfast Antidiode 43A 1200V HGTG11N120CND NPT GBT |
IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W Through Hole TO-247-3
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Transistor FGH40N60 FGH40N60SMD der elektronischen Bauelemente 40N60 IGBT Services ICs BOM |
IGBT Field Stop 600 V 80 A 349 W Through Hole TO-247-3
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Feld-Halt IGBT neues ursprüngliches IC FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 TO-247 80A 600V |
IGBT Field Stop 600 V 80 A 290 W Through Hole TO-247-3
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STK621 - Energie-Modul-formte hybrides Inverter-Stromkreis SCHLÜCKCHEN 033 N.E. Mosfet voll |
Half Bridge (3) Driver AC Motors IGBT 23-SIP
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