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elektronische IC-Chips
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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IRF3710PBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
N-Kanal 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Hersteller
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IRF3808PBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
N-Kanal 75 V 140A (Tc) 330W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Hersteller
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IRF3808SPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
Berg D2PAK des N-Kanal-75 V 106A (Tc) der Oberflächen-200W (Tc)
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Hersteller
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2SB1184TLP Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 50 V 3 ein Oberflächenberg CPT3 70MHz 1 W
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Hersteller
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IRF2805PBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
N-Kanal 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Hersteller
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IRF2907ZPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
IRF2907 - KRIEGSGEFANGEN DES N-KANAL-12V-300V
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Hersteller
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CYRF69103-40LTXC Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
IC Rf TxRx + MCU General THEORIE > 1GHz 2.4GHz 40-VFQFN stellte Auflage heraus
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Hersteller
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IRFS4321PBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
Berg D2PAK des N-Kanal-150 V 85A (Tc) der Oberflächen-350W (Tc)
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Hersteller
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IRFS4610TRLPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
Berg D2PAK des N-Kanal-100 V 73A (Tc) der Oberflächen-190W (Tc)
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Infineon
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IRFS4227TRLPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
Berg D2PAK des N-Kanal-200 V 62A (Tc) der Oberflächen-330W (Tc)
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Hersteller
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IRFS4410ZTRLPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
Berg PG-TO263-3 des N-Kanal-100 V 97A (Tc) der Oberflächen-230W (Tc)
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Infineon
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IRFS4010TRLPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
Berg D2PA des N-Kanal-100 V 180A (Tc) der Oberflächen-375W (Tc)
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Infineon
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IRFS4010-7PPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
Berg D2PAK des N-Kanal-100 V 190A (Tc) der Oberflächen-380W (Tc)
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Infineon
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SMBJ20A-E3/52 Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
32.4V Fernsehdioden-Oberflächenberg DO-214AA (SMBJ) der Klammern-18.5A Ipp
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VISHAY
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SMBJ11CA-E3/52 Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
18.2V Fernsehdioden-Oberflächenberg DO-214AA (SMBJ) der Klammern-33A Ipp
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VISHAY
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SMBJ18CA-E3/52 Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
29.2V Fernsehdioden-Oberflächenberg DO-214AA (SMBJ) der Klammern-20.5A Ipp
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VISHAY
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VS-30ETH06SPBF Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER |
Oberflächenberg TO-263AB (d-² PAK) der Dioden-600 V 30A
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VISHAY
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BC847BPN,165 NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipolige Reihe NPN, Oberflächenberg 6-TSSOP des Transistor-(BJT) PNP 45V 100mA 100MHz 300mW
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Hersteller
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PMBS3904.215 NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 40 V 100 MA 180MHz 250-mW-Oberflächenberg TO-236AB
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Hersteller
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PHKD6N02LT,518 NEU UND ORIGINAL LAGER |
Oberflächenberg 8-SO Mosfet-Reihen-20V 10.9A 4.17W
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Hersteller
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BC817-40 NEU UND URSPRÜNGLICH |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 800 MA 100MHz 310-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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BAS316 NEU UND URSPRÜNGLICH |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-100 V 250mA
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Hersteller
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BSS123 NEU UND URSPRÜNGLICH |
Oberflächen-Berg SOT-23-3 des N-Kanal-100 V 200mA 350mW (Ta)
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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PMBT3906YS,115 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipoliger Oberflächenberg 6-TSSOP des Transistor-(BJT) der Reihen-2 PNP (Doppel) 40V 200mA 250MHz
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Hersteller
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PBSS5350D Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 50 V 3 ein 100MHz 750-mW-Oberflächenberg 6-TSOP
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Hersteller
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PMBT4403,235 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 40 V 600 MA 200MHz 250-mW-Oberflächenberg TO-236AB
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Hersteller
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BCX56-16,135 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 80 V 1 ein Oberflächenberg 1,25 180MHz W SOT-89
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Hersteller
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PESD12VS1UL,315 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
35V Fernsehdioden-Oberflächenberg DFN1006-2 der Klammern-5A (8/20µs) Ipp
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Hersteller
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BZX79-B10,113 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zenerdiode 10 V 400 mW ±2% durch Loch ALF2
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Hersteller
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BCP56 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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BT139-800G,127 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
TRIAC Standard 800 V 16 A durch Loch TO-220AB
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Hersteller
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BSS123 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Berg SOT-23 des N-Kanal-100 V 200mA (Ta) der Oberflächen-350mW (Ta)
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Hersteller
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RUSBF110-2 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Polymerische rückstellbare Sicherung 16V 1,1 PTC ein Ih durch Loch-Radialstrahl, Diskette
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Hersteller
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PESD1CAN-UX Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
50V Fernsehdioden-Oberflächenberg SOT-323 der Klammern-3A (8/20µs) Ipp
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Hersteller
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PUMD3.125 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Vor-voreingenommenes bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Vor-voreingenommener (Doppel) Oberfläch
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Hersteller
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PSMN7R0-100PS,127 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
N-Kanal 100 V 100A (Tc) 269W (Tc) durch Loch TO-220AB
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NXP
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BC817-40-7-F Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Bipolarer (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 310 mW Oberflächenhalter SOT-23-3
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Hersteller
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PDTC114YE,135 NEU UND URSPRÜNGLICH |
Vor-voreingenommenes bipolar Transistor (BJT) NPN - Vor-voreingenommene 50 V 100 MA 150-mW-Oberfläch
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NXP
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BAV170 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-85 V 125mA (
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Hersteller
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BCX51-10,115 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 1 ein Oberflächenberg SOT-89 145MHz 1,3 W
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Hersteller
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PMBT2907AYSX Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipoliger Oberflächenberg 6-TSSOP des Transistor-(BJT) der Reihen-2 NPN (Doppel) 60V 600mA 200MHz
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Hersteller
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BAV23S Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-250 V 225mA
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Hersteller
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PESD3V3L1BA Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
24V Fernsehdioden-Oberflächenberg SOD-323 der Klammern-20A (8/20µs) Ipp
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Hersteller
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PUMD3.135 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Vor-voreingenommenes bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Vor-voreingenommener (Doppel) Oberfläch
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Hersteller
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BCX55-10,115 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 60 V 1 ein Oberflächenberg 1,25 180MHz W SOT-89
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Hersteller
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PMEG4005AEA,115 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Oberflächenberg SOD-323 der Dioden-40 V 500mA
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Hersteller
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BCP53-16 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 50MHz 1,6 W
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STMicroelectronics
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PUMD9 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Vor-voreingenommenes bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Vor-voreingenommener (Doppel) Oberfläch
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Hersteller
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BC817-40 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 800 MA 100MHz 310-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Hersteller
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BAT54 Chipdiode NEU UND ORIGINAL LAGER |
Oberflächenberg SOT-23 der Dioden-30 V 200mA
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Hersteller
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