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elektronische IC-Chips

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BAT120C,115 NEU UND URSPRÜNGLICH

BAT120C,115 NEU UND URSPRÜNGLICH

Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-261-4, TO-261AA der 1 Paar-allgemeiner Kathoden-25 V 1A (DC)
Hersteller
BAT54A NEU UND URSPRÜNGLICH

BAT54A NEU UND URSPRÜNGLICH

Dioden-Reihe Oberflächen-Berg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Anoden-30 V 200mA (DC
Hersteller
BAT54A NEU UND URSPRÜNGLICH

BAT54A NEU UND URSPRÜNGLICH

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-allgemeiner Anoden-30 V 200mA
Hersteller
BC857C,235 NEU UND URSPRÜNGLICH

BC857C,235 NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 250-mW-Oberflächenberg TO-236AB
Hersteller
BC856W,115 NEU UND URSPRÜNGLICH

BC856W,115 NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
Hersteller
BC856W NEU UND URSPRÜNGLICH

BC856W NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
Hersteller
BC847W Oberflächenmontage-Induktor, neu und original

BC847W Oberflächenmontage-Induktor, neu und original

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
Hersteller
BC848B Hochspannungstransistor, neu und original

BC848B Hochspannungstransistor, neu und original

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 30 V 100 MA 300MHz 250-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
Hersteller
BC847C Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

BC847C Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
Hersteller
BC847W Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

BC847W Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
Hersteller
BC856B Leistungstransistor, neu und original

BC856B Leistungstransistor, neu und original

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 100MHz 250-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
Hersteller
BC856B Hochspannungstransistor, neu und original

BC856B Hochspannungstransistor, neu und original

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
Hersteller
BC848B Hochfrequenztransistor, neu und original

BC848B Hochfrequenztransistor, neu und original

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 30 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
Hersteller
BC847BW Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

BC847BW Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
Hersteller
BC856B Leistungstransistor, neu und original

BC856B Leistungstransistor, neu und original

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
Hersteller
BC847BPN,125 Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

BC847BPN,125 Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

Zweipolige Reihe NPN, Oberflächenberg 6-TSSOP des Transistor-(BJT) PNP 45V 100mA 100MHz 300mW
Hersteller
BC847BW Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

BC847BW Feldeffekttransistor NEU UND ORIGINAL LAGER

Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
Hersteller
BC856W-QF Oberflächenmontage-Induktor, neu und original

BC856W-QF Oberflächenmontage-Induktor, neu und original

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
Hersteller
BC856W-QX Einstellbarer Induktor, neu und original

BC856W-QX Einstellbarer Induktor, neu und original

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
Hersteller
BC856S Einstellbarer Induktor, neu und original

BC856S Einstellbarer Induktor, neu und original

Zweipoliger Oberflächenberg SOT-363 des Transistor-(BJT) der Reihen-2 PNP 65V 100mA 100MHz 200mW
Hersteller
BC857A NEU UND URSPRÜNGLICH

BC857A NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 250-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
Hersteller
BC857BW NEU UND URSPRÜNGLICH

BC857BW NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
Hersteller
BC857BW NEU UND URSPRÜNGLICH

BC857BW NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
Hersteller
BC857BW NEU UND URSPRÜNGLICH

BC857BW NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
Hersteller
BC857C NEU UND URSPRÜNGLICH

BC857C NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 150MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23
Hersteller
BC857C NEU UND URSPRÜNGLICH

BC857C NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
Hersteller
BC857W,135 NEU UND URSPRÜNGLICH

BC857W,135 NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
Hersteller
BC857W NEU UND URSPRÜNGLICH

BC857W NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
Hersteller
BCM857BS,115 NEU UND URSPRÜNGLICH

BCM857BS,115 NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger (Doppel) gepaarter 45V 100mA 175MHz 300mW Oberflächenberg 6-TSSOP des Transistor-(BJT) d
Hersteller
BC858B NEU UND URSPRÜNGLICH

BC858B NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 30 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
Hersteller
BCM857BS-7-F NEU UND ORIGINAL LAGER

BCM857BS-7-F NEU UND ORIGINAL LAGER

Zweipoliger Oberflächenberg SOT-363 des Transistor-(BJT) der Reihen-2 PNP (Doppel) 45V 100mA 100MHz
Hersteller
BCP51 NEU UND URSPRÜNGLICH

BCP51 NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) PNP 45 V 1,5 A 1 W
Hersteller
BCP51 NEU UND URSPRÜNGLICH

BCP51 NEU UND URSPRÜNGLICH

Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) PNP 45 V 1,5 A 1 W
Semi-ON / Semi-Katalysator
SM8S33AHE3/2D NEU UND ORIGINAL LAGER

SM8S33AHE3/2D NEU UND ORIGINAL LAGER

53.3V Fernsehdioden-Oberflächenberg DO-218AB der Klammern-124A Ipp
VISHAY
IRFH7085TRPBF NEU UND ORIGINAL LAGER

IRFH7085TRPBF NEU UND ORIGINAL LAGER

Berg PQFN (5x6) des N-Kanal-60 V 100A (Tc) 156W (Tc) der Oberflächen-
Infineon
SIR468DP-T1-GE3 NEU UND STAMMAKTIE

SIR468DP-T1-GE3 NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), Berg PowerPAK® SO-8 der Oberflächen-50W (Tc)
VISHAY
IRFU024NPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFU024NPBF NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) durch Loch IPAK (TO-251AA)
Infineon
IRFR3910TRPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFR3910TRPBF NEU UND STAMMAKTIE

Berg D-PAK des N-Kanal-100 V 16A (Tc) der Oberflächen-79W (Tc)
Infineon
IRFR24N15DTRPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFR24N15DTRPBF NEU UND STAMMAKTIE

Berg D-PAK des N-Kanal-150 V 24A (Tc) der Oberflächen-140W (Tc)
Infineon
IRFR9024NTRPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFR9024NTRPBF NEU UND STAMMAKTIE

Berg D-PAK des P-Kanal-55 V 11A (Tc) der Oberflächen-38W (Tc)
Infineon
IRFR120NTRPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFR120NTRPBF NEU UND STAMMAKTIE

Berg D-PAK des N-Kanal-100 V 9.4A (Tc) der Oberflächen-48W (Tc)
Mikrochip
IRFR220NTRPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRFR220NTRPBF NEU UND STAMMAKTIE

Berg D-PAK des N-Kanal-200 V 5A (Tc) der Oberflächen-43W (Tc)
Infineon
SIHG20N50C-E3 NEU UND STAMMAKTIE

SIHG20N50C-E3 NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) durch Loch TO-247AC
VISHAY
IRLU024NPBF NEU UND STAMMAKTIE

IRLU024NPBF NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) durch Loch IPAK (TO-251AA)
Infineon
40L15CTPBF NEU UND STAMMAKTIE

40L15CTPBF NEU UND STAMMAKTIE

Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 15 V 20A durch Loch TO-220-3
VISHAY
APT15DQ100KG NEU UND STAMMAKTIE

APT15DQ100KG NEU UND STAMMAKTIE

Diode 1000 V 15A durch Loch TO-220 [K]
Mikrochip
SIRA04DP-T1-GE3 NEU UND STAMMAKTIE

SIRA04DP-T1-GE3 NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), Berg PowerPAK® SO-8 der Oberflächen-62.5W (Tc)
VISHAY
16CTQ100 NEU UND STAMMAKTIE

16CTQ100 NEU UND STAMMAKTIE

Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 100 V 8A durch Loch TO-220-3
VISHAY
VS-16CTU04STRLPBF Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

VS-16CTU04STRLPBF Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung) der 1 Paar-allgemeiner Kath
VISHAY
IRFR3410TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

IRFR3410TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE

N-Kanal 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), Berg D-PAK der Oberflächen-110W (Tc)
Infineon
28 29 30 31 32