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elektronische IC-Chips
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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IRFR7440TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg PG-TO252-3 des N-Kanal-40 V 90A (Tc) der Oberflächen-140W (Tc)
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Infineon
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IRFR210TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 200 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), Berg D-PAK der Oberflächen-25W (Tc)
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VISHAY
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IRFR420ATRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D-PAK des N-Kanal-500 V 3.3A (Tc) der Oberflächen-83W (Tc)
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VISHAY
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IRFR320TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 400 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), Berg D-PAK der Oberflächen-42W (Tc)
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VISHAY
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VS-80CPQ020PBF Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 20 V 40A durch Loch TO-247-3
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VISHAY
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VS-80CPQ150PBF Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 150 V 40A durch Loch TO-247-3
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VISHAY
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IRLML2502TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg Micro3™/SOT-23 des N-Kanal-20 V 4.2A (Ta) der Oberflächen-1.25W (Ta)
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Infineon
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IRLML0060TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg Micro3™/SOT-23 des N-Kanal-60 V 2.7A (Ta) der Oberflächen-1.25W (Ta)
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Infineon
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IRLML6302TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg Micro3™/SOT-23 des P-Kanal-20 V 780mA (Ta) der Oberflächen-540mW (Ta)
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Infineon
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IRLML0030TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg Micro3™/SOT-23 des N-Kanal-30 V 5.3A (Ta) der Oberflächen-1.3W (Ta)
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Infineon
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V40150C-E3/4W Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 150 V 20A durch Loch TO-220-3
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VISHAY
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Effekt-Transistor des Feld-6N137 NEU UND STAMMAKTIE |
Open-Collector--2500Vrms 1 Kanal der digitalen Ausgabe des Lichtdämpfer-10Mbps 10kV/µs (Art) CMTI 8-
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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IRF1010EPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 60 V 84A (Tc) 200W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Hersteller
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IRF1407PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Hersteller
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Effekt-Transistor des Feld-IRF135S203 NEU UND STAMMAKTIE |
Berg PG-TO263-3-2 des N-Kanal-135 V 129A (Tc) der Oberflächen-441W (Tc)
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Hersteller
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IRF1404ZPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 40 V 180A (Tc) 200W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Hersteller
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IRF1324S-7P Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Oberflächen-Berg D2PAK (7-Lead) des N-Kanal-24 V 240A (Tc)
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Infineon
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IRLB4132PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 30 V 78A (Tc) 140W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRL8113PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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FMX-4202S Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Dioden-Reihe 1 Paar-allgemeine Kathode 200 V 20A durch vollen Satz des Loch-TO-3P-3
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Hersteller
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IRL3705ZPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 55 V 75A (Tc) 130W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF9540NPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
P-Kanal 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF1404STRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 40 V 162A (Tc) 3.8W (Ta), Berg D2PAK der Oberflächen-200W (Tc)
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Infineon
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IRF9530NSTRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
P-Kanal 100 V 14A (Tc) 3.8W (Ta), Berg D2PAK der Oberflächen-79W (Tc)
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Infineon
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IRF9Z24NPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
P-Kanal 55 V 12A (Tc) 45W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF9540NSTRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
P-Kanal 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta), Berg D2PAK der Oberflächen-110W (Tc)
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Infineon
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IRF9540PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
P-Kanal 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) durch Loch TO-220AB
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VISHAY
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IRF9640STRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
P-Kanal 200 V 11A (Tc) 3W (Ta), Berg D der Oberflächen-125W (Tc) ² PAK (TO-263)
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VISHAY
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IRF9530NPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
P-Kanal 100 V 14A (Tc) 79W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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Effekt-Transistor des Feld-VS-ETH1506S-M3 NEU UND STAMMAKTIE |
Oberflächenberg TO-263AB (d-² PAK) der Dioden-600 V 15A
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VISHAY
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IRF9640PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
P-Kanal 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) durch Loch TO-220AB
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VISHAY
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IRF3808PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 75 V 140A (Tc) 330W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF3710STRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D2PAK des N-Kanal-100 V 57A (Tc) der Oberflächen-200W (Tc)
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Infineon
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IRF3205ZPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF3710PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF3205PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF3205STRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D2PAK des N-Kanal-55 V 110A (Tc) der Oberflächen-200W (Tc)
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Infineon
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IRF3710ZPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF3808SPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D2PAK des N-Kanal-75 V 106A (Tc) der Oberflächen-200W (Tc)
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Infineon
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Effekt-Transistor des Feld-SIR688DP-T1-GE3 NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 60 V 60A (Tc) 5.4W (Ta), Berg PowerPAK® SO-8 der Oberflächen-83W (Tc)
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VISHAY
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Effekt-Transistor des Feld-2SB1184-Q-TP NEU UND STAMMAKTIE |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 50 V 3 ein Oberflächenberg D-PAK 70MHz 1 W
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Hersteller
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BYG10M-E3/TR Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Oberflächenberg DO-214AC (SMA) der Dioden-1000 V 1.5A
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VISHAY
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IRF2805PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF2804STRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D2PAK des N-Kanal-40 V 75A (Tc) der Oberflächen-300W (Tc)
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Infineon
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IRF2807PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 75 V 82A (Tc) 230W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF2907ZPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 75 V 160A (Tc) 300W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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IRF2805STRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D2PAK des N-Kanal-55 V 135A (Tc) der Oberflächen-200W (Tc)
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Infineon
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IRF2804PBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 40 V 75A (Tc) 300W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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CYRF69103-40LTXC Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
IC Rf TxRx + MCU General THEORIE > 1GHz 2.4GHz 40-VFQFN stellte Auflage heraus
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Infineon
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IRFS7530TRLPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg PG-TO263-2 des N-Kanal-60 V 195A (Tc) der Oberflächen-375W (Tc)
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Infineon
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