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elektronische IC-Chips
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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BCP55-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 60 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 100MHz 1,3 W
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Diotec-Halbleiter
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BCP55-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 60 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 100MHz 1,3 W
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Diotec-Halbleiter
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BCP56 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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BCP56 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) NPN 80 V 1,2 A 1 W
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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BCP56-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 100MHz 2 W
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Diotec-Halbleiter
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BCP56-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 100MHz 2 W
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Diotec-Halbleiter
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BCP56-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Bipolarer (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 1,6 W Oberflächenmontage SOT-223
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Anbon Semi
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BCP56-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Bipolarer (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 1,6 W Oberflächenmontage SOT-223
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STMicroelectronics
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BCP69 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) PNP 20 V 1,5 A 1 W
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Fairchild
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BCP69-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) 20 V 1 ein Oberflächenberg PG-SOT223-4 100MHz 3 W
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Infineon
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BCV46QTA Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 MA 200MHz 310-mW-Oberflächenberg SOT-23-3
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DIODEN
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BCV46-QR Neuer und ursprünglicher Bestand |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 MA 250-mW-Oberflächenberg TO-236AB
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Nexperia
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BCV46TA Neuer und ursprünglicher Bestand |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 MA 200MHz 330-mW-Oberflächenberg SOT-23-3
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DIODEN
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BCV47,235 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 MA 220MHz 250-mW-Oberflächenberg TO-236AB
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Nexperia
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BCV47,215 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 MA 220MHz 250-mW-Oberflächenberg TO-236AB
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Nexperia
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BCV46,215 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 MA 220MHz 250-mW-Oberflächenberg TO-236AB
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Nexperia
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BCV47TA Neuer und ursprünglicher Bestand |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 MA 170MHz 330-mW-Oberflächenberg SOT-23-3
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DIODEN
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IRFP2907PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original |
N-Kanal 75 V 209A (Tc) 470W (Tc) durch Loch TO-247AC
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Infineon
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IRFP4868PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original |
N-Kanal 300 V 70 A (Tc) 517 W (Tc) Durchgangsloch TO-247AC
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Infineon
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IRFP450LC-Feldwirkungstransistor |
N-Kanal 500 V 14 A (Tc) 190 W (Tc) Durchgangsloch TO-247AC
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VISHAY
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IRFP250MPBF Feldwirkungstransistor neu und originell |
N-Kanal 200 V 30 A (Tc) 214 W (Tc) Durchgangsloch TO-247AC
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Infineon
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IRFPE40PBF Feldwirkungstransistor Neues und Original |
N-Kanal 800 V 5.4A (Tc) 150W (Tc) durch Loch TO-247AC
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VISHAY
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IRG4BC40UPBF Feldwirkungstransistor |
IGBT 600 V 40 A 160 W Durchgangsloch TO-220AB
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Infineon
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LH1525AABTR Feldwirkungstransistor |
Festzustand SPST-NO (1 Form A) 6-SMD (0,300", 7.62mm)
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VISHAY
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IRFL014NTRPBF Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
Berg SOT-223 des N-Kanal-55 V 1.9A (Ta) der Oberflächen-1W (Ta)
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Infineon
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BC847BS Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Oberflächenberg SC-88 (SC-70-6) des Transistor-(BJT) der Reihen-2 NPN (Doppel) 45V 100mA
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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BC847BW Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
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Diotec-Halbleiter
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BC847W,135 Oberflächenbefestigung Induktor Neues und Original |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
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NXP
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BC848B Hochfrequenztransistor Neues und Original |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 30 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC856B Hochspannungstransistor Neues und Original |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC856B Leistungstransistor Neues und Original |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 150MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Good-Ark Halbleiter
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BC856BW Leistungstransistor Neues und Original |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
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Diotec-Halbleiter
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BC856W-QX Verstellbarer Induktor Neuer und Original |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
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Nexperia
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BC856S Verstellbarer Induktor Neuer und Original |
Zweipoliger Oberflächenberg SOT-363 des Transistor-(BJT) der Reihen-2 PNP (Doppel) 65V 100mA 100MHz
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Diotec-Halbleiter
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BC856W-QF Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
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Nexperia
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BC856W/ZL115 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT)
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NXP
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BC857,215 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 250-mW-Oberflächenberg TO-236AB
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Nexperia
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BC857A Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC857BS Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Oberflächenberg SOT-363 des Transistor-(BJT) der Reihen-2 PNP (Doppel) 45V 100mA 200MHz
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Hersteller
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BC857BW Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
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Diotec-Halbleiter
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BC857C Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 150MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Good-Ark Halbleiter
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BC857BW Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
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Diotec-Halbleiter
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BC857C Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC857W,135 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
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Nexperia
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BC857W,115 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-323
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Nexperia
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BC858B Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 30 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC858B Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 30 V 100 MA 100MHz 250-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Infineon
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BCM857BS,115 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger (Doppel) gepaarter 45V 100mA 175MHz 300mW Oberflächenberg 6-TSSOP des Transistor-(BJT) d
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Nexperia
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BCM857BS-7-F Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Oberflächenberg SOT-363 des Transistor-(BJT) der Reihen-2 PNP (Doppel) 45V 100mA 100MHz
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DIODEN
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BCP51 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) PNP 45 V 1,5 A 1 W
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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