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elektronische IC-Chips
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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BAV70 Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Kathode, 100 V, 215 mA (DC), Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT
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Hersteller
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BCV46TC Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP - Darlington 60 V 500 MA 200MHz 330-mW-Oberflächenberg SOT-23-3
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DIODEN
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BCV47QTC Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Bipolarer (BJT) Transistor NPN – Darlington 60 V 500 mA 170 MHz 310 mW Oberflächenmontage SOT-23-3
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DIODEN
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BCV47TC Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN - Darlington 60 V 500 MA 170MHz 330-mW-Oberflächenberg SOT-23-3
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DIODEN
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BCV47 TR PBFREE Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Bipolarer (BJT) Transistor NPN – Darlington 60 V 500 mA 220 MHz 350 mW Oberflächenmontage SOT-23
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Hersteller
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BCX51-10F Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Bipolarer (BJT) Transistor PNP 45 V 1 A 145 MHz 500 mW Oberflächenmontage SOT-89
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Nexperia
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BCX51,115 NEU UND STAMMAKTIE |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 1 ein Oberflächenberg SOT-89 145MHz 1,3 W
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NXP
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BCX5116TA NEU UND STAMMAKTIE |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 1 ein Oberflächenberg SOT-89-3 150MHz 1 W
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DIODEN
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BCX51-16TF NEU UND STAMMAKTIE |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 1 A 500-mW-Oberflächenberg SOT-89
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Nexperia
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BCX51-16,135 NEU UND STAMMAKTIE |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 1 ein Oberflächenberg SOT-89 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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BCX52-10-TP NEU UND STAMMAKTIE |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 1 ein 50MHz 500-mW-Oberflächenberg SOT-89
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Hersteller
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BCX52-10TF NEU UND STAMMAKTIE |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 1 A 500-mW-Oberflächenberg SOT-89
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Nexperia
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BCX5210TA Neue und ursprüngliche Bestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 1 ein Oberflächenberg SOT-89-3 150MHz 1 W
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DIODEN
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BCX51-16,115 NEU UND STAMMAKTIE |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 1 ein Oberflächenberg SOT-89 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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BCX52-10,115 NEU UND STAMMAKTIE |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 60 V 1 ein Oberflächenberg SOT-89 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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Effekt-Transistor des Feld-KBU8M-E4/51 NEU UND STAMMAKTIE |
Brückengleichrichter-einphasig-Standard 1 KV durch Loch KBU
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VISHAY
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IRL2203NPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 30 V 116A (Tc) 180W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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GEGEN - 40 den Feld-Effekt-Transistor TPS 12 a.m. 3 NEU UND STAMMAKTIE |
Störungsbesuch 1,2 KV 55 eine Standardwiederaufnahme durch Loch TO-247AC
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VISHAY
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Effekt-Transistor des Feld-KSC2073 NEU UND STAMMAKTIE |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 150 V 1,5 ein 4MHz 25 W durch Loch TO-220-3
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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IRLL110TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), Berg SOT-223 der Oberflächen-3.1W (Tc)
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VISHAY
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IRF7309TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Mosfet-Reihe 30V 4A, Oberflächenberg 8-SO 3A 1.4W
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Infineon
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IRF7205TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg 8-SO des P-Kanal-30 V 4.6A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Tc)
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Infineon
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IRF7493TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg 8-SO des N-Kanal-80 V 9.3A (Tc) der Oberflächen-2.5W (Tc)
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Infineon
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IRF7424TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg 8-SO des P-Kanal-30 V 11A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Ta)
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Infineon
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IRF7416TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Berg 8-SO des P-Kanal-30 V 10A (Ta) der Oberflächen-2.5W (Ta)
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Infineon
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IRF7504TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Oberflächenberg Micro8™ Mosfet-Reihen-20V 1.7A 1.25W
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Infineon
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IRF7317TRPBF-Feld-Effekt-Transistor NEU UND STAMMAKTIE |
Mosfet-Reihe 20V 6.6A, Oberflächenberg 8-SO 5.3A 2W
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Infineon
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VS-40CPQ100-N3 NEU UND STAMMAKTIE |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Kathode, 100 V, 40 A, Durchgangsloch, TO-247-3
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VISHAY
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VS-40CPQ060PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Kathode, 60 V, 20 A, Durchgangsloch TO-247-3
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VISHAY
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VS-40CPQ100PBF NEU UND STAMMAKTIE |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Kathode, 100 V, 20 A, Durchgangsloch TO-247-3
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VISHAY
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IRLR3410TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 100 V 17 A (Tc) 79 W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak
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Infineon
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IRLR8729TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D-PAK des N-Kanal-30 V 58A (Tc) der Oberflächen-55W (Tc)
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Infineon
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IRLR7843TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D-PAK des N-Kanal-30 V 161A (Tc) der Oberflächen-140W (Tc)
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Infineon
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IRLR2905TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D-PAK des N-Kanal-55 V 42A (Tc) der Oberflächen-110W (Tc)
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Infineon
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IRLR8743TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 30 V 160 A (Tc) 135 W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak
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Infineon
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IRLR9343TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Berg PG-TO252-3 des P-Kanal-55 V 20A (Tc) der Oberflächen-79W (Tc)
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Infineon
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IRLR3114ZTRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
N-Kanal 40 V 42 A (Tc) 140 W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak
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Infineon
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IRLR8726TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D-PAK des N-Kanal-30 V 86A (Tc) der Oberflächen-75W (Tc)
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Infineon
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IRLR3636TRPBF NEU UND STAMMAKTIE |
Berg D-PAK des N-Kanal-60 V 50A (Tc) der Oberflächen-143W (Tc)
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Infineon
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IRLR2905ZTRPBF Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Berg D-PAK des N-Kanal-55 V 42A (Tc) der Oberflächen-110W (Tc)
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Infineon
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BAV21-Feldwirkungstransistor |
Diode 250 V 250 mA Durchgangsloch DO-35
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Fairchild
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BAV23CLT1G Feldwirkungstransistor |
Diodenarray 1 Paar gemeinsame Kathode 250 V 400 mA Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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BAV23A,215 Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Anode, 200 V, 225 mA (DC), Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-2
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Nexperia
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BAV23A-7-F Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Anode, 200 V, 400 mA (DC), Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-2
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DIODEN
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BAV23S Feldwirkungstransistor |
Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-250 V 225mA
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Good-Ark Halbleiter
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BAV70 Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Common-Kathoden-75 V 215mA
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Fairchild
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BAV70 Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Kathode, 100 V, 215 mA (DC), Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT
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Hersteller
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BAV70 Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Diodenarray 1 Paar gemeinsame Kathode 70 V 200 mA Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Good-Ark Halbleiter
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BAV70 Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Diodenarray 1 Paar gemeinsame Kathode 70 V 200 mA Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Infineon
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BAV70S,135 Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 2 Paar, gemeinsame Kathode, 100 V, 250 mA (DC), Oberflächenmontage, 6-TSSOP, SC-88, SOT
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Nexperia
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