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elektronische IC-Chips
| Bild | Teil # | Beschreibung | fabricant | Auf Lager | RFQ | |
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BAV70W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Kathode, 75 V, 300 mA, Oberflächenmontage, SC-70, SOT-323
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DIODEN
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BAV70W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Kathode, 75 V, 150 mA, Oberflächenmontage, SC-70, SOT-323
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Infineon
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BAV99-Feldwirkungstransistor |
Dioden-Reihe Oberflächenberg TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 der 1 Paar-Serienschaltungs-70 V 215mA
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Hersteller
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BAV99S_R1_00001 Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 2-paarige Reihenschaltung, 75 V, 150 mA, Oberflächenmontage, 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Hersteller
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BAV99S,135 Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 2-paarige Reihenschaltung, 100 V, 200 mA (DC), Oberflächenmontage, 6-TSSOP, SC-88, SOT-
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Nexperia
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BAV99S,115 Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 2-paarige Reihenschaltung, 100 V, 200 mA (DC), Oberflächenmontage, 6-TSSOP, SC-88, SOT-
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Nexperia
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BAV99W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Diodenarray, 1 Paar, Reihenschaltung, 75 V, 150 mA, Oberflächenmontage, SC-70, SOT-323
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BAW56 Feldwirkungstransistor |
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Hersteller
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BAW56 Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Anode, 85 V, 200 mA, Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Fairchild
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BAW56 Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, Oberflächenmontage
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Hersteller
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BAW56S,115 Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 2 Paar, gemeinsame Anode, 90 V, 250 mA (DC), Oberflächenmontage, 6-TSSOP, SC-88, SOT-36
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Nexperia
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BAV99W Feldwirkungstransistor NEU und ORIGINAL |
Diodenarray, 1 Paar, Reihenschaltung, 75 V, 150 mA, Oberflächenmontage, SC-70, SOT-323
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Good-Ark Halbleiter
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BAW56 Feldwirkungstransistor |
Diodenarray, 1 Paar, gemeinsame Anode, 70 V, 200 mA, Oberflächenmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Good-Ark Halbleiter
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BC807RAZ Feldwirkungstransistor |
Bipolares (BJT) Transistor-Array 2 PNP (Dual) 45V 500mA 80MHz 350mW Oberflächenmontage DFN1412-6
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Nexperia
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BC807-16 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC807-16 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 800 MA 100MHz 310-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Infineon
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BC807-16W Feldwirkungstransistor |
Bipolarer (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 80 MHz 200 mW Oberflächenmontage SOT-323
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC807-25 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC807-25 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 800 MA 100MHz 310-mW-Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236)
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Infineon
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BC807-40 Feldwirkungstransistor |
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Hersteller
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BC807-40 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC807-40 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Good-Ark Halbleiter
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BC817RAZ Feldwirkungstransistor |
Bipolares (BJT) Transistor-Array 2 NPN (Dual) 45V 500mA 100MHz 350mW Oberflächenmontage DFN1412-6
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Nexperia
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BC817-16 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC817-16W Feldwirkungstransistor |
Bipolarer (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 100 MHz 200 mW Oberflächenmontage SOT-323
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC817-25 Feldwirkungstransistor |
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Hersteller
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BC817-16 Feldwirkungstransistor |
Bipolarer (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100 MHz 310 mW Oberflächenmontage SOT23-3 (TO-236)
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Infineon
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BC817-16W Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT)
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Infineon
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BC817-25 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC817-40 Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 500 MA 100MHz 300-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC846B Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 65 V 100 MA 300MHz 350-mW-Oberflächenberg SOT-23-3
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Good-Ark Halbleiter
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BC846B Feldwirkungstransistor |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 65 V 100 MA 100MHz 200-mW-Oberflächenberg SOT-23
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Taiwan Semiconductor Corporation
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BC846BPN,115 Feldwirkungstransistor |
Zweipolige Reihe NPN, Oberflächenberg 6-TSSOP des Transistor-(BJT) PNP 65V 100mA 100MHz 300mW
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Nexperia
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BCP53-10 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 120MHz 1,3 W
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Diotec-Halbleiter
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BCP53-10 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 120MHz 1,3 W
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Diotec-Halbleiter
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BCP53-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 120MHz 1,3 W
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Diotec-Halbleiter
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BCP53-16 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) PNP 80 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 50MHz 1,6 W
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STMicroelectronics
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BCP54 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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Fairchild
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BCP54 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) NPN 45 V 1,5 A 1,5 W
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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IRFL4310TRPBF Feldwirkungstransistor |
N-Kanal 100 V 1,6 A (Ta) 1 W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223
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Infineon
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IRFL024NTRPBF-Feldwirkungstransistor |
Berg SOT-223 des N-Kanal-55 V 2.8A (Ta) der Oberflächen-1W (Ta)
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Infineon
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BCP53 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Bipolarer (BJT) Transistor PNP 80 V 1,2 A 1,5 W Oberflächenmontage SOT-223-4
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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IRF540NPBF Feldwirkungstransistor Neues und Originalmaterial |
N-Kanal 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) durch Loch TO-220AB
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Infineon
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BK/GMT-7-1/2A Sicherungsschraube |
7.5A 125 VAC 60 VDC-Sicherung, die Sicherung anzeigt, erfordert Halter
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Hersteller
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BCP54-16,135 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 1 ein 180MHz 960-mW-Oberflächenberg SOT-223
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Nexperia
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BCP54-16,115 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 45 V 1 ein 180MHz 960-mW-Oberflächenberg SOT-223
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Nexperia
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BCP55 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
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Fairchild
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BCP55-10 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 60 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 100MHz 1,3 W
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Diotec-Halbleiter
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BCP55-10 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Transistor (BJT) NPN 60 V 1 ein Oberflächenberg SOT-223 100MHz 1,3 W
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Diotec-Halbleiter
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BCP55 Neue und ursprüngliche Lagerbestände |
Zweipoliger Oberflächenberg SOT-223-4 des Transistor-(BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
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Semi-ON / Semi-Katalysator
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